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    Resistance change element and method for producing the same
    2.
    发明授权
    Resistance change element and method for producing the same 有权
    电阻变化元件及其制造方法

    公开(公告)号：US09281477B2

    公开(公告)日：2016-03-08

    申请号：US14125254

    申请日：2012-06-17

    申请人： Yutaka Nishioka ,  Kazumasa Horita ,  Natsuki Fukuda ,  Shin Kikuchi ,  Koukou Suu

    发明人： Yutaka Nishioka ,  Kazumasa Horita ,  Natsuki Fukuda ,  Shin Kikuchi ,  Koukou Suu

    IPC分类号： H01L45/00 ,  G11C11/56 ,  G11C13/00

    CPC分类号： H01L45/1253 ,  G11C11/5614 ,  G11C13/0007 ,  G11C2213/15 ,  G11C2213/56 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/146 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1675

    摘要： To provide a resistance change element which does not require a forming process and enables reduction of power consumption and miniaturization of the element, and to provide a method for producing it. A resistance change element 1 according to an embodiment of the present invention includes a bottom electrode layer 3, a top electrode layer 5 and an oxide semiconductor layer 4. The oxide semiconductor layer 4 has a first metal oxide layer 41 and a second metal oxide layer 42. The first metal oxide layer 41 is formed between the bottom electrode layer 3 and the top electrode layer 5, and in ohmic contact with the bottom electrode layer 3. The second metal oxide layer 42 is formed between the first metal oxide layer 41 and the top electrode layer 5, and in ohmic contact with the top electrode layer 5.

    摘要翻译： 为了提供不需要成形工艺的电阻变化元件，并且能够降低功耗并且元件的小型化，并提供其制造方法。 根据本发明实施例的电阻变化元件1包括底电极层3，顶电极层5和氧化物半导体层4.氧化物半导体层4具有第一金属氧化物层41和第二金属氧化物层 第一金属氧化物层41形成在底电极层3和顶电极层5之间，并与底电极层3欧姆接触。第二金属氧化物层42形成在第一金属氧化物层41和 顶部电极层5，并与顶部电极层5欧姆接触。

    Resistance Change Element and Method for Producing the Same
    3.
    发明申请
    Resistance Change Element and Method for Producing the Same 有权
    电阻变化要素及其制作方法

    公开(公告)号：US20140166966A1

    公开(公告)日：2014-06-19

    申请号：US14125254

    申请日：2012-06-07

    申请人： Yutaka Nishioka ,  Kazumasa Horita ,  Natsuki Fukuda ,  Shin Kikuchi ,  Koukou Suu

    发明人： Yutaka Nishioka ,  Kazumasa Horita ,  Natsuki Fukuda ,  Shin Kikuchi ,  Koukou Suu

    IPC分类号： H01L45/00

    CPC分类号： H01L45/1253 ,  G11C11/5614 ,  G11C13/0007 ,  G11C2213/15 ,  G11C2213/56 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/146 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1675

    摘要： To provide a resistance change element which does not require a forming process and enables reduction of power consumption and miniaturization of the element, and to provide a method for producing it. A resistance change element 1 according to an embodiment of the present invention includes a bottom electrode layer 3, a top electrode layer 5 and an oxide semiconductor layer 4. The oxide semiconductor layer 4 has a first metal oxide layer 41 and a second metal oxide layer 42. The first metal oxide layer 41 is formed between the bottom electrode layer 3 and the top electrode layer 5, and in ohmic contact with the bottom electrode layer 3. The second metal oxide layer 42 is formed between the first metal oxide layer 41 and the top electrode layer 5, and in ohmic contact with the top electrode layer 5.

