公开(公告)号：US20050008779A1

公开(公告)日：2005-01-13

申请号：US10913888

申请日：2004-08-06

申请人： Michael Yang ,  Hyungsuk Yoon ,  Hui Zhang ,  Hongbin Fang ,  Ming Xi

发明人： Michael Yang ,  Hyungsuk Yoon ,  Hui Zhang ,  Hongbin Fang ,  Ming Xi

IPC分类号： C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C23C16/00

CPC分类号： C23C16/45544 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45561

摘要： Embodiments of the present invention relate to an apparatus and method of cyclical deposition utilizing three or more precursors in which delivery of at least two of the precursors to a substrate structure at least partially overlap. One embodiment of depositing a ternary material layer over a substrate structure comprises providing at least one cycle of gases to deposit a ternary material layer. One cycle comprises introducing a pulse of a first precursor, introducing a pulse of a second precursor, and introducing a pulse of a third precursor in which the pulse of the second precursor and the pulse of the third precursor at least partially overlap. In one aspect, the ternary material layer includes, but is not limited to, tungsten boron silicon (WBxSiy), titanium silicon nitride (TiSixNy), tantalum silicon nitride (TaSixNy), silicon oxynitride (SiOxNy), and hafnium silicon oxide (HfSixOy). In one aspect, the composition of the ternary material layer may be tuned by changing the flow ratio of the second precursor to the third precursor between cycles.

摘要翻译： 本发明的实施方案涉及利用三种或更多种前体的循环沉积的装置和方法，其中至少两种前体至少部分重叠的衬底结构。 在衬底结构上沉积三元材料层的一个实施例包括提供至少一个循环的气体以沉积三元材料层。 一个周期包括引入第一前体的脉冲，引入第二前体的脉冲，以及引入第三前体的脉冲，其中第二前体的脉冲和第三前体的脉冲至少部分重叠。 在一个方面，三元材料层包括但不限于钨硼硅（WBxSiy），氮化硅钛（TiSixNy），氮化钽（TaSixNy），氧氮化硅（SiOxNy）和氧化铪铪（HfSixOy） 。 在一个方面，三元材料层的组成可以通过在循环之间改变第二前体与第三前体的流动比来调节。

公开(公告)号：US20060040052A1

公开(公告)日：2006-02-23

申请号：US10418728

申请日：2003-04-18

申请人： Hongbin Fang ,  Hyungsuk Yoon ,  Ken Lai ,  Chi Young ,  Chao-Ming Huang ,  Ming Xi ,  Michael Yang ,  Hua Chung

发明人： Hongbin Fang ,  Hyungsuk Yoon ,  Ken Lai ,  Chi Young ,  Chao-Ming Huang ,  Ming Xi ,  Michael Yang ,  Hua Chung

IPC分类号： C23C16/00

CPC分类号： C23C16/06 ,  C23C16/02 ,  C23C16/0218 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/045 ,  C23C16/08 ,  C23C16/16 ,  C23C16/45525

摘要： A method for forming a tungsten layer on a substrate surface is provided. In one aspect, the method includes positioning the substrate surface in a processing chamber and exposing the substrate surface to a soak. A nucleation layer is then deposited on the substrate surface in the same processing chamber by alternately pulsing a tungsten-containing compound and a reducing gas selected from a group consisting of silane, disilane, dichlorosilane and derivatives thereof. A tungsten bulk layer may then be deposited on the nucleation layer using cyclical deposition, chemical vapor deposition, or physical vapor deposition techniques.

