公开(公告)号：WO2014082451A1

公开(公告)日：2014-06-05

申请号：PCT/CN2013/079013

申请日：2013-07-08

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  黄芊芊 ,  邱颖鑫 ,  詹瞻 ,  王阳元

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/42376 ,  H01L21/266 ,  H01L21/28114 ,  H01L21/324 ,  H01L29/66356 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/7311 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/7816

Abstract: 一种带双扩散的条形栅调制型隧穿场效应晶体管（TFET）及其制备方法，属于CMOS场效应晶体管逻辑器件与电路领域。隧穿场效应晶体管包括一个半导体衬底（1）、一个高掺杂源区（7）、一个高掺杂漏区（6），一个双扩散源区（5）、一个栅介质层（2）和一个控制栅（3），控制栅（3）为栅长大于栅宽的条形结构，控制栅（3）的一侧与高掺杂漏区（6）连接，控制栅（3）的另一侧向高掺杂源区（7）横向延伸，位于控制栅（3）下的区域为沟道区，控制栅（3）的栅宽小于2倍的源耗尽层宽度，双扩散源区（5）和高掺杂源区（7）的掺杂区域一致，双扩散源区（5）和高掺杂漏区（6）的掺杂类型一致，位于高掺杂源区（7）部分的控制栅下的沟道区有双扩散源掺杂杂质。这种TFET器件的性能得到提高且制备方法简单。

公开(公告)号：WO2012017746A1

公开(公告)日：2012-02-09

申请号：PCT/JP2011/064060

申请日：2011-06-20

Applicant: 株式会社日立製作所 ,  久本 大 ,  斎藤 慎一 ,  島 明生 ,  吉元 広行

Inventor： 久本　大 ,  斎藤　慎一 ,  島　明生 ,  吉元　広行

IPC: H01L21/8249 ,  H01L21/331 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/8244 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L27/11 ,  H01L27/115 ,  H01L29/66 ,  H01L29/732 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC classification number: H01L27/1203 ,  G11C11/412 ,  G11C16/0408 ,  H01L21/8249 ,  H01L21/84 ,  H01L23/535 ,  H01L27/0623 ,  H01L27/0705 ,  H01L27/092 ,  H01L27/1025 ,  H01L27/1026 ,  H01L27/11 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11568 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0804 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/0895 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7311 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 　これまでのＭＯＳＦＥＴと同等の集積性を維持しながら、ＭＯＳＦＥＴに比べて優れたスイッチング特性をもつ、すなわち、室温においてＳ値が６０ｍＶ／桁より小さな値をもつ半導体素子を提供する。ＭＯＳＦＥＴと、トンネル接合を有するトンネルバイポーラトランジスタを組み合わせることにより、低電圧であっても、ゲート電位変化に対してドレイン電流が急峻な変化（Ｓ値が６０ｍＶ／桁よりも小さい）を示す半導体素子を構成する。

Abstract translation: 提供了与MOSFET相比，具有与常规MOSFET相同的可集成性的半导体元件，即在室温下S值小于60mV /次的优异的开关特性。 通过组合MOSFET和具有隧道结的隧道双极型晶体管，配置了相对于栅极电压的变化（S值小于60mV /次）显示出漏电流的突然变化的半导体元件， 即使在低电压。

公开(公告)号：WO2006076991A2

公开(公告)日：2006-07-27

申请号：PCT/EP2005/056641

申请日：2005-12-09

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG ,  KAKOSCHKE, Ronald ,  TEWS, Helmut

Inventor： KAKOSCHKE, Ronald ,  TEWS, Helmut

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/08 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/823418 ,  H01L21/2815 ,  H01L27/088 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66553 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7311 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7835

Abstract: Erläutert wird unter anderem ein Verfahren zum Herstellen eines Tunnel-Feldeffekttransistors (T1). Anschlussbereiche (28, 80) von verschiedenem Dotiertyp werden mit selbstausrichtenden Implantationsverfahren erzeugt.