    摘要翻译： 为了提供不需要成形工艺的电阻变化元件，并且能够降低功耗并且元件的小型化，并提供其制造方法。 根据本发明实施例的电阻变化元件1包括底电极层3，顶电极层5和氧化物半导体层4.氧化物半导体层4具有第一金属氧化物层41和第二金属氧化物层 第一金属氧化物层41形成在底电极层3和顶电极层5之间，并与底电极层3欧姆接触。第二金属氧化物层42形成在第一金属氧化物层41和 顶部电极层5，并与顶部电极层5欧姆接触。

    METHOD OF MANUFACTURING VARIABLE RESISTANCE ELEMENT AND APPARATUS FOR MANUFACTURING THE SAME
    4.
    发明申请
    METHOD OF MANUFACTURING VARIABLE RESISTANCE ELEMENT AND APPARATUS FOR MANUFACTURING THE SAME 有权
    制造可变电阻元件的方法及其制造方法

    公开(公告)号：US20140102879A1

    公开(公告)日：2014-04-17

    申请号：US14122966

    申请日：2012-06-07

    申请人： Yutaka Nishioka ,  Kazumasa Horita ,  Natsuki Fukuda ,  Shin Kikuchi ,  Youhei Ogawa ,  Koukou Suu

    发明人： Yutaka Nishioka ,  Kazumasa Horita ,  Natsuki Fukuda ,  Shin Kikuchi ,  Youhei Ogawa ,  Koukou Suu

    IPC分类号： H01L45/00

    CPC分类号： H01L45/1625 ,  C23C14/08 ,  C23C14/3464 ,  C23C14/3492 ,  C23C14/542 ,  C23C14/548 ,  H01J37/34 ,  H01J37/3426 ,  H01J37/3429 ,  H01L27/101 ,  H01L45/04 ,  H01L45/146

    摘要： [Object] To provide a method and an apparatus for manufacturing a variable resistance element by which a metal oxide layer having a desired resistivity can be precisely formed.[Solving Means] The method of manufacturing the variable resistance element according to an embodiment of the present invention includes a step of forming a first metal oxide having a first resistivity and a step of forming a second metal oxide having a second resistivity different from the first resistivity. The first metal oxide is formed on a substrate by sputtering, while sputtering a first target made of an oxide of metal, a second target made of the metal with a first power. The second metal oxide layer is formed on the first metal oxide layer by sputtering the second target with a second power different from the first power while sputtering the first target.

    摘要翻译： 提供一种用于制造可变电阻元件的方法和装置，通过该方法和装置可以精确地形成具有所需电阻率的金属氧化物层。 本发明的实施方式的可变电阻元件的制造方法包括：形成具有第一电阻率的第一金属氧化物和形成具有与第一电阻率不同的第二电阻率的第二金属氧化物的工序的工序; 电阻率。 第一金属氧化物通过溅射形成在基板上，同时溅射由金属氧化物制成的第一靶，以第一功率由金属制成的第二靶。 通过在溅射第一靶的同时以不同于第一功率的第二功率溅射第二靶，在第一金属氧化物层上形成第二金属氧化物层。

    Resistance change device, and method for producing same
    5.
    发明授权
    Resistance change device, and method for producing same 有权
    电阻变化装置及其制造方法

    公开(公告)号：US09343207B2

    公开(公告)日：2016-05-17

    申请号：US14369659

    申请日：2013-08-27

    申请人： Natsuki Fukuda ,  Kazunori Fukuju ,  Yutaka Nishioka ,  Koukou Suu

    发明人： Natsuki Fukuda ,  Kazunori Fukuju ,  Yutaka Nishioka ,  Koukou Suu

    IPC分类号： H01C7/10 ,  H01C7/108 ,  H01L45/00 ,  C23C14/00 ,  C23C14/08 ,  H01C17/06 ,  H01C17/12

    CPC分类号： H01C7/108 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/08 ,  H01C17/06 ,  H01C17/12 ,  H01L45/08 ,  H01L45/12 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1625

    摘要： To provide a resistance change device that can be protected from an excess current without enlarging a device size. A resistance change device 1 according to the present embodiment includes a lower electrode layer 3, an upper electrode layer 6, a first metal oxide layer 51, a second metal oxide layer 52, and a current limiting layer 4. The first metal oxide layer 51 is disposed between the lower electrode layer 3 and the upper electrode layer 6, and has a first resistivity. The second metal oxide layer 52 is disposed between the first metal oxide layer 51 and the upper electrode layer 6, and has a second resistivity higher than the first resistivity. The current limiting layer 4 is disposed between the lower electrode layer 3 and the first metal oxide layer 51, and has a third resistivity higher than the first resistivity and lower than the second resistivity.

