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    オキサジン化合物、組成物及び硬化物
    41.
    发明申请
    オキサジン化合物、組成物及び硬化物 审中-公开
    恶嗪化合物，组合物和固化产物

    公开(公告)号：WO2017104294A1

    公开(公告)日：2017-06-22

    申请号：PCT/JP2016/083039

    申请日：2016-11-08

    申请人： DIC株式会社

    发明人： 大津理人 ,  下野智弘 ,  有田和郎 ,  山口純司

    IPC分类号： C07D265/16 ,  B32B27/42 ,  C08G14/073 ,  C08L61/34 ,  H01L23/14 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31

    CPC分类号： B32B27/42 ,  C07D265/16 ,  C08L61/34 ,  H01L23/14 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31

    摘要： 本発明は芳香環構造と、複数の特定された炭素－炭素間二重結合構造を有する基を有することを特徴とするオキサジン化合物を提供することで課題を解決する。　また本発明は、本発明のオキサジン化合物を含有する組成物、該組成物を含有する硬化物、該硬化物層を有する積層体を提供する。また、本発明は、本発明のオキサジン化合物を含有する組成物を含有することを特徴とする耐熱材料用組成物、および電子材料用組成物を提供することで課題を解決する。

    摘要翻译： 本发明通过提供特征在于具有芳环结构和具有多个特定碳 - 碳双键结构的基团的恶嗪化合物解决了该问题 。 本发明还提供含有本发明的恶嗪化合物的组合物，含有该组合物的固化物，以及具有该固化物层的层叠体。 本发明还通过提供用于耐热材料的组合物和用于电子材料的组合物来解决上述问题，其特征在于含有含有本发明的恶嗪化合物的组合物。

    SCHALTUNGSTRÄGER, LEISTUNGSELEKTRONIKANORDNUNG MIT EINEM SCHALTUNGSTRÄGER
    43.
    发明申请
    SCHALTUNGSTRÄGER, LEISTUNGSELEKTRONIKANORDNUNG MIT EINEM SCHALTUNGSTRÄGER 审中-公开
    电路载体，具有电路载波功率电子电路装置

    公开(公告)号：WO2017032581A1

    公开(公告)日：2017-03-02

    申请号：PCT/EP2016/068859

    申请日：2016-08-08

    申请人： CONTINENTAL AUTOMOTIVE GMBH

    发明人： MATTMANN, Erich ,  BERGMANN, Sabine ,  BREY, Roland ,  RITTSTIEG, Soeren

    IPC分类号： H01L23/373 ,  H01L23/14

    CPC分类号： H01L23/3735 ,  C23C24/04 ,  C23C28/321 ,  H01L23/492 ,  H01L23/49568 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2924/00014

    摘要： Offenbart wird ein Schaltungsträger (ST) zum Halten mindestens eines elektrischen Leistungsbauelements (BE), umfassend: - einen Kühlkörper (KK) zum Halten und zum Kühlen des Leistungsbauelements (BE), der eine Oberfläche (OF1) aufweist; - eine Kupferschicht (KS) zur mechanischen Verbindung des Kühlkörpers (KK) mit mindestens einer Kupferplatte (KP), wobei die Kupferschicht (KS) aus Kupfer oder einer Kupferlegierung besteht und auf der Oberfläche (OF1) des Kühlkörpers (KK) kaltgasgespritzt oder gesintert ist; - mindestens eine Kupferplatte (KP) zur mechanischen und elektrischen Verbindung des Leistungsbauelements (BE) mit der Kupferschicht (KS), wobei die Kupferplatte (KP) aus Kupfer oder einer Kupferlegierung besteht und unmittelbar auf einer von dem Kühlkörper (KK) abgewandten Oberfläche (OF2) der Kupferschicht (KS) angeordnet ist und mit der Kupferschicht (KS) flächig, mechanisch und elektrisch leitend verbunden ist.

    摘要翻译： 公开了一种用于保持至少一个电力设备（BE），其包括一个电路托架（ST）： - 散热器（KK），用于保持和用于冷却具有表面（OF1）功率器件（BE）; - 用于将散热器的（KK）与至少一个铜板（KP）的机械连接，其中，所述散热片的铜的铜层（KS）或铜合金，以及在表面上（OF1）（KK）的冷气体喷射或烧结的铜层（KS） ; - 为对功率器件（BE）与所述铜层（KS）的机械和电连接的至少一个铜板（KP），所述铜板（KP）由铜或铜合金制成的，并直接背对所述散热器（KK）表面中的一个（OF2 ）铜层（KS），和（与铜层KS）的是二维的，机械和电连接。

    電子デバイスおよびその製造方法
    45.
    发明申请
    電子デバイスおよびその製造方法 审中-公开
    电子设备及其制造方法

    公开(公告)号：WO2016181958A1

    公开(公告)日：2016-11-17

    申请号：PCT/JP2016/063841

    申请日：2016-05-10

    申请人： 学校法人早稲田大学

    发明人： 藤枝　俊宣 ,  岡本　麻鈴 ,  山岸　健人 ,  村田　篤 ,  武岡　真司 ,  岩瀬　英治 ,  黒飛　みずほ ,  岩田　浩康

    IPC分类号： H01L23/14 ,  H01L21/60 ,  H01L23/12 ,  H05K1/03

    CPC分类号： G06F1/1613 ,  H01L23/12 ,  H01L23/14 ,  H01L23/31 ,  H01L25/065 ,  H05K1/0283 ,  H05K1/097 ,  H05K1/189 ,  H05K3/0014 ,  H05K2201/0145 ,  H05K2201/0154 ,  H05K2201/0158

