公开(公告)号：US20140077152A1

公开(公告)日：2014-03-20

申请号：US13616299

申请日：2012-09-14

申请人： Zhen-Yu Li ,  Hon-Way Lin ,  Chung-Pao Lin ,  Hsing-Kuo Hsia ,  Hao-Chung Kuo

发明人： Zhen-Yu Li ,  Hon-Way Lin ,  Chung-Pao Lin ,  Hsing-Kuo Hsia ,  Hao-Chung Kuo

IPC分类号： H01L33/06

CPC分类号： H01L33/06 ,  B82Y20/00 ,  F21K9/00 ,  F21S6/00 ,  F21V3/049 ,  F21V7/22 ,  F21V29/74 ,  F21Y2115/10 ,  F21Y2115/30 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L33/0025 ,  H01L33/12 ,  H01L33/145 ,  H01L33/32 ,  H01S5/0014 ,  H01S5/3407 ,  H01S5/34333

摘要： The present disclosure involves an illumination apparatus. The illumination apparatus includes an n-doped semiconductor compound layer, a p-doped semiconductor compound layer spaced apart from the n-doped semiconductor compound layer, and a multiple-quantum-well (MQW) disposed between the first semiconductor compound layer and the second semiconductor compound layer. The MQW includes a plurality of alternating first and second layers. The first layers of the MQW have substantially uniform thicknesses. The second layers have graded thicknesses with respect to distances from the p-doped semiconductor compound layer. A subset of the second layers located most adjacent to the p-doped semiconductor compound layer is doped with a p-type dopant. The doped second layers have graded doping concentration levels that vary with respect to distances from the p-doped semiconductor layer.

摘要翻译： 本公开涉及一种照明装置。 照明装置包括n掺杂半导体化合物层，与n掺杂半导体化合物层间隔开的p掺杂半导体化合物层和设置在第一半导体化合物层和第二半导体化合物层之间的多量子阱（MQW） 半导体复合层。 MQW包括多个交替的第一和第二层。 MQW的第一层具有基本均匀的厚度。 第二层相对于与p掺杂半导体化合物层的距离具有渐变厚度。 位于与p掺杂半导体化合物层最相邻的第二层的子集中掺杂有p型掺杂剂。 掺杂的第二层具有相对于从p掺杂半导体层的距离而变化的渐变掺杂浓度水平。

公开(公告)号：US09099593B2

公开(公告)日：2015-08-04

申请号：US13616299

申请日：2012-09-14

申请人： Zhen-Yu Li ,  Hon-Way Lin ,  Chung-Pao Lin ,  Hsing-Kuo Hsia ,  Hao-Chung Kuo

发明人： Zhen-Yu Li ,  Hon-Way Lin ,  Chung-Pao Lin ,  Hsing-Kuo Hsia ,  Hao-Chung Kuo

IPC分类号： H01L33/06 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/32 ,  F21K99/00 ,  F21S6/00 ,  F21V3/04 ,  F21V7/22 ,  F21Y101/02 ,  H01L21/02 ,  H01S5/00 ,  H01S5/34 ,  H01S5/343 ,  F21V29/74

CPC分类号： H01L33/06 ,  B82Y20/00 ,  F21K9/00 ,  F21S6/00 ,  F21V3/049 ,  F21V7/22 ,  F21V29/74 ,  F21Y2115/10 ,  F21Y2115/30 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L33/0025 ,  H01L33/12 ,  H01L33/145 ,  H01L33/32 ,  H01S5/0014 ,  H01S5/3407 ,  H01S5/34333

摘要： The present disclosure involves an illumination apparatus. The illumination apparatus includes an n-doped semiconductor compound layer, a p-doped semiconductor compound layer spaced apart from the n-doped semiconductor compound layer, and a multiple-quantum-well (MQW) disposed between the first semiconductor compound layer and the second semiconductor compound layer. The MQW includes a plurality of alternating first and second layers. The first layers of the MQW have substantially uniform thicknesses. The second layers have graded thicknesses with respect to distances from the p-doped semiconductor compound layer. A subset of the second layers located most adjacent to the p-doped semiconductor compound layer is doped with a p-type dopant. The doped second layers have graded doping concentration levels that vary with respect to distances from the p-doped semiconductor layer.

