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    Semiconductor device structure and manufacturing method thereof
    3.
    发明授权
    Semiconductor device structure and manufacturing method thereof 有权
    半导体器件结构及其制造方法

    公开(公告)号：US09450093B2

    公开(公告)日：2016-09-20

    申请号：US14515225

    申请日：2014-10-15

    申请人： TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

    发明人： I-Chih Chen ,  Chih-Ming Hsieh ,  Fu-Tsun Tsai ,  Yung-Fa Lee ,  Chih-Mu Huang

    IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/66 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324

    CPC分类号： H01L29/66795 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785

    摘要： Some embodiments of the present disclosure provide a method of manufacturing a semiconductor device including receiving a FinFET precursor including a fin structure formed between isolation regions, and a gate structure formed over a portion of the fin structure such that a sidewall of the fin structure is in contact with a gate spacer of the gate structure; patterning the fin structure to comprise a pattern of at least one upward step rising from the isolation region; forming a capping layer over the fin structure, the isolation region, and the gate structure; performing an annealing process on the FinFET precursor to form at least two dislocations along the upward step; and removing the capping layer.

    摘要翻译： 本公开的一些实施例提供一种制造半导体器件的方法，该半导体器件包括接收包括形成在隔离区域之间的鳍结构的FinFET前体，以及形成在鳍结构的一部分上的栅极结构，使得翅片结构的侧壁处于 与栅极结构的栅极间隔物接触; 图案化鳍结构以包括从隔离区域上升的至少一个向上步骤的图案; 在鳍结构，隔离区和栅结构之上形成覆盖层; 对FinFET前体进行退火处理以沿着向上的台阶形成至少两个位错; 并去除覆盖层。

    PAD STRUCTURE LAYOUT FOR SEMICONDUCTOR DEVICE
    5.
    发明申请
    PAD STRUCTURE LAYOUT FOR SEMICONDUCTOR DEVICE 有权
    半导体器件的PAD结构布局

    公开(公告)号：US20150001658A1

    公开(公告)日：2015-01-01

    申请号：US13929172

    申请日：2013-06-27

    申请人： Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.

    发明人： Shang-Yen Wu ,  I-Chih Chen ,  Yi-Sheng Liu ,  Volume Chien ,  Fu-Tsun Tsai ,  Chi-Cherng Jeng ,  Ying-Hao Chen

    IPC分类号： H01L31/02

    CPC分类号： H01L27/1464 ,  H01L24/05 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14636 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00

    摘要： A semiconductor device including a light sensing region disposed on a substrate is provided that includes a bond structure having one or more patterned layers underlying the pad element. The pad element may be coupled to the light sensing region and may be formed in a first metal layer disposed on the substrate. A second metal layer of the device has a first bond region, a region of the second metal layer that underlies the pad element. This first bond region of the second metal layer includes a pattern of a plurality of conductive lines interposed by dielectric. A via connects the pad element and the second metal layer.

    摘要翻译： 提供了一种包括设置在基板上的光感测区域的半导体器件，其包括在衬垫元件下方具有一个或多个图案化层的接合结构。 焊盘元件可以耦合到光感测区域，并且可以形成在设置在衬底上的第一金属层中。 器件的第二金属层具有第一结合区域，第二金属层的位于衬垫元件下面的区域。 第二金属层的该第一接合区域包括插入介电体的多个导电线图案。 通孔连接垫元件和第二金属层。