公开(公告)号：WO2007043380A1

公开(公告)日：2007-04-19

申请号：PCT/JP2006/319691

申请日：2006-10-02

申请人： アルプス電気株式会社 ,  三森 健一

发明人： 三森 健一

IPC分类号： C23C18/18 ,  H05K3/18

CPC分类号： C23C18/30 ,  C23C18/1605 ,  C23C18/1696 ,  C23C18/1889 ,  C23C18/208 ,  C23C18/285 ,  C23C18/405 ,  H05K3/185 ,  H05K2203/0315 ,  H05K2203/1157

摘要： 【課題】　無電解めっき方法を可能にするための触媒層を、パラジウムを用いることなく、安価で、簡易な工程により形成することができる。 【解決手段】　錫化合物を含む錫化合物水溶液に基材を接触させる錫処理工程と、錫処理工程の後、銅化合物を含む銅化合物水溶液に基材１を接触させる銅処理工程と、銅処理工程の後、基材１を希硫酸に接触させる希硫酸処理工程と、希硫酸処理工程の後、基材１を銅めっき液に接触させて銅めっき膜２を形成するめっき処理工程と、めっき処理工程の後、基材１を、実質的に酸素および水素を含まない雰囲気内において加熱する熱処理工程とを有する。

摘要翻译： [问题]以低成本和简单的方法生产无电解镀层的催化剂层，而不需要使用钯。 用于解决问题的方法一种催化剂处理方法，包括：锡处理步骤，其中使基材（1）与含有锡化合物的锡化合物水溶液接触; 使基板（1）与含有铜化合物的铜化合物水溶液接触的铜处理工序; 使稀释硫酸与基质（1）接触的稀硫酸处理工序; 电镀工序，其中使基板（1）与镀铜液接触以形成镀铜膜（2）; 和基板（1）在基本上不含氧和氢气的气氛中被加热的热处理步骤。

公开(公告)号：WO2005014881A2

公开(公告)日：2005-02-17

申请号：PCT/JP2004/011642

申请日：2004-08-06

申请人： SHOWA DENKO K.K. ,  KOJIMA, Tadaaki ,  TAGUCHI, Hiroyasu

发明人： KOJIMA, Tadaaki ,  TAGUCHI, Hiroyasu

IPC分类号： C23C18/16

CPC分类号： C23C18/1696 ,  C23C18/1651 ,  C23C18/1653 ,  C23C18/1689 ,  C23C18/1834 ,  C23C18/1855 ,  C23C18/1882 ,  C23C18/2013 ,  C23C18/22 ,  C23C18/32 ,  C25D3/08 ,  C25D5/48 ,  F28F13/18 ,  F28F2245/06

摘要： A method for producing a substrate with black film is provided, comprising forming a dull plating film on a surface of a substrate, forming an electroless plating film containing a sulfur or nitrogen compound on the surface of the plating film, and forming a black film on the surface of the electroless plating film. This substrate with black film is used for devices which generate heat due to sliding or friction or generate/ accumulate heat due to a chemical reaction, such as semiconductor device, vacuum device, rotating device and heat exchanger, and the black film has excellent heat radiating properties with an emissivity of 0.8 or more. Also, this substrate with black film has high corrosion resistance against halogen-type corrosive gases and exhibits excellent release gas properties and corrosion resistance in vacuum devices.

摘要翻译： 提供了一种用于制造具有黑膜的基板的方法，该方法包括在基板的表面上形成无光镀膜，在该镀层的表面上形成含有硫或氮化合物的无电镀膜 在无电解镀膜的表面上形成黑色膜。 该具有黑色膜的基板用于半导体装置，真空装置，旋转装置，热交换器等由于滑动或摩擦而发热或因化学反应而产生蓄热的装置，具有优异的散热性 发射率为0.8或更高的特性。 而且，这种带有黑色膜的基材对卤素类腐蚀性气体具有高耐腐蚀性，并且在真空装置中表现出优异的释放气体性质和耐腐蚀性。

公开(公告)号：WO01020647A3

公开(公告)日：2002-01-17

申请号：PCT/US2000/025142

申请日：2000-09-13

IPC分类号： C25D3/02 ,  C23C28/00 ,  C25D5/10 ,  C25D7/12 ,  H01L21/288 ,  H01L21/304 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  C25D3/38

