公开(公告)号：WO2015008870A3

公开(公告)日：2015-03-19

申请号：PCT/JP2014069265

申请日：2014-07-15

Applicant: TOSHIBA KK

Inventor： SUGIZAKI YOSHIAKI ,  KOJIMA AKIHIRO

IPC: H01L33/00 ,  H01L23/00 ,  H01L25/13 ,  H01L33/20 ,  H01L33/54 ,  H01L33/62 ,  H01L33/64 ,  H05K3/00 ,  H05K3/36

CPC classification number: H01L33/20 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/67793 ,  H01L24/03 ,  H01L24/11 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/54 ,  H01L33/62 ,  H01L33/647 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/20 ,  H01L2224/95115 ,  H01L2224/95136 ,  H01L2224/96 ,  H01L2924/12035 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15155 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: A method for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment includes making intermediate structural bodies. The shape of an upper and a lower portion of the body are different from each other. The rotational symmetry of the electrode corresponds to that of the semiconductor body. The method includes arranging the intermediate structural bodies to be separated from each other on a tray and vibrating the tray. By causing one of these portions to engage with a recess in an upper surface of a tray the bodies are self-assembled on the tray. The one portion is specially shaped to engage with the recess, while the opposite side does not to engage with the recess. The method includes forming an external electrode connected to an electrode of the intermediate structural body with extends laterally from the body.

Abstract translation: 根据实施例的用于制造半导体器件的方法包括制造中间结构体。 主体的上部和下部的形状彼此不同。 电极的旋转对称性对应于半导体本体的旋转对称性。 该方法包括将中间结构体彼此分开布置在托盘上并振动该托盘。 通过使这些部分中的一个与托盘的上表面中的凹部接合，主体在托盘上自组装。 这一部分是特殊成形的以与凹槽接合，而相对侧不与凹槽接合。 该方法包括形成连接到中间结构体的电极并从本体横向延伸的外部电极。

公开(公告)号：WO2015008870A2

公开(公告)日：2015-01-22

申请号：PCT/JP2014/069265

申请日：2014-07-15

Applicant: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA

Inventor： SUGIZAKI, Yoshiaki ,  KOJIMA, Akihiro

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/20 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/67793 ,  H01L24/03 ,  H01L24/11 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/54 ,  H01L33/62 ,  H01L33/647 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/20 ,  H01L2224/95001 ,  H01L2224/95115 ,  H01L2224/95136 ,  H01L2224/96 ,  H01L2924/12035 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15155 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: A method for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment includes making intermediate structural bodies. A configuration of an upper portion of the intermediate structural body and a configuration of a lower portion of it are different from each other. The method includes arranging the intermediate structural bodies to be separated from each other by causing one portion selected from the upper portion and the lower portion to engage with a recess multiply made in an upper surface of a tray by causing the intermediate structural bodies to tumble on the tray. The one portion is configured to engage with the recess. The other portion selected from the upper portion and the lower portion is configured not to engage with the recess. The method includes forming an external electrode connected to an electrode of the intermediate structural body.

Abstract translation: 根据实施例的半导体器件的制造方法包括制造中间结构体。 中间结构体的上部的构造和下部的构造不同。 该方法包括通过使从上部和下部中选择的一部分与通过使中间结构体翻转而在托盘的上表面上形成的凹槽相互啮合而布置中间结构体彼此分离的部分 托盘。 所述一个部分被配置成与所述凹部接合。 从上部和下部选择的另一部分构造成不与凹部接合。 该方法包括形成连接到中间结构体的电极的外部电极。

公开(公告)号：WO2014128559A1

公开(公告)日：2014-08-28

申请号：PCT/IB2014/000368

申请日：2014-02-14

Applicant: COOLEDGE LIGHTING, INC.

Inventor： TISCHLER, Michael, A. ,  ASHDOWN, Ian ,  PINNINGTON, Tom ,  IP, Henry

IPC: H01L33/50 ,  H01L51/52 ,  H01S5/00

CPC classification number: H01L33/508 ,  H01L24/97 ,  H01L33/32 ,  H01L33/486 ,  H01L33/501 ,  H01L33/502 ,  H01L33/504 ,  H01L33/505 ,  H01L33/54 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/12035 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/181 ,  H01L2933/0025 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/005 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: In accordance with certain embodiments, regions of spatially varying wavelength- conversion particle concentration are formed over light-emitting dies.