摘要翻译： 提供了在基板表面上形成钨层的方法。 在一个方面，该方法包括将衬底表面定位在处理室中并将衬底表面暴露于浸泡。 然后通过交替地脉冲选择由硅烷，乙硅烷，二氯硅烷及其衍生物组成的组中的含钨化合物和还原气体，在相同的处理室中的基底表面上沉积成核层。 然后可以使用循环沉积，化学气相沉积或物理气相沉积技术在成核层上沉积钨体层。

公开(公告)号：US06846516B2

公开(公告)日：2005-01-25

申请号：US10118605

申请日：2002-04-08

申请人： Michael Xi Yang ,  Hyungsuk Alexander Yoon ,  Hui Zhang ,  Hongbin Fang ,  Ming Xi

发明人： Michael Xi Yang ,  Hyungsuk Alexander Yoon ,  Hui Zhang ,  Hongbin Fang ,  Ming Xi

IPC分类号： C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C23C16/40

CPC分类号： C23C16/45544 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45561

摘要： Embodiments of the present invention relate to an apparatus and method of cyclical deposition utilizing three or more precursors in which delivery of at least two of the precursors to a substrate structure at least partially overlap. One embodiment of depositing a ternary material layer over a substrate structure comprises providing at least one cycle of gases to deposit a ternary material layer. One cycle comprises introducing a pulse of a first precursor, introducing a pulse of a second precursor, and introducing a pulse of a third precursor in which the pulse of the second precursor and the pulse of the third precursor at least partially overlap. In one aspect, the ternary material layer includes, but is not limited to, tungsten boron silicon (WBxSiy), titanium silicon nitride (TiSixNy), tantalum silicon nitride (TaSixNy), silicon oxynitride (SiOxNy), and hafnium silicon oxide (HfSixOy). In one aspect, the composition of the ternary material layer may be tuned by changing the flow ratio of the second precursor to the third precursor between cycles.

摘要翻译： 本发明的实施方案涉及利用三种或更多种前体的循环沉积的装置和方法，其中至少两种前体至少部分重叠的衬底结构。 在衬底结构上沉积三元材料层的一个实施例包括提供至少一个循环的气体以沉积三元材料层。 一个周期包括引入第一前体的脉冲，引入第二前体的脉冲，以及引入第三前体的脉冲，其中第二前体的脉冲和第三前体的脉冲至少部分重叠。 在一个方面，三元材料层包括但不限于钨硼硅（WBxSiy），氮化硅钛（TiSixNy），氮化钽（TaSixNy），氧氮化硅（SiOxNy）和氧化铪铪（HfSixOy） 。 在一个方面，三元材料层的组成可以通过在循环之间改变第二前体与第三前体的流动比来调节。

公开(公告)号：US07396565B2

公开(公告)日：2008-07-08

申请号：US10913888

申请日：2004-08-06

申请人： Michael Xi Yang ,  Hyungsuk Alexander Yoon ,  Hui Zhang ,  Hongbin Fang ,  Ming Xi

发明人： Michael Xi Yang ,  Hyungsuk Alexander Yoon ,  Hui Zhang ,  Hongbin Fang ,  Ming Xi

IPC分类号： C23C16/40

CPC分类号： C23C16/45544 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45561

摘要： Embodiments of the present invention relate to an apparatus and method of cyclical deposition utilizing three or more precursors in which delivery of at least two of the precursors to a substrate structure at least partially overlap. One embodiment of depositing a ternary material layer over a substrate structure comprises providing at least one cycle of gases to deposit a ternary material layer. One cycle comprises introducing a pulse of a first precursor, introducing a pulse of a second precursor, and introducing a pulse of a third precursor in which the pulse of the second precursor and the pulse of the third precursor at least partially overlap. In one aspect, the ternary material layer includes, but is not limited to, tungsten boron silicon (WBxSiy), titanium silicon nitride (TiSixNy), tantalum silicon nitride (TaSixNy), silicon oxynitride (SiOxNy), and hafnium silicon oxide (HfSixOy). In one aspect, the composition of the ternary material layer may be tuned by changing the flow ratio of the second precursor to the third precursor between cycles.