    摘要翻译： 提供一种电阻变化器件，可以免受过电流的影响，而不会增大器件尺寸。 根据本实施例的电阻改变装置1包括下电极层3，上电极层6，第一金属氧化物层51，第二金属氧化物层52和限流层4.第一金属氧化物层51 设置在下电极层3和上电极层6之间，并且具有第一电阻率。 第二金属氧化物层52设置在第一金属氧化物层51和上电极层6之间，并且具有比第一电阻率高的第二电阻率。 限流层4设置在下电极层3和第一金属氧化物层51之间，并且具有比第一电阻率高的第三电阻率并且低于第二电阻率。

    DEPOSITION METHOD AND DEPOSITION APPARATUS
    6.
    发明申请
    DEPOSITION METHOD AND DEPOSITION APPARATUS 审中-公开
    沉积方法和沉积装置

    公开(公告)号：US20150056373A1

    公开(公告)日：2015-02-26

    申请号：US14348006

    申请日：2013-07-25

    申请人： Natsuki Fukuda ,  Kazunori Fukuju ,  Yutaka Nishioka ,  Koukou Suu

    发明人： Natsuki Fukuda ,  Kazunori Fukuju ,  Yutaka Nishioka ,  Koukou Suu

    IPC分类号： C23C14/00 ,  C23C16/44 ,  H01J37/34 ,  C23C16/455

    CPC分类号： C23C14/0063 ,  C23C14/0068 ,  C23C14/083 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/455 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/34 ,  H01J37/3411 ,  H01J2237/006

    摘要： [Object] To provide a deposition method and a deposition apparatus capable of forming a metal compound layer having desired film characteristics uniformly in a substrate surface.[Solving Means] A deposition method according to an embodiment of the present invention includes evacuating an inside of a vacuum chamber 10 having a deposition chamber 101 formed inside a cylindrical partition wall 20 and an exhaust chamber 102 formed outside the partition wall 20, via an exhaust line 50 connected to the exhaust chamber 102. A process gas containing a reactive gas is introduced into the exhaust chamber 102. With the deposition chamber 101 being maintained at a lower pressure than the exhaust chamber 102, the process gas is supplied to the deposition chamber 101 via a gas flow passage 80 between the partition wall 20 and the vacuum chamber 10.

    摘要翻译： 本发明提供能够在基板表面上均匀地形成具有期望的膜特性的金属化合物层的沉积方法和沉积装置。 [解决方案]根据本发明的实施方式的沉积方法包括将具有形成在圆筒形分隔壁20内的沉积室101和形成在分隔壁20外部的排气室102的真空室10的内部经由 连接到排气室102的排气管路50.将包含反应性气体的处理气体引入排气室102.在沉积室101保持在比排气室102低的压力下，将处理气体供应到沉积物 室101经由分隔壁20和真空室10之间的气体流路80。

    Method for Forming Multilayer Film and Apparatus for Forming Multilayer Film
    7.
    发明申请
    Method for Forming Multilayer Film and Apparatus for Forming Multilayer Film 审中-公开
    用于形成多层膜的方法和用于形成多层膜的装置

    公开(公告)号：US20100038234A1

    公开(公告)日：2010-02-18

    申请号：US12519712

    申请日：2007-12-17

    申请人： Isao Kimura ,  Takehito Jinbo ,  Shin Kikuchi ,  Yutaka Nishioka ,  Koukou Suu