Abstract translation: 根据某些实施方案，空间变化的波长转换颗粒浓度的区域形成在发光模具上。

公开(公告)号：WO2011162470A3

公开(公告)日：2012-02-16

申请号：PCT/KR2011001978

申请日：2011-03-23

Applicant: KIM JAE KU

Inventor： KIM JAE KU

IPC: H01L23/48 ,  H01L33/62

CPC classification number: H01L33/62 ,  H01L21/561 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49562 ,  H01L24/34 ,  H01L24/37 ,  H01L24/97 ,  H01L33/005 ,  H01L33/486 ,  H01L33/647 ,  H01L2224/37011 ,  H01L2224/37599 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/12035 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/181 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2224/84 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/37099

Abstract: According to the present invention, a diode package comprises an upper lead wire (130) and a lower lead wire (140), each of which has the shape of a long flat plate and has first and second ends opposite to each other, wherein: the lower surface of the first end of the upper lead wire (130) is attached to the upper surface of a diode chip (110); the upper surface of the first end of the lower lead wire (140) is attached to the lower surface of the diode chip (110); and the second end of the upper lead wire (130) and the second end of the lower lead wire (140) are withdrawn to the outside in the lateral direction of a molding compound (120). Preferably, the upper lead wire (130) is provided at the first end thereof with a hemisphere-shaped connector (132) which is concaved from the top to form a hemispherical shape and protruded from the bottom in a hemispherical shape. In this case, a through hole (133) is formed at the center of the hemisphere-shaped connector (132).

Abstract translation: 根据本发明，二极管封装包括上引线（130）和下引线（140），每个引线具有长平板的形状，并具有彼此相对的第一和第二端，其中： 上引线（130）的第一端的下表面附接到二极管芯片（110）的上表面; 下引线（140）的第一端的上表面附接到二极管芯片（110）的下表面; 并且上引线（130）的第二端和下导线（140）的第二端沿模塑料（120）的横向方向被抽出到外侧。 优选地，上引线（130）在其第一端处设置有半球形连接器（132），该半球形连接器从顶部凹入以形成半球形并且从底部以半球形形式突出。 在这种情况下，在半球形连接器（132）的中心形成通孔（133）。

公开(公告)号：WO2011162470A2

公开(公告)日：2011-12-29

申请号：PCT/KR2011/001978

申请日：2011-03-23

Applicant: 김재구

Inventor： 김재구

IPC: H01L23/48 ,  H01L33/62

CPC classification number: H01L33/62 ,  H01L21/561 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49562 ,  H01L24/34 ,  H01L24/37 ,  H01L24/97 ,  H01L33/005 ,  H01L33/486 ,  H01L33/647 ,  H01L2224/37011 ,  H01L2224/37599 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/12035 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/181 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2224/84 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/37099

Abstract: 본 발명에 따른 다이오드 패키지는 상부 리드선(130)과 하부 리드선(140)은 길이가 긴 납작한 판 형태를 하여 서로 대향하는 제1단과 제2단을 각각 가지며, 다이오드 칩(110)의 윗면에는 상부 리드선(130)의 제1단의 아랫면이 부착되고, 다이오드 칩(110)의 아랫면에는 하부 리드선(140)의 제1단의 윗면이 부착되며, 상부 리드선(130)의 제2단과 하부 리드선(140)의 제2단이 몰딩 컴파운드(120)의 측방향으로 외부 인출되는 것을 특징으로 한다. 상부 리드선(130)의 제1단에는 위에서 밑으로 반구형으로 오목하게 함몰되어 밑으로 반구형으로 돌출되는 반구형 접촉구(132)가 형성되는 것이 바람직하며, 이 경우 반구형 접촉구(132)의 중앙에는 관통공(133)이 형성된다.