CPC分类号： C25D5/00 ,  C23C18/1608 ,  C23C18/165 ,  C23C18/1651 ,  C23C18/1653 ,  C23C18/1696 ,  C23C18/1848 ,  C23C18/31 ,  C25D5/02 ,  C25D5/10 ,  C25D5/22 ,  C25D5/34 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76871 ,  H01L21/76874 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76885 ,  H01L24/11 ,  H01L2221/1089 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/0106 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/3011

摘要： This invention relates to a method for fabricating high performance chip interconnects and packages by providing methods for depositing a conductive material in cavities of a substrate in a more efficient and time saving manner. This is accomplished by selectively removing portions of a seed layer from a top surface of a substrate and then depositing a conductive material in the cavities of the substrate, where portions of the seed layer remains in the cavities. Another method includes forming an oxide layer on the top surface of the substrate such that the conductive material can be deposited in the cavities without the material being formed on the top surface of the substrate. The present invention also discloses methods for forming multi-level interconnects and the corresponding structures.

摘要翻译： 本发明涉及一种制造高性能芯片互连和封装的方法，该方法通过提供以更高效和省时的方式在衬底的腔中沉积导电材料的方法。 这是通过从衬底的顶表面选择性地去除种子层的部分，然后在衬底的空腔中沉积导电材料，其中种子层的部分保留在空腔中。 另一种方法包括在衬底的顶表面上形成氧化物层，使得导电材料可以沉积在空腔中，而不会在衬底的顶表面上形成材料。 本发明还公开了用于形成多级互连的方法和相应的结构。

公开(公告)号：WO0120647A2

公开(公告)日：2001-03-22

申请号：PCT/US0025142

申请日：2000-09-13

申请人： NUTOOL INC

发明人： UZOH CYPRIA EMEKA ,  TALIEH HOMAYOUN ,  BASOL BULENT

IPC分类号： C25D3/02 ,  C23C28/00 ,  C25D5/10 ,  C25D7/12 ,  H01L21/288 ,  H01L21/304 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  H01L21/00

CPC分类号： C25D5/00 ,  C23C18/1608 ,  C23C18/165 ,  C23C18/1651 ,  C23C18/1653 ,  C23C18/1696 ,  C23C18/1848 ,  C23C18/31 ,  C25D5/02 ,  C25D5/10 ,  C25D5/22 ,  C25D5/34 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76871 ,  H01L21/76874 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76885 ,  H01L24/11 ,  H01L2221/1089 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/0106 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/3011

摘要： This invention relates to a method for fabricating high performance chip interconnects and packages by providing methods for depositing a conductive material in cavities of a substrate in a more efficient and time saving manner. This is accomplished by selectively removing portions of a seed layer from a top surface of a substrate and then depositing a conductive material in the cavities of the substrate, where portions of the seed layer remains in the cavities. Another method includes forming an oxide layer on the top surface of the substrate such that the conductive material can be deposited in the cavities without the material being formed on the top surface of the substrate. The present invention also discloses methods for forming multi-level interconnects and the corresponding structures.

摘要翻译： 本发明涉及一种制造高性能芯片互连和封装的方法，该方法通过提供以更高效和省时的方式在衬底的腔中沉积导电材料的方法。 这是通过从衬底的顶表面选择性地去除种子层的部分，然后在衬底的空腔中沉积导电材料，其中种子层的部分保留在空腔中。 另一种方法包括在衬底的顶表面上形成氧化物层，使得导电材料可以沉积在空腔中，而不会在衬底的顶表面上形成材料。 本发明还公开了用于形成多级互连的方法和相应的结构。

