公开(公告)号：US5628564A

公开(公告)日：1997-05-13

申请号：US412278

申请日：1995-03-28

申请人： Zsolt Nenyei ,  Andreas Tillmann ,  Heinrich Walk

发明人： Zsolt Nenyei ,  Andreas Tillmann ,  Heinrich Walk

IPC分类号： G01J5/04 ,  G01J5/08

CPC分类号： G01J5/0003 ,  G01J5/0007 ,  G01J2005/0048

摘要： A method and apparatus for optical pyrometry in a Rapid Thermal Processing (RTP) System, whereby the radiation used to heat the object to be processed in the RTP system is in part specularly reflected from specularly reflecting surfaces and is incident on the object with a particular angular distribution, and the thermal radiation from the object is measured at an angles different from the angle where the incident radiation specularly reflected from the surface of the object is a maximum.

摘要翻译： 在快速热处理（RTP）系统中用于光学高温测量的方法和装置，其中用于加热RTP系统中待处理物体的辐射部分地从镜面反射表面反射并且以具体的方式入射到物体上 角度分布，并且来自物体的热辐射以与从物体表面镜面反射的入射辐射最大的角度不同的角度被测量。

公开(公告)号：US5841110A

公开(公告)日：1998-11-24

申请号：US920614

申请日：1997-08-27

申请人： Zsolt Nenyei ,  Heinrich Walk ,  Michael Maurer ,  Thomas Knarr

发明人： Zsolt Nenyei ,  Heinrich Walk ,  Michael Maurer ,  Thomas Knarr

IPC分类号： G01J5/00 ,  B23K1/015 ,  H01L21/205 ,  H01L21/26 ,  H01L21/66 ,  B23K10/00

CPC分类号： B23K1/015 ,  B23K2201/40

摘要： A method for Rapid Thermal Processing (RTP) is presented, wherein the broadband reflectivity of an object is measured, and the results of the measurement used by the RTP system to adjust the RTP system parameters used in processing the object.

摘要翻译： 提出了一种用于快速热处理（RTP）的方法，其中测量对象的宽带反射率，以及RTP系统使用的测量结果来调整用于处理对象的RTP系统参数。

公开(公告)号：US5359693A

公开(公告)日：1994-10-25

申请号：US913093

申请日：1992-07-14

申请人： Zsolt Nenyei ,  Thomas Knarr ,  Heinrich Walk

发明人： Zsolt Nenyei ,  Thomas Knarr ,  Heinrich Walk

IPC分类号： B01J19/12 ,  G05D23/19 ,  H01L21/268 ,  H01L21/324 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L21/2686 ,  B01J19/122 ,  G05D23/1904 ,  H01L21/324

摘要： A low defect rate is provided in rapid thermal processing of delicate components with reduction of defects caused by inhomogeneities of temperature during a rapid thermal processing. In a suitable system a defect-guarded RTP method is carried out in such a manner that the density of the heating energy is adjusted in consecutive intervals of time, which may be as short as desired, to such automatically controlled limiting values or to such fixed values that in the reaction chamber the difference between the primary and secondary energy densities is almost continuously held at the minimum which is achievable throughout the thermal processing whereas the ramps have predetermined slopes.

摘要翻译： 在快速热处理过程中，由于温度不均匀引起的缺陷减少，精密部件的快速热处理提供了低缺陷率。 在合适的系统中，以这样一种方式进行缺陷保护的RTP方法，即将加热能量的密度在所需的连续时间间隔内调节，其可以根据需要尽可能短地限制到这种自动控制的限制值或固定 在反应室中，初级和次级能量密度之间的差异几乎连续地保持在整个热处理中可实现的最小值，而斜坡具有预定的斜率。

公开(公告)号：US5580830A

公开(公告)日：1996-12-03

申请号：US387220

申请日：1995-02-13

申请人： Zsolt Nenyei ,  Helmut Merkle ,  Andreas Tillmann

发明人： Zsolt Nenyei ,  Helmut Merkle ,  Andreas Tillmann

IPC分类号： C23C16/44 ,  H01L71/324

CPC分类号： C23C16/4408 ,  C23C16/4401 ,  Y10S438/935

摘要： A reaction chamber for a Rapid Thermal Processing (RTP) system contains an aperture to allow introduction and removal of the object to be processed. The cross sectional area of the aperture is significantly less than the cross sectional area of the reaction chamber. A method of flushing the reaction chamber, using a short time laminar flow of the flush gas, is used in combination with the aperture to increase the throughput of the RTP system.

