公开(公告)号：US09059262B2

公开(公告)日：2015-06-16

申请号：US13033733

申请日：2011-02-24

申请人： Yuan-Hung Liu ,  Ku-Feng Yang ,  Pei-Ching Kuo ,  Ming-Tsu Chung ,  Hsin-Yu Chen ,  Tsang-Jiuh Wu ,  Wen-Chih Chiou

发明人： Yuan-Hung Liu ,  Ku-Feng Yang ,  Pei-Ching Kuo ,  Ming-Tsu Chung ,  Hsin-Yu Chen ,  Tsang-Jiuh Wu ,  Wen-Chih Chiou

IPC分类号： H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L21/76898 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/481 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00

摘要： An integrated circuit includes a substrate having a first surface and a second surface. At least one conductive structure continuously extends through the substrate. At least one sidewall of the at least one conductive structure is spaced from a sidewall of the substrate by an air gap.

摘要翻译： 集成电路包括具有第一表面和第二表面的基板。 至少一个导电结构连续地延伸穿过衬底。 所述至少一个导电结构的至少一个侧壁通过气隙与衬底的侧壁间隔开。

公开(公告)号：US09006101B2

公开(公告)日：2015-04-14

申请号：US13601265

申请日：2012-08-31

申请人： Hsin-Yu Chen ,  Ku-Feng Yang ,  Tasi-Jung Wu ,  Lin-Chih Huang ,  Yuan-Hung Liu ,  Tsang-Jiuh Wu ,  Wen-Chih Chiou

发明人： Hsin-Yu Chen ,  Ku-Feng Yang ,  Tasi-Jung Wu ,  Lin-Chih Huang ,  Yuan-Hung Liu ,  Tsang-Jiuh Wu ,  Wen-Chih Chiou

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/768 ,  H01L23/48 ,  H01L23/532 ,  H01L23/31

CPC分类号： H01L23/528 ,  H01L21/76807 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/5384 ,  H01L27/0617 ,  H01L2221/1031 ,  H01L2224/13 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00

摘要： An apparatus comprises an interlayer dielectric layer formed on a first side of a substrate, a first metallization layer formed over the interlayer dielectric layer, wherein the first metallization layer comprises a first metal line and a dielectric layer formed over the first metallization layer, wherein the dielectric layer comprises a metal structure having a bottom surface coplanar with a top surface of the first metal line.

摘要翻译： 一种装置包括形成在衬底的第一侧上的层间绝缘层，形成在层间介电层上的第一金属化层，其中第一金属化层包括形成在第一金属化层上的第一金属线和介电层，其中， 电介质层包括具有与第一金属线的顶表面共面的底表面的金属结构。

公开(公告)号：US20140061924A1

公开(公告)日：2014-03-06

申请号：US13601265

申请日：2012-08-31

申请人： Hsin-Yu Chen ,  Ku-Feng Yang ,  Tasi-Jung Wu ,  Lin-Chih Huang ,  Yuan-Hung Liu ,  Tsang-Jiuh Wu ,  Wen-Chih Chiou

发明人： Hsin-Yu Chen ,  Ku-Feng Yang ,  Tasi-Jung Wu ,  Lin-Chih Huang ,  Yuan-Hung Liu ,  Tsang-Jiuh Wu ,  Wen-Chih Chiou

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L23/528 ,  H01L21/76807 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/5384 ,  H01L27/0617 ,  H01L2221/1031 ,  H01L2224/13 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00

摘要： An apparatus comprises an interlayer dielectric layer formed on a first side of a substrate, a first metallization layer formed over the interlayer dielectric layer, wherein the first metallization layer comprises a first metal line and a dielectric layer formed over the first metallization layer, wherein the dielectric layer comprises a metal structure having a bottom surface coplanr with a top surface of the first metal line.