公开(公告)号：WO2014128420A1

公开(公告)日：2014-08-28

申请号：PCT/FR2014/050365

申请日：2014-02-21

申请人： ALCHIMER

发明人： MEVELLEC, Vincent ,  SUHR, Dominique

IPC分类号： C23C18/18 ,  C23C18/16 ,  C23C18/34 ,  C23C18/36 ,  H01L21/28 ,  H01L21/288 ,  C23C18/54

CPC分类号： H01L21/28518 ,  C23C18/1607 ,  C23C18/1639 ,  C23C18/1642 ,  C23C18/1692 ,  C23C18/1696 ,  C23C18/1879 ,  C23C18/1882 ,  C23C18/34 ,  C23C18/36 ,  C23C18/54 ,  H01L21/28052 ,  H01L21/288 ,  H01L21/32053 ,  H01L31/022425

摘要： L'invention a pour objet un procédé formation de siliciure de nickel ou de siliciure de cobalt comprenant les étapes consistant à : - exposer la surface d'un substrat comprenant du silicium avec une solution aqueuse contenant 0.1 mM à 10 mM d'ions or et 0.6 M à 3.0 M d'ions fluor pendant une durée comprise entre 5 secondes et 5 minutes, - déposer par voie electroless sur le substrat activé une couche constituée essentiellement de nickel ou de cobalt, - appliquer un traitement thermique rapide à une température comprise entre 300°C et 750°C, de manière à former le siliciure de nickel ou le siliciure de cobalt. La solution aqueuse contient un agent tensio-actif choisi parmi les composés comprenant au moins un groupement polaire anionique ou non ionique et une chaîne alkyle comprenant de 10 à 16 atomes de carbone. Ce procédé trouve essentiellement application dans la fabrication de mémoires NAND et de cellules photovoltaïques.

摘要翻译： 本发明涉及一种形成硅化镍或硅化钴的方法，包括以下步骤： - 将包含硅的衬底的表面暴露于含有0.1mM至10mM的金离子和0.6M至3.0M的氟离子的水溶液中，用于 时间为5秒至5分钟， - 通过无电镀方法将基本上由镍或钴组成的层沉积在活化的基底上， - 在300℃和750℃之间的温度下进行快速热处理，因此 以形成硅化镍或硅化钴。 水溶液含有选自包含至少一个阴离子或非离子极性基团和包含10至16个碳原子的烷基链的化合物的表面活性剂。 该方法本质上可以应用于NAND存储器和光伏电池的生产。

公开(公告)号：WO2009057819A1

公开(公告)日：2009-05-07

申请号：PCT/JP2008/070246

申请日：2008-10-30

申请人： JFEスチール株式会社 ,  佐藤伸行 ,  菅野高広 ,  山上洋樹 ,  福井隆之

发明人： 佐藤伸行 ,  菅野高広 ,  山上洋樹 ,  福井隆之

IPC分类号： C23C2/26 ,  C23C2/36

CPC分类号： C21D9/561 ,  B05B15/00 ,  B05C3/125 ,  B05C11/1015 ,  C23C2/003 ,  C23C2/06 ,  C23C2/26 ,  C23C2/40 ,  C23C18/1696

摘要： 溶融亜鉛めっき鋼板の製造設備は、溶融亜鉛メッキ装置と、調質圧延機と、酸性溶液接触装置と、洗浄装置が連設され、前記酸性溶液接触装置と前記洗浄装置は間隔を設けて配置され、この間隔内には絶対湿度を制御する手段が設けられている。該絶対湿度の制御手段としては、鋼板の上下面および両側面を覆い、かつ、鋼板が貫通可能なカバーと、前記カバー内に、水蒸気又は乾燥空気を吹き込む吹き込み手段と、温度と相対湿度、又は露点を測定する測定手段を設けることが例示できる。この溶融亜鉛めっき鋼板の製造設備により、溶融亜鉛めっき鋼板表面に鋼板表面の外観を損なわず必要な酸化膜を安定して確実に形成させることができる。

摘要翻译： 本发明提供一种热浸镀锌钢板的制造装置，其特征在于，包括连续安装的热浸镀锌装置，回火轧机，酸性溶液接触装置和清洗装置。 提供酸性溶液接触装置和清洁装置，同时在其间提供空间。 在空间中设置用于控制绝对湿度的装置。 用于控制绝对湿度的装置的实例包括覆盖钢板的上表面和下表面以及两侧的盖子，钢板可以通过该盖板，用于将水蒸气或干燥空气喷射到盖子中的喷洒装置 ，以及用于测量温度和相对湿度或测量露点的装置。 用于制造热浸镀锌钢板的设备可以在不牺牲钢板表面的外观的情况下，在热浸镀锌钢板的表面上稳定可靠地形成必要的氧化膜。

公开(公告)号：WO2006057788A1

公开(公告)日：2006-06-01

申请号：PCT/US2005/039882

申请日：2005-11-03

申请人： THE GILLETTE COMPANY ,  BUCKLE, Keith ,  WHITE, Leo ,  PAPPAS, David L.