Abstract translation: 描述了一种方法，除其他外，（T1），用于产生隧道场效应晶体管。 不同掺杂类型的终端部分（28，80）中产生具有自对准注入方法。

公开(公告)号：WO2012021189A1

公开(公告)日：2012-02-16

申请号：PCT/US2011/035861

申请日：2011-05-10

Applicant: THE STATE OF OREGON ACTING BY AND THROUGH THE STATE BOARD OF HIGHER EDUCATION ON BEHALF OF OREGON STATE UNIVERSITY ,  COWELL, E., William ,  WAGER, John, F. ,  GIBBONS, Brady, J. ,  KESZLER, Douglas, A.

Inventor： COWELL, E., William ,  WAGER, John, F. ,  GIBBONS, Brady, J. ,  KESZLER, Douglas, A.

IPC: H01L29/72 ,  H01L29/861

CPC classification number: H01L29/7311 ,  C22C16/00 ,  C22C45/10 ,  H01L27/24 ,  H01L29/66265 ,  H01L29/66272 ,  H01L29/7317 ,  H01L29/732 ,  H01L45/00

Abstract: An electronic structure comprising: (a) a first metal layer; (b) a second metal layer; (c) and at least one insulator layer located between the first metal layer and the second metal layer, wherein at least one of the metal layers comprises an amorphous multi-component metallic film. In certain embodiments, the construct is a metal-insulator-metal (MIM) diode. In other embodiments, the construct is a amorphous multi-component metallic thin film nanolaminate.

Abstract translation: 一种电子结构，包括：（a）第一金属层; （b）第二金属层; （c）以及位于第一金属层和第二金属层之间的至少一个绝缘层，其中至少一个金属层包括非晶多组分金属膜。 在某些实施例中，该构造是金属 - 绝缘体 - 金属（MIM）二极管。 在其他实施方案中，该构建体是无定形多组分金属薄膜纳米层压体。

公开(公告)号：WO2006076991A3

公开(公告)日：2006-10-26

申请号：PCT/EP2005056641

申请日：2005-12-09

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG ,  KAKOSCHKE RONALD ,  TEWS HELMUT

Inventor： KAKOSCHKE RONALD ,  TEWS HELMUT

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L29/08 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/823418 ,  H01L21/2815 ,  H01L27/088 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66553 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7311 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7835

Abstract: The invention inter alia relates to a method for producing a tunnel field-effect transistor (T1). The inventive method is characterized by producing differently doped connecting areas (28, 80) by means of self-aligned implantation methods.

Abstract translation: 其中，说明用于制造隧道场效应晶体管（T1）的方法。 通过自对准注入技术产生不同掺杂类型的端子区（28,80）。

公开(公告)号：WO02095832A3

公开(公告)日：2003-10-16

申请号：PCT/US0215461

申请日：2002-05-16

Applicant: UNIV COLORADO ,  MODDEL GARRET ,  ELIASSON BLAKE J

Inventor： MODDEL GARRET ,  ELIASSON BLAKE J

IPC: H01L27/144 ,  H01L29/73 ,  H01L29/76 ,  H01L29/82 ,  H01L31/08 ,  H01L39/22 ,  H01L45/00 ,  H01L29/205 ,  G01J5/00 ,  H01L21/00 ,  H01L29/72 ,  H01L29/88 ,  H01L29/56

CPC classification number: H01L27/1446 ,  B82Y10/00 ,  B82Y15/00 ,  B82Y20/00 ,  H01L29/7311 ,  H01L29/7606 ,  H01L29/82 ,  H01L31/08 ,  H01L31/101 ,  H01L33/0004 ,  H01L33/0037 ,  H01L39/22 ,  H01L45/00

Abstract: A detector (10A) for detecting electromagnetic radiation incident thereon over a desired range of frequencies exhibits a given responsivity and includes an output and first and second non-insulating layers (14), which layers are spaced apart such that a given voltage can be applied thereacross. The first non-insulating layer (12) is formed of a metal, and the first and second non-insulating layers are configured to form an antenna structure for receiving electromagnetic radiation over the desired range of frequencies. The detector further includes an arrangement disposed between the first and second non-insulating layers and configured to serve as a transport of electrons between the first and second non-insulating layers as a result of the electromagnetic radiation being received at the antenna structure. The arrangement includes at least a first layer of an amorphous material (16) such that the transport of electrons includes, at least in part, transport by means of resonant tunneling, and such that at least a portion of the electromagnetic radiation incident on the antenna is converted at the output to an electrical signal having an intensity which depends on the given responsivity.