Abstract translation: 根据本发明，二极管封装包括上引线（130）和下引线（140），每个引线具有长平板的形状，并具有彼此相对的第一和第二端，其中： 上引线（130）的第一端的下表面附接到二极管芯片（110）的上表面; 下引线（140）的第一端的上表面附接到二极管芯片（110）的下表面; 并且上引线（130）的第二端和下导线（140）的第二端沿模塑料（120）的横向方向被抽出到外侧。 优选地，上引线（130）在其第一端处设置有半球形连接器（132），其从顶部凹入以形成半球形并且从底部以半球形形式突出。 在这种情况下，在半球形连接器（132）的中心形成通孔（133）。

公开(公告)号：WO2009041318A1

公开(公告)日：2009-04-02

申请号：PCT/JP2008/066710

申请日：2008-09-17

Applicant: 日亜化学工業株式会社 ,  松村 拓明

Inventor： 松村 拓明

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/387 ,  H01L24/32 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/405 ,  H01L33/46 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12035 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 【課題】局所電流密度を均一にし、放熱性に優れた構造であり、ひいては大電流域にあっても高効率の発光でありながら長寿命・高信頼性の発光素子及びそれを用いた発光装置を提供する。 【解決手段】半導体構造１０を構成する第１導電型層１１及び第２導電型層１２にそれぞれ電気的に接続され、互いに対向する第１電極２１及び第２電極２１と、を有する発光素子であって、第１電極２１は、光取り出し側に位置する第１導電型層１１上の電極形成面１５に形成された、互いに対向する一対の電極延伸部３０を備えており、一対の電極延伸部３０の対向方向において、該電極延伸部３０間の１／２の距離ｌ１が、電極延伸部３０から電極形成面１５の端縁までの距離Ｌ２よりも小さい。

Abstract translation: 本发明提供一种发光元件，其具有局部电流密度均匀的结构，并且获得了优异的散热特性，并且具有长的使用寿命和高的可靠性，同时即使在 大电流区域，并且提供使用该发光元件的发光器件。 解决问题的手段发光元件具有彼此相对并与各自的第一导电类型层（11）和第二导电类型层（12）电连接的第一电极（21）和第二电极（21） 构成半导体结构（10）。 第一电极（21）具有彼此相对的一对电极延伸部分（30），并形成在位于光输出侧的第一导电类型层（11）的电极形成表面（15）上。 在一对电极延伸部分（30）的相反方向上，电极延伸部分（30）之间距离的一半的距离（l1）小于距电极延伸部分（30）的距离（L2） ）到电极形成表面（15）的边缘。

公开(公告)号：WO2008114208A3

公开(公告)日：2008-11-13

申请号：PCT/IB2008051004

申请日：2008-03-17

Applicant: NXP BV ,  RITTER HANS-MARTIN ,  GUEBERT NICOLAS ,  HEICK HANS H ,  SCHNITT WOLFGANG ,  SYRE JOERG

Inventor： RITTER HANS-MARTIN ,  GUEBERT NICOLAS ,  HEICK HANS H ,  SCHNITT WOLFGANG ,  SYRE JOERG

IPC: H01L23/485

CPC classification number: H01L24/02 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/552 ,  H01L24/12 ,  H01L27/0255 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12035 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: The present invention relates to a bonding structure (20, 20', 20") for a chip, the bonding structure (20, 20', 20") comprising a solder bump (32), an underbump metal (30) under the solder bump (32), and a metal pad (24, 40) under the underbump metal (30) and to be connected to a substrate (22) of the chip, wherein the metal pad (24, 40) comprises a ring-like structure (24) underlying the under bump metal (30) at least partially which metal pad (24, 40) shows a reduced area when projected on the substrate (22) and therefore a reduced parasitic capacitance. The present invention further relates to method for connecting an underbump metal (30) with a metal pad layer (24) of a bonding structure (20, 20', 20") for a chip, comprising the step of defining a ring-like structure (24) in a passivation layer (26) between the metal pad (24) and the underbump metal (39).

Abstract translation: 本发明涉及用于芯片的接合结构（20,20'，20“），接合结构（20,20'，20”）包括焊料凸块（32），焊料下方的凸块下金属（30） （32）和金属垫（24,40），所述金属垫（24,40）位于所述下凸块金属（30）下方并且与所述芯片的衬底（22）连接，其中所述金属垫（24,40）包括环状结构 （24）位于所述凸块下金属（30）下方，至少部分地将所述金属垫（24,40）投影到所述衬底（22）上时表现出减小的面积并因此降低了寄生电容。 本发明进一步涉及用于将凸块下金属（30）与用于芯片的接合结构（20,20'，20“）的金属焊盘层（24）连接的方法，该方法包括以下步骤：将环状结构 （24）沉积在所述金属垫（24）和所述下凸块金属（39）之间的钝化层（26）中。