摘要翻译： 本公开涉及一种照明装置。 照明装置包括n掺杂半导体化合物层，与n掺杂半导体化合物层间隔开的p掺杂半导体化合物层和设置在第一半导体化合物层和第二半导体化合物层之间的多量子阱（MQW） 半导体复合层。 MQW包括多个交替的第一和第二层。 MQW的第一层具有基本均匀的厚度。 第二层相对于与p掺杂半导体化合物层的距离具有渐变厚度。 位于与p掺杂半导体化合物层最相邻的第二层的子集中掺杂有p型掺杂剂。 掺杂的第二层具有相对于从p掺杂半导体层的距离而变化的渐变掺杂浓度水平。

公开(公告)号：US20140077153A1

公开(公告)日：2014-03-20

申请号：US13616345

申请日：2012-09-14

申请人： Zhen-Yu Li ,  Tzu-Te Yang ,  Hon-Way Lin ,  Chung-Pao Lin ,  Kuan-Chun Chen ,  Ching-Yu Chen ,  You-Da Lin ,  Hao-Chung Kuo

发明人： Zhen-Yu Li ,  Tzu-Te Yang ,  Hon-Way Lin ,  Chung-Pao Lin ,  Kuan-Chun Chen ,  Ching-Yu Chen ,  You-Da Lin ,  Hao-Chung Kuo

IPC分类号： H01L33/32

CPC分类号： H01S5/2013 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/06 ,  H01L33/14 ,  H01L33/145 ,  H01L33/30 ,  H01L33/305 ,  H01L33/32 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/3063 ,  H01S5/34333

摘要： The present disclosure involves a light-emitting device. The light-emitting device includes an n-doped gallium nitride (n-GaN) layer located over a substrate. A multiple quantum well (MQW) layer is located over the n-GaN layer. An electron-blocking layer is located over the MQW layer. A p-doped gallium nitride (p-GaN) layer is located over the electron-blocking layer. The light-emitting device includes a hole injection layer. In some embodiments, the hole injection layer includes a p-doped indium gallium nitride (p-InGaN) layer that is located in one of the three following locations: between the MQW layer and the electron-blocking layer; between the electron-blocking layer and the p-GaN layer; and inside the p-GaN layer.

摘要翻译： 本发明涉及一种发光装置。 发光器件包括位于衬底上方的n掺杂氮化镓（n-GaN）层。 多量子阱（MQW）层位于n-GaN层上。 电子阻挡层位于MQW层上。 p型掺杂氮化镓（p-GaN）层位于电子阻挡层上方。 发光装置包括空穴注入层。 在一些实施例中，空穴注入层包括位于以下三个位置之一的p掺杂的氮化铟镓（p-InGaN）层：在MQW层和电子阻挡层之间; 在电子阻挡层和p-GaN层之间; 并在p-GaN层内部。

公开(公告)号：US20120097920A1

公开(公告)日：2012-04-26

申请号：US13335199

申请日：2011-12-22

申请人： Shang-Jr GWO ,  Hon-Way Lin ,  Yu-Jung Lu

发明人： Shang-Jr GWO ,  Hon-Way Lin ,  Yu-Jung Lu

IPC分类号： H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  B82Y40/00 ,  B82Y20/00

CPC分类号： H01L33/007 ,  H01L33/08 ,  H01L33/18 ,  H01L33/20 ,  H01L33/38

摘要： This invention relates to structures and fabricating methods of light-emitting diodes capable of emitting white or a color within full-visible-spectrum with better efficiency and flexibility. An embodiment provides a light-emitting diode array consisted of one or more light-emitting diodes on a substrate. Each light-emitting diode comprises a first doped nanorod, an active light-emitting region consisted of one or more nanodisks on the first doped nanorod, and a second doped nanorod on the active light-emitting region. Another embodiment provides a fabricating method of the light-emitting diode array.