Abstract translation: 用于检测在期望频率范围内入射到其上的电磁辐射的检测器（10A）具有给定的响应度，并且包括输出和第一和第二非绝缘层（14），这些层间隔开以使得可以施加给定的电压 跨过。 第一非绝缘层（12）由金属形成，并且第一和第二非绝缘层被配置为形成用于在期望的频率范围上接收电磁辐射的天线结构。 检测器还包括设置在第一和第二非绝缘层之间并且被配置为作为电磁辐射在天线结构处被接收的结果而在第一和第二非绝缘层之间的电子传输的布置。 该布置包括至少第一层非晶材料（16），使得电子的传输至少部分地通过谐振隧道传输，并且使得入射在天线上的至少一部分电磁辐射 在输出端被转换成具有取决于给定响应度的强度的电信号。

公开(公告)号：WO2014031221A1

公开(公告)日：2014-02-27

申请号：PCT/US2013/047233

申请日：2013-06-24

Applicant: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION

Inventor： AFZALI-ARDAKANI, Ali ,  FARMER, Damon

IPC: H02M1/06 ,  H01L27/06

CPC classification number: H01L29/88 ,  H01L29/0895 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66037 ,  H01L29/66151 ,  H01L29/66356 ,  H01L29/66977 ,  H01L29/68 ,  H01L29/7311

Abstract: A gate tunable diode is provided. The gate tunable diode includes a gate dielectric formed on a gate electrode and a graphene electrode formed on the gate dielectric. Also, the gate tunable diode includes a tunnel dielectric formed on the graphene electrode and a tunnel electrode formed on the tunnel dielectric.

Abstract translation: 提供了一个门极可调二极管。 栅极可调二极管包括形成在栅电极上的栅极电介质和形成在栅极电介质上的石墨烯电极。 此外，栅极可调二极管包括形成在石墨烯电极上的隧道电介质和形成在隧道电介质上的隧道电极。

公开(公告)号：WO2005022580A8

公开(公告)日：2005-06-09

申请号：PCT/AU2004001184

申请日：2004-09-02

Applicant: EPITACTIX PTY LTD ,  CUNNINGHAM SHAUN JOSEPH

Inventor： CUNNINGHAM SHAUN JOSEPH

IPC: H01L21/331 ,  H01L29/737

CPC classification number: H01L29/7311 ,  H01L29/0817 ,  H01L29/0895 ,  H01L29/66318 ,  H01L29/7371

Abstract: A method and structure are provided for a high performance heterojunction bipolar transistor which is suited to compound semiconductor systems such as gallium arsenide (GaAs) and which utilises an emitter junction formed from a plurality of metal layers and a plurality of ultra-thin insulating layers. The metal layers chosen have work functions which form a tunnelling Metal-Insulator-Semiconductor Junction when deposited on top of an ultra-thin insulating layer. The insulating layer may be made from a rare-earth oxide such as gadolinium oxide (Gd2O3) which is epitaxially grown on a compound semiconductor substrate and possibly covered with a second ultra-thin insulating layer.

Abstract translation: 提供了适用于化合物半导体系统如砷化镓（GaAs）并利用由多个金属层和多个超薄绝缘层形成的发射极结的高性能异质结双极晶体管的方法和结构。 选择的金属层具有在沉积在超薄绝缘层顶上时形成隧道金属 - 绝缘体 - 半导体结的工作功能。 绝缘层可以由诸如氧化钆（Gd 2 O 3）的稀土氧化物制成，其在化合物半导体衬底上外延生长并且可能被第二超薄绝缘层覆盖。

公开(公告)号：WO2002095832A2

公开(公告)日：2002-11-28

申请号：PCT/US2002/015461

申请日：2002-05-16

Applicant: UNIVERSITY TECHNOLOGY CORPORATION ,  MODDEL, Garret ,  ELIASSON, Blake, J.