摘要翻译： 本发明的实施方案涉及利用三种或更多种前体的循环沉积的装置和方法，其中至少两种前体至少部分重叠的衬底结构。 在衬底结构上沉积三元材料层的一个实施例包括提供至少一个循环的气体以沉积三元材料层。 一个周期包括引入第一前体的脉冲，引入第二前体的脉冲，以及引入第三前体的脉冲，其中第二前体的脉冲和第三前体的脉冲至少部分重叠。 在一个方面，三元材料层包括但不限于钨硼硅（W x Si x Si x Si x Si x Si x Si x Si x Si x Si x Si x Si x Si x Si x Si x <<） （TaSi x N y），氮化硅（TaSi x N y N y），氮氧化硅（SiO 2） N x Y）和氧化铪氧化铪（HfSi x O y y）。 在一个方面，三元材料层的组成可以通过在循环之间改变第二前体与第三前体的流动比来调节。

公开(公告)号：US20060009034A1

公开(公告)日：2006-01-12

申请号：US11038592

申请日：2005-01-19

申请人： Ken Lai ,  Ravi Rajagopalan ,  Amit Khandelwal ,  Madhu Moorthy ,  Srinivas Gandikota ,  Joseph Castro ,  Aygerinos Gelatos ,  Cheryl Knepfler ,  Ping Jian ,  Hongbin Fang ,  Chao-Ming Huang ,  Ming Xi ,  Michael Yang ,  Hua Chung ,  Jeong Byun

发明人： Ken Lai ,  Ravi Rajagopalan ,  Amit Khandelwal ,  Madhu Moorthy ,  Srinivas Gandikota ,  Joseph Castro ,  Aygerinos Gelatos ,  Cheryl Knepfler ,  Ping Jian ,  Hongbin Fang ,  Chao-Ming Huang ,  Ming Xi ,  Michael Yang ,  Hua Chung ,  Jeong Byun

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L21/28562 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/08 ,  C23C16/14 ,  C23C16/45525 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/7687 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877 ,  H01L2221/1089

摘要： In one embodiment of the invention, a method for forming a tungsten-containing layer on a substrate is provided which includes positioning a substrate containing a barrier layer disposed thereon in a process chamber, exposing the substrate to a first soak process for a first time period and depositing a nucleation layer on the barrier layer by flowing a tungsten-containing precursor and a reductant into the process chamber. The method further includes exposing the nucleation layer to a second soak process for a second time period and depositing a bulk layer on the nucleation layer. In one example, the barrier layer contains titanium nitride, the first and second soak processes independently comprise at least one reducing gas selected from the group consisting of hydrogen, silane, disilane, dichlorosilane, borane, diborane, derivatives thereof and combinations thereof and the nucleation layer may be deposited by an atomic layer deposition process or a pulsed chemical vapor deposition process while the bulk layer may be deposited by a chemical vapor deposition process or a physical vapor deposition process.

摘要翻译： 在本发明的一个实施例中，提供了一种在衬底上形成含钨层的方法，其包括将包含设置在其上的阻挡层的衬底定位在处理室中，将衬底暴露于第一次浸泡过程第一时间段 以及通过使含钨前体和还原剂流入所述处理室，在所述阻挡层上沉积成核层。 该方法还包括将成核层暴露于第二次浸泡过程第二时间段，并将沉积层沉积在成核层上。 在一个实例中，阻挡层包含氮化钛，第一和第二浸泡工艺独立地包含选自氢，硅烷，乙硅烷，二氯硅烷，硼烷，乙硼烷，其衍生物及其组合中的至少一种还原气体和成核 层可以通过原子层沉积工艺或脉冲化学气相沉积工艺沉积，同时可以通过化学气相沉积工艺或物理气相沉积工艺沉积主体层。