摘要翻译： 本发明涉及能够以更好的效率和灵活性在全可见光谱内发射白色或彩色的发光二极管的结构和制造方法。 实施例提供了由衬底上的一个或多个发光二极管组成的发光二极管阵列。 每个发光二极管包括第一掺杂纳米棒，由第一掺杂纳米棒上的一个或多个纳米棒组成的有源发光区域和在有源发光区域上的第二掺杂纳米棒。 另一实施例提供了一种发光二极管阵列的制造方法。

公开(公告)号：US20120025232A1

公开(公告)日：2012-02-02

申请号：US12846443

申请日：2010-07-29

申请人： Shang-Jr GWO ,  Hon-Way Lin ,  Yu-Jung Lu

发明人： Shang-Jr GWO ,  Hon-Way Lin ,  Yu-Jung Lu

IPC分类号： H01L33/30 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L33/08 ,  H01L33/007 ,  H01L33/18 ,  H01L33/20 ,  H01L33/38

摘要： Embodiments of the present invention provides III-nitride light-emitting diodes, which primarily include a first electrode, a n-type gallium nitride (GaN) nanorod array consisted of one or more n-type GaN nanorods ohmic contacting with the first electrode, one or more indium gallium nitride (InGaN) nanodisks disposed on each of the n-type GaN nanorods, a p-type GaN nanorod array consisted of one or more p-type GaN nanorods, where one p-type GaN nanorod is disposed on top of the one ore more InGaN nanodisks disposed on each of the n-type GaN nanorods, and a second electrode ohmic contacts with the p-type GaN nanorod array.

摘要翻译： 本发明的实施方案提供了III族氮化物发光二极管，其主要包括第一电极，由与第一电极欧姆接触的一个或多个n型GaN纳米棒组成的n型氮化镓（GaN）纳米棒阵列，一个 或更多的配置在n型GaN纳米棒每一个上的氮化铟镓（InGaN）纳米磁盘，由一个或多个p型GaN纳米棒构成的p型GaN纳米棒阵列，其中一个p型GaN纳米棒位于 设置在每个n型GaN纳米棒上的一个或多个InGaN纳米磁盘，以及与p型GaN纳米棒阵列欧姆接触的第二电极。

公开(公告)号：US08242523B2

公开(公告)日：2012-08-14

申请号：US12846443

申请日：2010-07-29

申请人： Shang-Jr Gwo ,  Hon-Way Lin ,  Yu-Jung Lu

发明人： Shang-Jr Gwo ,  Hon-Way Lin ,  Yu-Jung Lu

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L33/08 ,  H01L33/007 ,  H01L33/18 ,  H01L33/20 ,  H01L33/38

摘要： Embodiments of the present invention provides III-nitride light-emitting diodes, which primarily include a first electrode, a n-type gallium nitride (GaN) nanorod array consisted of one or more n-type GaN nanorods ohmic contacting with the first electrode, one or more indium gallium nitride (InGaN) nanodisks disposed on each of the n-type GaN nanorods, a p-type GaN nanorod array consisted of one or more p-type GaN nanorods, where one p-type GaN nanorod is disposed on top of the one ore more InGaN nanodisks disposed on each of the n-type GaN nanorods, and a second electrode ohmic contacts with the p-type GaN nanorod array.

摘要翻译： 本发明的实施方案提供了III族氮化物发光二极管，其主要包括第一电极，由与第一电极欧姆接触的一个或多个n型GaN纳米棒组成的n型氮化镓（GaN）纳米棒阵列，一个 或更多的配置在n型GaN纳米棒每一个上的氮化铟镓（InGaN）纳米磁盘，由一个或多个p型GaN纳米棒构成的p型GaN纳米棒阵列，其中一个p型GaN纳米棒位于 设置在每个n型GaN纳米棒上的一个或多个InGaN纳米磁盘，以及与p型GaN纳米棒阵列欧姆接触的第二电极。

公开(公告)号：US07709823B2

公开(公告)日：2010-05-04

申请号：US11552527

申请日：2006-10-25

申请人： Chih-Ming Lai ,  Wen-Yueh Liu ,  Jenq-Dar Tsay ,  Jung-Tsung Hsu ,  Shang-Jr Gwo ,  Chang-Hong Shen ,  Hon-Way Lin