    摘要： 皮膚等の生体組織を含む貼付対象物２に対して追従性が高くかつ密着性が良く、さらには電子素子４と導電配線５との接続にハンダ付け等を一切用いることなく形成される、高分子ナノシート３を用いた電子デバイス１およびその製造方法を提供する。　電子素子４と、前記電子素子４に密着した高分子ナノシート３とを含む構成とし、特に、前記高分子ナノシート３は、前記電子素子４の１面全体を覆うように密着している構成とした。前記高分子ナノシート３の厚さは１μｍ未満であることが好ましい。さらに、前記高分子ナノシー３上に、前記電子素子４と電気的に接続する導電配線５、および、前記電子素子４に電力を供給する電源７が形成されてもよい。

    摘要翻译： 提供：其中使用聚合物纳米片3的电子器件1，所述器件与包括皮肤或另一种这样的生物组织的被附着物体2具有良好的一致性和优异的粘附性，并且所述器件形成为不使用 在电子元件4和导电线5之间的连接中的任何焊料等; 及其制造方法。 本发明被配置为包括电子元件4和结合到电子元件4的聚合物纳米片3.特别地，聚合物纳米片3被构造成结合到电子元件4，使得整个表面 电子元件4被覆盖。 聚合物纳米片3优选小于1μm厚。 此外，可以在聚合物纳米片3上形成电连接到电子元件的导电线5和用于向电子器件4供电的电源7。

    宽禁带半导体器件及其制备方法
    47.
    发明申请
    宽禁带半导体器件及其制备方法 审中-公开

    公开(公告)号：WO2016019720A1

    公开(公告)日：2016-02-11

    申请号：PCT/CN2015/072909

    申请日：2015-02-12

    申请人： 台州市一能科技有限公司 ,  星野政宏

    发明人： 星野政宏 ,  张乐年

    IPC分类号： H01L23/14

    CPC分类号： H01L23/147 ,  H01L23/13 ,  H01L23/3675 ,  H01L23/3736 ,  H01L23/488 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L29/1608 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/8384

    摘要： 一种宽禁带半导体器件及其制作方法，属于半导体制备技术领域。它解决了现有宽禁带半导体器件中易受热膨胀影响的问题。宽禁带半导体器件包括使用宽禁带半导体材料为衬底的芯片（1）和使用宽禁带半导体材料制成的底座（2），并在所述的底座上设有放置芯片的凹槽结构（4）。还提供了一种制作宽禁带半导体器件的方法。宽禁带半导体器件的芯片衬底和底座均采用宽禁带半导体材料制成，能够达到快速散热的目的；同时由于热膨胀系数和散热系数基本相同，因此不需要在底部或者附属配件上增加调整热膨胀系数的各种材料，极大的简化了宽禁带半导体器件结构，减小了热膨胀的影响，提高了稳定性。

    AIR CAVITY PACKAGES HAVING CONDUCTIVE BASE PLATES
    49.
    发明申请
    AIR CAVITY PACKAGES HAVING CONDUCTIVE BASE PLATES 审中-公开
    具有导电基板的AIR CAVITY包装

    公开(公告)号：WO2015030699A3

    公开(公告)日：2015-08-20

    申请号：PCT/US2013048462

    申请日：2013-06-28

    申请人： MATERION CORP

    发明人： WITYAK GEORGE MICHAEL ,  KOBA RICHARD

    IPC分类号： H01L23/06 ,  H01L23/12 ,  H01L23/14

    CPC分类号： H01L23/3736 ,  H01L23/10 ,  H01L23/142 ,  H01L23/3733 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： A high thermal conductivity base plate is provided for use in air cavity packages. The base plate is at least partially comprised of reinforced silver composite. The composite can include a matrix of pure silver or a silver alloy and reinforcement particles. The reinforcement particles can include high thermal conductivity, low CTE particles selected from the group consisting of diamond, cubic boron nitride (c-BN), silicon carbide (SiC), and any combinations thereof. In some embodiments, the base plate is entirely comprised of the composite. In other embodiments, the base plate has a core made of the composite. The core can include at least one outer layer on the core. The semiconductor package can include one or more dice or transistors on the base plate, an insulated frame on the base plate, and one or more leads on the insulated frame.

    摘要翻译： 提供了一种用于气腔封装的高导热性底板。 基板至少部分地由增强的银复合材料构成。 复合材料可以包括纯银或银合金的基体和增强颗粒。 增强颗粒可以包括高导热性，选自金刚石，立方氮化硼（c-BN），碳化硅（SiC）及其任何组合的低CTE颗粒。 在一些实施例中，基板完全由复合材料构成。 在其他实施例中，基板具有由复合材料制成的芯。 芯可以包括芯上的至少一个外层。 半导体封装可以包括基板上的一个或多个骰子或晶体管，基板上的绝缘框架，以及绝缘框架上的一个或多个引线。