摘要翻译： 一种装置包括形成在衬底的第一侧上的层间绝缘层，形成在层间介电层上的第一金属化层，其中第一金属化层包括形成在第一金属化层上的第一金属线和介电层，其中， 电介质层包括具有与第一金属线的顶表面共面的底表面的金属结构。

公开(公告)号：US08803322B2

公开(公告)日：2014-08-12

申请号：US13272506

申请日：2011-10-13

申请人： Ku-Feng Yang ,  Tsang-Jiuh Wu ,  Yi-Hsiu Chen ,  Ebin Liao ,  Yuan-Hung Liu ,  Wen-Chih Chiou

发明人： Ku-Feng Yang ,  Tsang-Jiuh Wu ,  Yi-Hsiu Chen ,  Ebin Liao ,  Yuan-Hung Liu ,  Wen-Chih Chiou

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L23/5226 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/05 ,  H01L2224/05006 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05546 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00

摘要： The embodiments of forming a through substrate via (TSV) structure described enable reducing risk of damaging gate structures due to over polishing of an inter-level dielectric layer (ILD) layer. The TSV structure with a wider opening near one end also enables better gapfill.

摘要翻译： 形成通过（TSV）通孔的结构的实施例能够降低由于层间电介质层（ILD）层的过度抛光而损坏栅极结构的风险。 在一端附近具有较宽开口的TSV结构还可实现更好的间隙填充。

公开(公告)号：US08803316B2

公开(公告)日：2014-08-12

申请号：US13311692

申请日：2011-12-06

申请人： Yung-Chi Lin ,  Hsin-Yu Chen ,  Wen-Chih Chiou ,  Ku-Feng Yang ,  Tsang-Jiuh Wu ,  Jing-Cheng Lin

发明人： Yung-Chi Lin ,  Hsin-Yu Chen ,  Wen-Chih Chiou ,  Ku-Feng Yang ,  Tsang-Jiuh Wu ,  Jing-Cheng Lin

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L23/49827 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76885 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/11011 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/1405 ,  H01L2224/14104 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/067 ,  H01L2924/0705 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00012

摘要： A device includes a substrate having a front side and a backside, a through-via extending from the backside to the front side of the substrate, and a conductive pad on the backside of the substrate and over the through-via. The conductive pad has a substantially planar top surface. A conductive bump has a non-planar top surface over the substantially planar top surface and aligned to the through-via. The conductive bump and the conductive pad are formed of a same material. No interface is formed between the conductive bump and the conductive pad.

摘要翻译： 一种器件包括具有正面和背面的衬底，从衬底的背面延伸到前侧的通孔，以及位于衬底的背面和通孔上方的导电焊盘。 导电垫具有基本平坦的顶表面。 导电凸块在基本上平坦的顶表面上方具有非平面的顶表面，并且与通孔对准。 导电凸块和导电垫由相同的材料形成。 在导电凸块和导电垫之间不形成界面。

公开(公告)号：US20130140690A1

公开(公告)日：2013-06-06

申请号：US13311692

申请日：2011-12-06

申请人： Yung-Chi Lin ,  Hsin-Yu Chen ,  Wen-Chih Chiou ,  Ku-Feng Yang ,  Tsang-Jiuh Wu ,  Jing-Cheng Lin

发明人： Yung-Chi Lin ,  Hsin-Yu Chen ,  Wen-Chih Chiou ,  Ku-Feng Yang ,  Tsang-Jiuh Wu ,  Jing-Cheng Lin

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L23/49827 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76885 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/11011 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/1405 ,  H01L2224/14104 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/067 ,  H01L2924/0705 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00012

摘要： A device includes a substrate having a front side and a backside, a through-via extending from the backside to the front side of the substrate, and a conductive pad on the backside of the substrate and over the through-via. The conductive pad has a substantially planar top surface. A conductive bump has a non-planar top surface over the substantially planar top surface and aligned to the through-via. The conductive bump and the conductive pad are formed of a same material. No interface is formed between the conductive bump and the conductive pad.

公开(公告)号：US08587127B2

公开(公告)日：2013-11-19

申请号：US13161153

申请日：2011-06-15

申请人： Wen-Chih Chiou ,  Tsang-Jiuh Wu ,  Ku-Feng Yang ,  Hsin-Yu Chen

发明人： Wen-Chih Chiou ,  Tsang-Jiuh Wu ,  Ku-Feng Yang ,  Hsin-Yu Chen

IPC分类号： H01L23/52 ,  H01L23/48 ,  H01L29/40

CPC分类号： H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor structure includes a dielectric layer disposed over a substrate. A metallic line is disposed in the dielectric layer. A through-silicon-via (TSV) structure continuously extends through the dielectric layer and the substrate. A surface of the metallic line is substantially leveled with a surface of the TSV structure.