发明人： BUCKLE, Keith ,  WHITE, Leo ,  PAPPAS, David L.

IPC分类号： H01M2/02 ,  C25D5/50

CPC分类号： H01M2/0257 ,  C23C18/1696 ,  C25D5/50 ,  H01M2/0222 ,  H01M2/0287 ,  H01M2/0292 ,  H01M12/06 ,  Y10T29/49108 ,  Y10T29/49115

摘要： A zinc-air cell with an anode cup comprising anode active material and a cathode cup comprising catalytic or cathode active material wherein the cathode cup comprises an exposed nickel layer which has been softened to improve electrical contact with the device being powered such as a hearing aid. A cathode cup in desired shape and size is formed of a substrate metal such as cold rolled steel or stainless steel. A nickel layer is plated onto the cathode cup substrate metal and is subsequently heat treated resulting in reduction in the surface hardness of the nickel layer. This improves the reliability of the electrical contact between the cathode cup and the corresponding terminal in the hearing aid or other device being powered.

摘要翻译： 一种具有阳极杯的锌空气电池，包括负极活性材料和包含催化剂或阴极活性材料的阴极杯，其中阴极杯包括已被软化以暴露的镍层，以改善与被供电装置的电接触，例如助听器 。 所需形状和尺寸的阴极杯由诸如冷轧钢或不锈钢的基底金属形成。 将镍层电镀到阴极杯基底金属上，随后进行热处理，从而降低镍层的表面硬度。 这提高了在助听器或其他被供电的设备中阴极杯和相应的端子之间的电接触的可靠性。

公开(公告)号：WO2005014881A3

公开(公告)日：2005-04-21

申请号：PCT/JP2004011642

申请日：2004-08-06

申请人： SHOWA DENKO KK ,  KOJIMA TADAAKI ,  TAGUCHI HIROYASU

发明人： KOJIMA TADAAKI ,  TAGUCHI HIROYASU

IPC分类号： C23C18/16 ,  C23C18/18 ,  C23C18/31 ,  C23C18/32 ,  C25D3/08 ,  C25D5/48 ,  F28F13/18

CPC分类号： C23C18/1696 ,  C23C18/1651 ,  C23C18/1653 ,  C23C18/1689 ,  C23C18/1834 ,  C23C18/1855 ,  C23C18/1882 ,  C23C18/2013 ,  C23C18/22 ,  C23C18/32 ,  C25D3/08 ,  C25D5/48 ,  F28F13/18 ,  F28F2245/06

摘要： A method for producing a substrate with black film is provided, comprising forming a dull plating film on a surface of a substrate, forming an electroless plating film containing a sulfur or nitrogen compound on the surface of the plating film, and forming a black film on the surface of the electroless plating film. This substrate with black film is used for devices which generate heat due to sliding or friction or generate/ accumulate heat due to a chemical reaction, such as semiconductor device, vacuum device, rotating device and heat exchanger, and the black film has excellent heat radiating properties with an emissivity of 0.8 or more. Also, this substrate with black film has high corrosion resistance against halogen-type corrosive gases and exhibits excellent release gas properties and corrosion resistance in vacuum devices.