    发明人： Isao Kimura ,  Takehito Jinbo ,  Shin Kikuchi ,  Yutaka Nishioka ,  Koukou Suu

    IPC分类号： C23C14/34 ,  C23C14/06

    CPC分类号： H01L41/083 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/088 ,  H01L41/1876 ,  H01L41/316

    摘要： A multilayer thin film formation method and a multilayer thin film formation apparatus that improve dielectric characteristics and piezoelectric characteristics of a thin film formed from a lead-based perovskite complex oxide. The multilayer thin film formation method includes formation of a lower electrode layer (32b) containing a noble metal above a substrate (S) by sputtering a lower electrode layer target (TG2), and superposing a lead-based complex oxide layer (33) on the lower electrode layer (32b) by sputtering an oxide layer target (TG3) containing lead. The lower electrode layer (32b) has a thickness restricted to 10 to 30 nm, and the lead-based complex oxide layer (33) has a thickness restricted to 0.2 and 5.0 μm.

    摘要翻译： 一种提高由铅系钙钛矿复合氧化物形成的薄膜的介电特性和压电特性的多层薄膜形成方法和多层薄膜形成装置。 多层薄膜形成方法包括通过溅射下电极层靶（TG2），在基底（S）上方形成含有贵金属的下电极层（32b），并将引线基复合氧化物层（33）叠加在 通过溅射含有铅的氧化物层靶（TG3）来形成下电极层（32b）。 下部电极层（32b）的厚度为10〜30nm，铅系复合氧化物层（33）的厚度为0.2〜5.0μm。

    Multilayer Film Forming Method and Multilayer Film Forming Apparatus
    10.
    发明申请
    Multilayer Film Forming Method and Multilayer Film Forming Apparatus 审中-公开
    多层成膜方法和多层成膜装置

    公开(公告)号：US20090294280A1

    公开(公告)日：2009-12-03

    申请号：US12522356

    申请日：2007-12-20

    申请人： Isao Kimura ,  Takehito Jinbo ,  Shin Kikuchi ,  Yutaka Nishioka ,  Koukou Suu

    发明人： Isao Kimura ,  Takehito Jinbo ,  Shin Kikuchi ,  Yutaka Nishioka ,  Koukou Suu

    IPC分类号： C23C14/34

    CPC分类号： C23C14/568 ,  C23C14/025 ,  C23C14/042 ,  C23C14/088 ,  C23C14/352 ,  C23C28/322 ,  C23C28/3455 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/1245 ,  H01G4/33 ,  H01G7/06 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/31691 ,  H01L41/316

    摘要： A multilayer film formation method enables the formation of a multilayer including a complex oxide layer and having the desired shape of an element without performing an etching process. The method positions a first mask (30A) above a substrate (S), forms an adhesion layer (36) and a lower electrode layer (37) on the substrate with the first mask by sputtering an adhesion layer target (T1) and a lower electrode layer target (T2), positions a second mask (30B) formed from a ceramic material above the lower electrode layer, superimposes a complex oxide layer (38) on the lower electrode layer with the second mask by sputtering an oxide layer target (T3), positions a third mask (30C) above the complex oxide layer, and superimposes an upper electrode layer (39) on the complex oxide layer with the third mask by sputtering an upper electrode layer target (T4).

    摘要翻译： 多层膜形成方法能够形成包括复合氧化物层并且具有所需形状的元件的多层而不进行蚀刻工艺。 该方法将第一掩模（30A）定位在衬底（S）上方，通过溅射粘附层靶（T1）和下层（T1），在第一掩模上在衬底上形成粘合层（36）和下电极层（37） 将由陶瓷材料形成的第二掩模（30B）定位在下部电极层的上方，通过溅射氧化物层靶（T3）将复合氧化物层（38）与第二掩模重叠在下部电极层上 ），在复合氧化物层上方设置第三掩模（30C），并通过溅射上电极层靶（T4）将上电极层（39）与第三掩模叠加在复合氧化物层上。