发明人： Chih-Ming Lai ,  Wen-Yueh Liu ,  Jenq-Dar Tsay ,  Jung-Tsung Hsu ,  Shang-Jr Gwo ,  Chang-Hong Shen ,  Hon-Way Lin

IPC分类号： H01L29/12

CPC分类号： H01L29/0657 ,  B82Y10/00 ,  C30B25/183 ,  C30B29/403 ,  C30B29/60 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/2003 ,  H01L33/007 ,  H01S5/32341 ,  H01S2301/173 ,  H01S2304/12

摘要： The invention is directed to a group-III nitride vertical-rods substrate. The group-III vertical-rods substrate comprises a substrate, a buffer layer and a vertical rod layer. The buffer layer is located over the substrate. The vertical rod layer is located on the buffer layer and the vertical rod layer is comprised of a plurality of vertical rods standing on the buffer layer.

摘要翻译： 本发明涉及III族氮化物垂直杆衬底。 III族垂直杆基板包括基板，缓冲层和垂直杆层。 缓冲层位于衬底上。 垂直杆层位于缓冲层上，垂直杆层由站在缓冲层上的多个垂直杆组成。

公开(公告)号：US20070272914A1

公开(公告)日：2007-11-29

申请号：US11552527

申请日：2006-10-25

申请人： Chih-Ming Lai ,  Wen-Yueh Liu ,  Jenq-Dar Tsay ,  Jung-Tsung Hsu ,  Shang-Jr Gwo ,  Chang-Hong Shen ,  Hon-Way Lin

发明人： Chih-Ming Lai ,  Wen-Yueh Liu ,  Jenq-Dar Tsay ,  Jung-Tsung Hsu ,  Shang-Jr Gwo ,  Chang-Hong Shen ,  Hon-Way Lin

IPC分类号： H01L29/06

CPC分类号： H01L29/0657 ,  B82Y10/00 ,  C30B25/183 ,  C30B29/403 ,  C30B29/60 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/2003 ,  H01L33/007 ,  H01S5/32341 ,  H01S2301/173 ,  H01S2304/12

摘要： The invention is directed to a group-III nitride vertical-rods substrate. The group-III vertical-rods substrate comprises a substrate, a buffer layer and a vertical rod layer. The buffer layer is located over the substrate. The vertical rod layer is located on the buffer layer and the vertical rod layer is comprised of a plurality of vertical rods standing on the buffer layer.

摘要翻译： 本发明涉及III族氮化物垂直杆衬底。 III族垂直杆基板包括基板，缓冲层和垂直杆层。 缓冲层位于衬底上。 垂直杆层位于缓冲层上，垂直杆层由站在缓冲层上的多个垂直杆组成。

公开(公告)号：US08669128B2

公开(公告)日：2014-03-11

申请号：US13335199

申请日：2011-12-22

申请人： Shang-Jr Gwo ,  Hon-Way Lin ,  Yu-Jung Lu

发明人： Shang-Jr Gwo ,  Hon-Way Lin ,  Yu-Jung Lu

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L33/007 ,  H01L33/08 ,  H01L33/18 ,  H01L33/20 ,  H01L33/38

摘要： This invention relates to structures and fabricating methods of light-emitting diodes capable of emitting white or a color within full-visible-spectrum with better efficiency and flexibility. An embodiment provides a light-emitting diode array consisted of one or more light-emitting diodes on a substrate. Each light-emitting diode comprises a first doped nanorod, an active light-emitting region consisted of one or more nanodisks on the first doped nanorod, and a second doped nanorod on the active light-emitting region. Another embodiment provides a fabricating method of the light-emitting diode array.

摘要翻译： 本发明涉及能够以更好的效率和灵活性在全可见光谱内发射白色或彩色的发光二极管的结构和制造方法。 实施例提供了由基板上的一个或多个发光二极管组成的发光二极管阵列。 每个发光二极管包括第一掺杂纳米棒，由第一掺杂纳米棒上的一个或多个纳米棒组成的有源发光区域和在有源发光区域上的第二掺杂纳米棒。 另一实施例提供了一种发光二极管阵列的制造方法。