公开(公告)号：US20050287807A1

公开(公告)日：2005-12-29

申请号：US11206491

申请日：2005-08-18

申请人： Ken Lai ,  Jeong Byun ,  Frederick Wu ,  Ramanujapuran Srinivas ,  Avgerinos Gelatos ,  Mei Chang ,  Moris Kori ,  Ashok Sinha ,  Hua Chung ,  Hongbin Fang ,  Alfred Mak ,  Michael Yang ,  Ming Xi

发明人： Ken Lai ,  Jeong Byun ,  Frederick Wu ,  Ramanujapuran Srinivas ,  Avgerinos Gelatos ,  Mei Chang ,  Moris Kori ,  Ashok Sinha ,  Hua Chung ,  Hongbin Fang ,  Alfred Mak ,  Michael Yang ,  Ming Xi

IPC分类号： C23C16/14 ,  C23C16/02 ,  C23C16/04 ,  C23C16/08 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/768 ,  H01L21/44

CPC分类号： C23C16/45525 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/08 ,  C23C16/14 ,  C23C16/45523 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877

摘要： Methods for the deposition of tungsten films are provided. The methods include depositing a nucleation layer by alternatively adsorbing a tungsten precursor and a reducing gas on a substrate, and depositing a bulk layer of tungsten over the nucleation layer.

摘要翻译： 提供了沉积钨膜的方法。 所述方法包括通过交替地将钨前体和还原气体吸附在基底上沉积成核层，以及在成核层上沉积钨层。

公开(公告)号：US20110100295A1

公开(公告)日：2011-05-05

申请号：US12987962

申请日：2011-01-10

申请人： Ming Xi ,  Michael Yang ,  Hui Zhang

发明人： Ming Xi ,  Michael Yang ,  Hui Zhang

IPC分类号： C23C16/52 ,  C23C16/455

CPC分类号： H01L21/76846 ,  H01L21/28562 ,  H01L28/75 ,  H01L28/84 ,  H01L28/90

摘要： An apparatus for processing a substrate is provided. The apparatus includes a process chamber, and a dual-mode gas distribution plate disposed within the process chamber. The dual-mode gas distribution plate comprises a first gas distribution zone disposed in a center of the gas distribution plate, and a second gas distribution zone surrounding the first gas distribution zone, the second gas distribution zone being fluidly isolated from the first gas distribution zone, wherein the first gas distribution zone is coupled to a valve system to deliver sequential pulses of a first gas to the first gas distribution zone to perform a cyclical deposition process, and the second gas distribution zone is in communication with a flow controller to deliver a second gas to perform a chemical vapor deposition process.

摘要翻译： 提供了一种用于处理衬底的设备。 该装置包括处理室和设置在处理室内的双模气体分配板。 双模式气体分配板包括设置在气体分配板的中心的第一气体分配区和围绕第一气体分配区的第二气体分配区，第二气体分配区与第一气体分配区流体隔离 ，其中所述第一气体分配区域联接到阀系统以将第一气体的顺序脉冲输送到所述第一气体分配区域以执行循环沉积过程，并且所述第二气体分配区域与流量控制器连通以递送 第二气体进行化学气相沉积工艺。

公开(公告)号：US07867914B2

公开(公告)日：2011-01-11

申请号：US11770735

申请日：2007-06-29

申请人： Ming Xi ,  Michael Yang ,  Hui Zhang

发明人： Ming Xi ,  Michael Yang ,  Hui Zhang

IPC分类号： H01L21/44 ,  H01L21/469

CPC分类号： H01L21/76846 ,  H01L21/28562 ,  H01L28/75 ,  H01L28/84 ,  H01L28/90

摘要： An apparatus and method for forming an integrated barrier layer on a substrate is described. The integrated barrier layer comprises at least a first refractory metal layer and a second refractory metal layer. The integrated barrier layer is formed using a dual-mode deposition process comprising a chemical vapor deposition (CVD) step and a cyclical deposition step. The dual-mode deposition process may be performed in a single process chamber.