公开(公告)号：WO2005032222A2

公开(公告)日：2005-04-07

申请号：PCT/US2004031758

申请日：2004-09-27

Applicant: LITTELFUSE INC ,  WHITNEY STEPHEN J

Inventor： WHITNEY STEPHEN J

IPC: H01C7/02 ,  H02H9/02 ,  H02H9/04 ,  H05K20060101 ,  H05K

CPC classification number: H01L23/60 ,  H01C7/021 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12035 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H02H9/042 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2924/00012

Abstract: An electrical circuit protection device has an overcurrent protection portion and an overvoltage protection portion. The overcurrent protection portion has a surface. The overvoltage protection portion is disposed on the surface and thermally coupled to the overcurrent protection portion. A number of terminations connect the overcurrent protection portion and the overvoltage protection portion to a printed circuit board.

Abstract translation: 电路保护装置具有过电流保护部和过电压保护部。 过电流保护部分具有表面。 过压保护部分设置在表面上并热耦合到过电流保护部分。 多个端子将过电流保护部分和过电压保护部分连接到印刷电路板。

公开(公告)号：WO2003007451A1

公开(公告)日：2003-01-23

申请号：PCT/US2002/022198

申请日：2002-07-12

Applicant: CREE MICROWAVE, INC.

Inventor： BREWER, Kenneth, P. ,  BARTLOW, Howard, D. ,  DARMAWAN, Johan, A.

IPC: H02H9/00

CPC classification number: H01L23/60 ,  H01L23/66 ,  H01L24/48 ,  H01L27/0255 ,  H01L2223/6655 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48195 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12035 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13063 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19011 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  H03K17/08122 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099

Abstract: An RF power device comprising a power transistor fabricated in a first semiconductor chip and a MOSCAP type structure fabricated in a second semiconductor chip. A voltage limiting device is provided for protecting the power transistor from input voltage spikes and is preferably fabricated in the semiconductor chip along with the MOSCAP. Alternatively, the voltage limiting device can be a discrete element fabricated on or adjacent to the capacitor semiconductor chip. By removing the voltage limiting device from the power transistor chip, fabrication and testing of the voltage limiting device is enhanced, and semiconductor area for the power device is increased and aids in flexibility of device fabrication.

Abstract translation: 一种RF功率器件，包括制造在第一半导体芯片中的功率晶体管和在第二半导体芯片中制造的MOSCAP型结构。 提供了一种电压限制装置，用于保护功率晶体管不受输入电压尖峰影响，并且优选地与MOSCAP一起制造在半导体芯片中。 或者，电压限制装置可以是制造在电容器半导体芯片上或与电容器半导体芯片相邻的分立元件。 通过从功率晶体管芯片去除限压器件，增强了限压器件的制造和测试，增加了功率器件的半导体面积，有助于器件制造的灵活性。

公开(公告)号：WO01054168A2

公开(公告)日：2001-07-26

申请号：PCT/EP2000/013024

申请日：2000-12-20

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/06 ,  H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L

CPC classification number: H01L29/404 ,  H01L24/05 ,  H01L27/0255 ,  H01L27/0676 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7808 ,  H01L29/7811 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/12035 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: The invention relates to a semiconductor component comprising a first main terminal (40); a second main terminal (80); a gate terminal (70) for controlling the current between the main terminals (40, 80), a first diode device (100) which can be switched between the first gate (40) and the gate terminal (70) and whose first breakdown voltage is such that the first diode device short-circuits the first main terminal (40) with the gate terminal (70), hereby switching on the semiconductor component, when the voltage that drops off over the first diode device (100) exceeds a certain predetermined value. The first diode device (100) is connected to the control gate (70) in an integrated manner and has an external contacting area (120) for connecting to the first main terminal (40).

Abstract translation: 本发明提供了具有第一主端子（40）的半导体器件; 第二主端子（80）; 用于控制主端子（40，80）中流动流之间的控制端子（70）; 第一主端子（40）和控制端子之间的（70）可切换的第一二极管装置具有这样的第一击穿电压，短路的第一主端子（40）的控制端子（70）（100），因此转弯时在半导体装置上 是在所述第一二极管的装置（100）下降的电压超过预定值，集成所述第一二极管装置（100）的控制端子（70）。 第一二极管装置（100）具有被连接到所述第一主端子（40）包括：第一外部接触区域（120）。