摘要翻译： 提供一种用黑色膜制造衬底的方法，包括在衬底的表面上形成钝的镀膜，在镀膜的表面上形成含有硫或氮化合物的化学镀膜，并在其上形成黑色膜 化学镀膜的表面。 这种具有黑色膜的基板用于由于滑动或摩擦而产生热量或由于化学反应产生/积聚的装置，例如半导体装置，真空装置，旋转装置和热交换器，并且黑色膜具有优异的散热性 发射率为0.8以上的性质。 此外，这种具有黑色膜的基板对卤素型腐蚀性气体具有高耐腐蚀性，并且在真空装置中表现出优异的脱模气体性能和耐腐蚀性。

公开(公告)号：WO2013031483A1

公开(公告)日：2013-03-07

申请号：PCT/JP2012/069872

申请日：2012-08-03

申请人： 株式会社豊田中央研究所 ,  山田 由香 ,  松岡 秀明 ,  鈴木 憲一 ,  北原 学

发明人： 山田　由香 ,  松岡　秀明 ,  鈴木　憲一 ,  北原　学

IPC分类号： C23C18/36

CPC分类号： C23C18/36 ,  C22C21/00 ,  C22C21/06 ,  C23C18/1651 ,  C23C18/1692 ,  C23C18/1696 ,  C23C18/1844 ,  C23C18/1893 ,  C23C18/54 ,  C25D5/40 ,  C25D5/50

摘要： 　アルミニウム合金製耐摩耗性部材を提供する。本発明のアルミニウム合金製耐摩耗性部材は、アルミニウム合金からなる基体と、この基体の少なくとも一部の表面を被覆する被覆層とからなり、アルミニウム合金は４００℃の大気圧雰囲気中に１０時間保持した後に室温状態で測定した残留硬さが１２０Ｈｖ以上あり、被覆層はＮｉとＮｉ ３ Ｐからなる結晶質Ｎｉ－Ｐ層であることを特徴とする。この結晶質Ｎｉ－Ｐ層は、無電解Ｎｉ－Ｐめっきによって基体の表面上に形成されたＮｉ－Ｐめっき層を例えば３００℃以上で加熱することにより得られる。また結晶質Ｎｉ－Ｐ層には、圧縮残留応力が付与されている。そしてアルミニウム合金がＦｅを１～７％含むと、密着性に優れた結晶質Ｎｉ－Ｐ層が得られて好ましい。

摘要翻译： 提供由铝合金制成的耐磨构件。 根据本发明的由铝合金制成的耐磨构件包括包含铝合金的基底和涂覆至基底表面的至少一部分的涂层，耐磨构件的特征在于， 该铝合金在400℃下将铝合金保持在空气气氛中10小时后，在室温下测定的残留硬度为120Hv以上，涂层为包含Ni和Ni3P的结晶Ni-P层。 通过在例如300℃以上的温度下，通过无电镀Ni-P电镀将形成在基材表面上的Ni-P镀层加热来制造结晶性Ni-P层。 结晶Ni-P层赋予压缩残余应力。 优选的是，由于可以制造具有优异粘合性的结晶Ni-P层，所以铝合金含有1〜7％的Fe。

公开(公告)号：WO2012171120A1

公开(公告)日：2012-12-20

申请号：PCT/CA2012/050394

申请日：2012-06-12

申请人： MONNAIE ROYALE CANADIENNE / ROYAL CANADIAN MINT ,  TRUONG, Hieu, Cong ,  NGUYEN, Toan, Dinh ,  WEBER, Dennis, Herman

发明人： TRUONG, Hieu, Cong ,  NGUYEN, Toan, Dinh ,  WEBER, Dennis, Herman

IPC分类号： C23C18/18

CPC分类号： B32B15/015 ,  C21D9/0068 ,  C22F1/08 ,  C23C18/1696 ,  C23C18/1698 ,  C23C18/1817 ,  C25D5/36 ,  C25D5/50 ,  C25D7/005 ,  Y10T428/12937

摘要： A method is described for plating metal or alloy blanks. The method includes heating the metal or alloy blanks at a recrystallization temperature sufficient to soften the steel for minting; plating the softened metal or alloy blanks with one or more layers of metal or alloy; and heating the plated blanks at a temperature sufficient to reduce plating stresses but below the recrystallization temperature of the outermost plating layer.

摘要翻译： 描述了电镀金属或合金坯料的方法。 该方法包括在足以使钢软化的再结晶温度下加热金属或合金坯料以进行铸造; 用一层或多层金属或合金电镀软化的金属或合金坯料; 并在足以降低电镀应力但低于最外镀层的再结晶温度的温度下加热电镀坯料。