摘要翻译： 用于快速热处理（RTP）系统的反应室包含允许引入和去除被处理物体的孔。 孔的横截面积显着小于反应室的横截面面积。 使用冲洗气体的短时间层流冲洗反应室的方法与孔径结合使用以增加RTP系统的生产量。

公开(公告)号：US20100151694A1

公开(公告)日：2010-06-17

申请号：US12334425

申请日：2008-12-12

申请人： Bruce W. Peuse ,  Yaozhi Hu ,  Paul Janis Timans ,  Guangcai Xing ,  Wilfried Lerch ,  Sing-Pin Tay ,  Stephen E. Savas ,  Georg Roters ,  Zsolt Nenyei ,  Ashok Sinha

发明人： Bruce W. Peuse ,  Yaozhi Hu ,  Paul Janis Timans ,  Guangcai Xing ,  Wilfried Lerch ,  Sing-Pin Tay ,  Stephen E. Savas ,  Georg Roters ,  Zsolt Nenyei ,  Ashok Sinha

IPC分类号： H01L21/316 ,  C23C16/00

CPC分类号： H01L21/31654 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02323 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/68771

摘要： Plasma assisted low temperature radical oxidation is described. The oxidation is selective to metals or metal oxides that may be present in addition to the silicon being oxidized. Selectivity is achieved by proper selection of process parameters, mainly the ratio of H2 to O2 gas. The process window may be enlarged by injecting H2O steam into the plasma, thereby enabling oxidation of silicon in the presence of TiN and W, at relatively low temperatures. Selective oxidation is improved by the use of an apparatus having remote plasma and flowing radicals onto the substrate, but blocking ions from reaching the substrate.

摘要翻译： 描述了等离子体辅助低温自由基氧化。 除了被氧化的硅之外，氧化对于可能存在的金属或金属氧化物是选择性的。 选择性通过适当选择工艺参数来实现，主要是H2与O2气的比例。 可以通过将H 2 O蒸汽注入到等离子体中来扩大工艺窗口，从而可以在相对低的温度下在TiN和W的存在下氧化硅。 通过使用具有远离等离子体和流动基团的装置到衬底上但阻止离子到达衬底的装置来改善选择性氧化。

公开(公告)号：US06100149A

公开(公告)日：2000-08-08

申请号：US886215

申请日：1997-07-01

申请人： Zsolt Nenyei ,  Wilfried Lerch ,  Helmut Sommer

发明人： Zsolt Nenyei ,  Wilfried Lerch ,  Helmut Sommer

IPC分类号： H01L21/26 ,  H01L21/28 ,  H01L21/324 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L21/3247 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/324

摘要： A method of rapid thermal processing (RTP) of a silicon substrate is presented, where a very low partial pressure of reactive gas is used to control etching and growth of oxides on the silicon surface.

摘要翻译： 提出了一种硅衬底快速热处理（RTP）的方法，其中使用非常低的反应气体分压来控制硅表面上的氧化物的蚀刻和生长。

公开(公告)号：US07704898B2

公开(公告)日：2010-04-27

申请号：US11659587

申请日：2004-10-28

申请人： Zsolt Nenyei ,  Steffen Frigge ,  Patrick Schmid ,  Thorsten Hülsmann ,  Thomas Theiler

发明人： Zsolt Nenyei ,  Steffen Frigge ,  Patrick Schmid ,  Thorsten Hülsmann ,  Thomas Theiler

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L21/324 ,  F27B5/04 ,  F27B17/0025 ,  H01L21/67115

摘要： Disclosed is an apparatus and a method for reducing flash in an injection mold (532 or 542,543) which molds a molded article between a first mold surface and a second mold surface. The apparatus includes an active material actuator (530 or 533a and 533b or 561a and 561b) configured to, in response to application or removal of an electrical actuation signal thereto, change dimension and urge the first mold surface relative to the second mold surface to reduce flash therebetween. The apparatus also includes a transmission structure (533) configured to provide in use, the electrical actuation signal to said active material actuator (530 or 533a and 533b or 561a and 561b) includes a set of active material actuators stacked one against the other to provide a varying sealing force to urge the first mold surface relative to the second mold surface.

摘要翻译： 公开了一种用于减少在第一模具表面和第二模具表面之间模制模制品的注模（532或542,543）中的闪光的装置和方法。 该装置包括被配置为响应于施加或去除电致动信号而改变尺寸并且相对于第二模具表面推动第一模具表面以减少第一模具表面的活性材料致动器（530或533a和533b或561a和561b） 闪烁。 该设备还包括被配置为在使用中提供到所述活性材料致动器（530或533a和533b或561a和561b）的电致动信号的传输结构（533）包括一组彼此堆叠的活性材料致动器，以提供 不同的密封力以相对于第二模具表面推动第一模具表面。

公开(公告)号：US07101812B2

公开(公告)日：2006-09-05

申请号：US10386163

申请日：2003-03-10

申请人： Ignaz Eisele ,  Alexandra Ludsteck ,  Jörg Schulze ,  Zsolt Nenyei ,  Waltraud Dietl ,  Georg Roters