摘要翻译： 半导体结构包括设置在基板上的电介质层。 金属线设置在电介质层中。 贯穿硅通孔（TSV）结构连续地延伸穿过电介质层和衬底。 金属线的表面基本上与TSV结构的表面平齐。

公开(公告)号：US20120083116A1

公开(公告)日：2012-04-05

申请号：US12895296

申请日：2010-09-30

申请人： Ku-Feng Yang ,  Yung-Chi Lin ,  Hung-Pin Chang ,  Tsang-Jiuh Wu ,  Wen-Chih Chiou

发明人： Ku-Feng Yang ,  Yung-Chi Lin ,  Hung-Pin Chang ,  Tsang-Jiuh Wu ,  Wen-Chih Chiou

IPC分类号： H01L21/768

CPC分类号： H01L23/53238 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/14 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2924/00

摘要： A device includes a substrate having a first surface, and a second surface opposite the first surface. A through-substrate via (TSV) extends from the first surface to the second surface of the substrate. A dielectric layer is disposed over the substrate. A metal pad is disposed in the dielectric layer and physically contacting the TSV, wherein the metal pad and the TSV are formed of a same material, and wherein no layer formed of a material different from the same material is between and spacing the TSV and the metal pad apart from each other.

摘要翻译： 一种器件包括具有第一表面的衬底和与第一表面相对的第二表面。 贯穿基板通孔（TSV）从基板的第一表面延伸到第二表面。 电介质层设置在衬底上。 金属焊盘设置在电介质层中并物理接触TSV，其中金属焊盘和TSV由相同的材料形成，并且其中由不同于相同材料的材料形成的层不在其间并且使TSV和 金属垫彼此分开。

公开(公告)号：US08580682B2

公开(公告)日：2013-11-12

申请号：US12895296

申请日：2010-09-30

申请人： Ku-Feng Yang ,  Yung-Chi Lin ,  Hung-Pin Chang ,  Tsang-Jiuh Wu ,  Wen-Chih Chiou

发明人： Ku-Feng Yang ,  Yung-Chi Lin ,  Hung-Pin Chang ,  Tsang-Jiuh Wu ,  Wen-Chih Chiou

IPC分类号： H01L21/768

CPC分类号： H01L23/53238 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/14 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2924/00

摘要： A device includes a substrate having a first surface, and a second surface opposite the first surface. A through-substrate via (TSV) extends from the first surface to the second surface of the substrate. A dielectric layer is disposed over the substrate. A metal pad is disposed in the dielectric layer and physically contacting the TSV, wherein the metal pad and the TSV are formed of a same material, and wherein no layer formed of a material different from the same material is between and spacing the TSV and the metal pad apart from each other.

摘要翻译： 一种器件包括具有第一表面的衬底和与第一表面相对的第二表面。 贯穿基板通孔（TSV）从基板的第一表面延伸到第二表面。 电介质层设置在衬底上。 金属焊盘设置在电介质层中并物理接触TSV，其中金属焊盘和TSV由相同的材料形成，并且其中由不同于相同材料的材料形成的层不在其间并且使TSV和 金属垫彼此分开。

公开(公告)号：US20140077374A1

公开(公告)日：2014-03-20

申请号：US13619233

申请日：2012-09-14

申请人： Yung-Chi Lin ,  Hsin-Yu Chen ,  Lin-Chih Huang ,  Tsang-Jiuh Wu ,  Wen-Chih Chiou

发明人： Yung-Chi Lin ,  Hsin-Yu Chen ,  Lin-Chih Huang ,  Tsang-Jiuh Wu ,  Wen-Chih Chiou

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L23/528 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/481 ,  H01L23/525 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53252 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/53271 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L27/088 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

摘要： An apparatus comprises a through via formed in a substrate. The through via is coupled between a first side and a second side of the substrate. The through via comprises a bottom portion adjacent to the second side of the substrate, wherein the bottom portion is formed of a conductive material. The through via further comprises sidewall portions formed of the conductive material and a middle portion formed between the sidewall portions, wherein the middle portion is formed of a dielectric material.

摘要翻译： 一种装置包括形成在基板中的通孔。 通孔连接在基板的第一侧和第二侧之间。 通孔包括与基板的第二侧相邻的底部，其中底部由导电材料形成。 通孔还包括由导电材料形成的侧壁部分和形成在侧壁部分之间的中间部分，其中中间部分由电介质材料形成。