Inventor： MODDEL, Garret ,  ELIASSON, Blake, J.

IPC: H01L29/205

CPC classification number: H01L27/1446 ,  B82Y10/00 ,  B82Y15/00 ,  B82Y20/00 ,  H01L29/7311 ,  H01L29/7606 ,  H01L29/82 ,  H01L31/08 ,  H01L31/101 ,  H01L33/0004 ,  H01L33/0037 ,  H01L39/22 ,  H01L45/00

Abstract: A detector for detecting electromagnetic radiation incident thereon over a desired range of frequencies exhibits a given responsivity and includes an output and first and second non-insulating layers, which layers are spaced apart such that a given voltage can be applied there across. The first non-insulating layer is formed of a metal, and the first and second non-insulating layers are configured to form an antenna structure for receiving electromagnetic radiation over the desired range of frequencies. The detector further includes an arrangement disposed between the first and second non-insulating layers and configured to serve as a transport of electrons between the first and second non-insulating layers as a result of the electromagnetic radiation being received at the antenna structure. The arrangement includes at least a first layer of an amorphous material such that the transport of electrons includes, at least in part, transport by means of resonant tunneling, and such that at least a portion of the electromagnetic radiation incident on the antenna is converted at the output to an electrical signal having an intensity which depends on the give responsivity.

Abstract translation: 用于检测在期望频率范围上入射到其上的电磁辐射的检测器具有给定的响应性，并且包括输出和第一和第二非绝缘层，这些层被间隔开，使得可以在其上施加给定的电压。 第一非绝缘层由金属形成，并且第一和第二非绝缘层被配置为形成用于在期望的频率范围上接收电磁辐射的天线结构。 检测器还包括设置在第一和第二非绝缘层之间并且被配置为作为电磁辐射在天线结构处被接收的结果而在第一和第二非绝缘层之间的电子传输的布置。 该装置包括至少第一层非晶材料，使得电子的传输至少部分地通过谐振隧道传输，并且使得入射在天线上的至少一部分电磁辐射被转换为 输出到具有取决于给出响应度的强度的电信号。

公开(公告)号：WO2016102751A1

公开(公告)日：2016-06-30

申请号：PCT/FI2015/050838

申请日：2015-12-01

Applicant: NOKIA TECHNOLOGIES OY

Inventor： ASTLEY, Michael

IPC: B82Y10/00 ,  H01L29/73 ,  H01L29/88 ,  H01L29/08 ,  H01L29/16 ,  H01L29/76

CPC classification number: H01L29/0895 ,  B82Y10/00 ,  C01B21/064 ,  C01B32/182 ,  C01P2006/40 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7311 ,  H01L29/7613 ,  H01L29/882 ,  Y10S977/734 ,  Y10S977/831 ,  Y10S977/937

Abstract: An apparatus comprising: a fermion source nanolayer (90); a first insulating nanolayer (92); a fermion transport nanolayer (94); a second insulating nanolayer (96); a fermion sink nanolayer (98); a first contact for applying a first voltage to the fermion source nanolayer; a second contact for applying a second voltage to the fermion sink nanolayer; and a transport contact for enabling an electric current via the fermion transport nanolayer. In a particular example, the apparatus comprises three graphene sheets (90, 94, 98) interleaved with two-dimensional Boron-Nitride (hBN) layers (92, 96).

Abstract translation: 一种装置，包括：费米子源纳米层（90）; 第一绝缘纳米层（92）; 费米子运输纳米层（94）; 第二绝缘纳米层（96）; 费米子槽纳米层（98）; 用于将第一电压施加到费米籽源纳米层的第一接触; 用于向所述费米子槽纳米层施加第二电压的第二接触; 以及用于通过费米子运输纳米层实现电流的运输接触件。 在具体实例中，该装置包括与二维硼氮化物（hBN）层（92,96）交错的三个石墨烯片（90,94,98）。