发明人： Ignaz Eisele ,  Alexandra Ludsteck ,  Jörg Schulze ,  Zsolt Nenyei ,  Waltraud Dietl ,  Georg Roters

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L21/0214 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02227 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02249 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02312 ,  H01L21/02326 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31662

摘要： A process for forming and/or modifying dielectric films on semiconductor substrates is disclosed. According to the present invention, a semiconductor wafer is exposed to a process gas containing a reactive component. The temperature to which the semiconductor wafer is heated and the partial pressure of the reactive component are selected so that, sometime during the process, diffusion of the reactive components occurs through the dielectric film to the film/semiconductor substrate interface. Further, diffusion also occurs of semiconductor atoms through the dielectric film to an exterior surface of the film. The process of the present invention has been found well suited to forming and/or modifying very thin dielectric films, such as films having a thickness of less than 8 nm.

摘要翻译： 公开了一种用于在半导体衬底上形成和/或修饰电介质膜的工艺。 根据本发明，半导体晶片暴露于含有反应成分的工艺气体中。 选择加热半导体晶片的温度和反应性组分的分压，使得在该过程的某个时间，反应组分的扩散通过电介质膜发生到膜/半导体衬底界面。 此外，通过电介质膜的半导体原子也发生到膜的外表面的扩散。 已经发现本发明的方法非常适合于形成和/或改性非常薄的电介质膜，例如厚度小于8nm的膜。

公开(公告)号：US08236706B2

公开(公告)日：2012-08-07

申请号：US12334425

申请日：2008-12-12

申请人： Bruce W. Peuse ,  Yaozhi Hu ,  Paul Janis Timans ,  Guangcai Xing ,  Wilfried Lerch ,  Sing-Pin Tay ,  Stephen E. Savas ,  Georg Roters ,  Zsolt Nenyei ,  Ashok Sinha

发明人： Bruce W. Peuse ,  Yaozhi Hu ,  Paul Janis Timans ,  Guangcai Xing ,  Wilfried Lerch ,  Sing-Pin Tay ,  Stephen E. Savas ,  Georg Roters ,  Zsolt Nenyei ,  Ashok Sinha

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC分类号： H01L21/31654 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02323 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/68771

摘要： Plasma assisted low temperature radical oxidation is described. The oxidation is selective to metals or metal oxides that may be present in addition to the silicon being oxidized. Selectivity is achieved by proper selection of process parameters, mainly the ratio of H2 to O2 gas. The process window may be enlarged by injecting H2O steam into the plasma, thereby enabling oxidation of silicon in the presence of TiN and W, at relatively low temperatures. Selective oxidation is improved by the use of an apparatus having remote plasma and flowing radicals onto the substrate, but blocking ions from reaching the substrate.

摘要翻译： 描述了等离子体辅助低温自由基氧化。 除了被氧化的硅之外，氧化对于可能存在的金属或金属氧化物是选择性的。 选择性通过适当选择工艺参数来实现，主要是H2与O2气的比例。 可以通过将H 2 O蒸汽注入到等离子体中来扩大工艺窗口，从而可以在相对低的温度下在TiN和W的存在下氧化硅。 通过使用具有远离等离子体和流动基团的装置到衬底上但阻止离子到达衬底的装置来改善选择性氧化。

公开(公告)号：US07977258B2

公开(公告)日：2011-07-12

申请号：US11784503

申请日：2007-04-06

申请人： Zsolt Nenyei ,  Paul J. Timans ,  Wilfried Lerch ,  Jüergen Niess ,  Manfred Falter ,  Patrick Schmid ,  Conor Patrick O'Carroll ,  Rudy Cardema ,  Igor Fidelman ,  Sing-Pin Tay ,  Yao Zhi Hu ,  Daniel J. Devine

发明人： Zsolt Nenyei ,  Paul J. Timans ,  Wilfried Lerch ,  Jüergen Niess ,  Manfred Falter ,  Patrick Schmid ,  Conor Patrick O'Carroll ,  Rudy Cardema ,  Igor Fidelman ,  Sing-Pin Tay ,  Yao Zhi Hu ,  Daniel J. Devine

IPC分类号： H01L21/00 ,  F27B9/14

CPC分类号： H01L21/67115

摘要： Process and system for processing wafer-shaped objects, such as semiconductor wafers is disclosed. In accordance with the present disclosure, a multiple of two wafers are processed in a thermal processing chamber. The thermal processing chamber is in communication with at least one heating device for heating the wafers. The wafers are placed in the thermal processing chamber in a face-to-face configuration or in a back-to-back configuration.

摘要翻译： 公开了用于处理诸如半导体晶片的晶片状物体的工艺和系统。 根据本公开，在热处理室中处理两个晶片的倍数。 热处理室与用于加热晶片的至少一个加热装置连通。 将晶片以面对面配置或背对背配置放置在热处理室中。