摘要翻译： 描述了在基板上形成集成阻挡层的装置和方法。 整合的阻挡层至少包括第一难熔金属层和第二难熔金属层。 使用包括化学气相沉积（CVD）步骤和循环沉积步骤的双模式沉积工艺形成集成阻挡层。 双模式沉积工艺可以在单个处理室中进行。

公开(公告)号：US07279432B2

公开(公告)日：2007-10-09

申请号：US10414271

申请日：2003-04-15

申请人： Ming Xi ,  Michael Yang ,  Hui Zhang

发明人： Ming Xi ,  Michael Yang ,  Hui Zhang

IPC分类号： H01L21/44 ,  H01L21/469

CPC分类号： H01L21/76846 ,  H01L21/28562 ,  H01L28/75 ,  H01L28/84 ,  H01L28/90

摘要： An apparatus and method for forming an integrated barrier layer on a substrate is described. The integrated barrier layer comprises at least a first refractory metal layer and a second refractory metal layer. The integrated barrier layer is formed using a dual-mode deposition process comprising a chemical vapor deposition (CVD) step and a cyclical deposition step. The dual-mode deposition process may be performed in a single process chamber.

摘要翻译： 描述了在基板上形成集成阻挡层的装置和方法。 整合的阻挡层至少包括第一难熔金属层和第二难熔金属层。 使用包括化学气相沉积（CVD）步骤和循环沉积步骤的双模式沉积工艺形成集成阻挡层。 双模式沉积工艺可以在单个处理室中进行。

公开(公告)号：US20080227291A1

公开(公告)日：2008-09-18

申请号：US12128499

申请日：2008-05-28

申请人： KEN K. LAI ,  Jeong Soo Byun ,  Frederick C. Wu ,  Ramanujapuran A. Srinivas ,  Avgerinos Gelatos ,  Mei Chang ,  Moris Kori ,  Ashok K. Sinha ,  Hua Chung ,  Hongbin Fang ,  Alfred W. Mak ,  Michael X. Yang ,  Ming Xi

发明人： KEN K. LAI ,  Jeong Soo Byun ,  Frederick C. Wu ,  Ramanujapuran A. Srinivas ,  Avgerinos Gelatos ,  Mei Chang ,  Moris Kori ,  Ashok K. Sinha ,  Hua Chung ,  Hongbin Fang ,  Alfred W. Mak ,  Michael X. Yang ,  Ming Xi

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： C23C16/45525 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/08 ,  C23C16/14 ,  C23C16/45523 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877

摘要： Embodiments of the invention provide methods for depositing tungsten materials. In one embodiment, a method for forming a composite tungsten film is provided which includes positioning a substrate within a process chamber, forming a tungsten nucleation layer on the substrate by subsequently exposing the substrate to a tungsten precursor and a reducing gas containing hydrogen during a cyclic deposition process, and forming a tungsten bulk layer during a plasma-enhanced chemical vapor deposition (PE-CVD) process. The PE-CVD process includes exposing the substrate to a deposition gas containing the tungsten precursor while depositing the tungsten bulk layer over the tungsten nucleation layer. In some example, the tungsten nucleation layer has a thickness of less than about 100 Å, such as about 15 Å. In other examples, a carrier gas containing hydrogen is constantly flowed into the process chamber during the cyclic deposition process.

摘要翻译： 本发明的实施例提供了沉积钨材料的方法。 在一个实施例中，提供了一种用于形成复合钨膜的方法，其包括将衬底定位在处理室内，通过在循环中随后将衬底暴露于钨前体和含氢的还原气体，在衬底上形成钨成核层 沉积工艺，以及在等离子体增强化学气相沉积（PE-CVD）工艺期间形成钨体层。 PE-CVD工艺包括将衬底暴露于含有钨前体的沉积气体，同时在钨成核层上沉积钨体层。 在一些实例中，钨成核层的厚度小于约，例如约15。 在其他实例中，在循环沉积过程中，含有氢气的载气不断地流入处理室。