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公开(公告)号：CN110473843A
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201910386158.X
申请日：2019-05-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/522 , H01L23/528 , H01L21/48 , H01L21/56
Abstract: 一种半导体封装及其制造方法。半导体封装包括重布线结构。重布线结构包括第一介电层及第一重布线路层。所述第一介电层包含第一通孔开口。所述第一重布线路层设置在第一介电层上且包含填充第一通孔开口的通孔部分以及连接通孔部分且在第一介电层之上延伸的电路部分。通孔部分的上表面与电路部分的上表面之间的最大垂直距离大体上等于或小于0.5μm。
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公开(公告)号：CN106548996B
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201610609240.0
申请日：2016-07-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/485 , H01L23/48
Abstract: 本发明涉及一种结构，包括：金属焊盘、具有覆盖金属焊盘的边缘部分的部分的钝化层和在钝化层上方的伪金属板。伪金属板中具有多个贯穿开口。伪金属板具有锯齿形边缘。介电层具有在伪金属板上面的第一部分、填充多个第一贯穿开口的第二部分和接触第一锯齿形边缘的第三部分。本发明的实施例还涉及具有锯齿形边缘的伪金属。
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公开(公告)号：CN105679681B
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201510851861.5
申请日：2015-11-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L23/485 , H01L21/60
Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括具有通孔的集成电路，通孔邻近集成电路管芯，其中，在集成电路管芯和通孔之间插入模塑料。通孔具有延伸穿过图案化层的凸出物，并且通孔可以从图案化层的表面偏移。可以通过选择性地去除用于形成通孔的晶种层形成凹槽。本发明实施例涉及集成电路封装焊盘以及形成方法。
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公开(公告)号：CN105280579B
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201410767804.4
申请日：2014-12-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明提供了半导体封装件和方法。第一封装件利用第一外部连接件和第二外部连接件接合至第一衬底。使用不同于第一外部连接件的材料形成第二外部连接件，以提供来自第一封装件的热路径。在一个特定实施例中，第一外部连接件是焊料球并且第二外部连接件是铜块。
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公开(公告)号：CN108987380A
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201711338372.5
申请日：2017-12-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L25/065 , H01L21/60 , H01L21/56 , H01L23/31 , H01L23/522
Abstract: 一种实施例封装件包括密封在第一密封剂中的第一集成电路管芯；延伸穿过第一密封剂的第一贯通孔；以及设置在位于第一贯通孔和第一密封剂上方的介电层中的导电焊盘。导电焊盘包括第一区域，其中，在顶视图中，第一区域电连接至第一贯通孔并且具有环绕第一贯通孔的外边界的外边界。封装件还包括延伸穿过导电焊盘的第一区域的第一介电区。在顶视图中，第一区域的材料环绕第一介电区。本发明的实施例还涉及半导体封装件中的导电通孔及其形成方法。
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公开(公告)号：CN104051399B
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201310755093.4
申请日：2013-12-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/495 , H01L23/31 , H01L21/60 , H01L21/56
CPC classification number: H01L2224/10 , H01L2224/73204
Abstract: 本发明提供了一种WLCSP中间结构及其形成方法，该方法包括：在载体上形成第一重分布层（RDL），以及在第一RDL的第二侧上安装中介层管芯，第一RDL具有设置在第一RDL上的安装焊盘。在中介层管芯的第二侧上方形成第二RDL，第二RDL具有与中介层管芯相邻的第一侧，设置在第二RDL上的一个或多个接合件，一个或多个接合件中的至少一个与至少一个中介层管芯或至少一个安装焊盘电接触。在形成第二RDL之前，在所述中介层管芯周围和在第一RDL的一部分的上方形成模塑料，并且第二RDL形成在模塑料的至少一部分的上方。本发明还公开了晶圆级芯片尺寸封装中间结构装置和方法。
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公开(公告)号：CN107871718A
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201710367857.0
申请日：2017-05-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L25/065
Abstract: 一个实施例是一种方法，该方法包括在第一晶圆中形成第一无源器件，在第一晶圆的第一侧上方形成第一介电层，在第一介电层中形成多个第一接合焊盘，平坦化第一介电层和多个第一接合焊盘以使第一介电层和多个第一接合焊盘的顶面彼此齐平，将第一器件管芯混合接合至第一介电层和多个第一接合焊盘中的至少一些，并且将第一器件管芯密封在第一密封剂中。本发明的实施例还涉及半导体封装件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN107342277A
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201710213919.2
申请日：2017-04-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L21/48
Abstract: 实施例器件包括集成电路管芯和位于集成电路管芯上方的第一金属化图案。第一金属化图案包括具有延伸穿过第一导电区的第一孔的第一伪图案。该器件还包括位于第一金属化图案上方的第二金属化图案。第二金属化图案包括具有延伸穿过第二导电区的第二孔的第二伪图案。第二孔以凸出的方式布置为与第一孔的部分和第一导电区的部分重叠。本发明还提供了封装件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN107123605A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201611242560.3
申请日：2016-12-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L25/50 , H01L21/561 , H01L22/12 , H01L22/20 , H01L23/3128 , H01L24/19 , H01L24/97 , H01L24/98 , H01L25/105 , H01L25/16 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244 , H01L2224/97 , H01L2225/0651 , H01L2225/06568 , H01L2225/1035 , H01L2225/1058 , H01L2924/15311 , H01L2224/83 , H01L2924/00014 , H01L2224/48227 , H01L2924/00012 , H01L24/81 , H01L2224/81224 , H01L2224/81908
Abstract: 本发明提供了方法实施例，包括：用第一组焊料接头将第一封装件接合至第二封装件的第一组导电焊盘；测试第一封装件的缺陷；根据测试的第一封装件的缺陷，通过将激光束引导至第一封装件的表面处来加热第一组焊料接头；在第一组焊料接头加热之后，去除第一封装件，并且将第三封装件接合至第二封装件的第一组导电焊盘。
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公开(公告)号：CN107039413A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201611071009.7
申请日：2016-11-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L25/0652 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2225/06562 , H01L2225/06582 , H01L2225/06593 , H01L25/16 , H01L23/3107
Abstract: 半导体结构包括第一管芯、设置为水平地邻近第一管芯的第二管芯、设置在第一管芯和第二管芯上方的第三管芯、以及围绕第一管芯和第二管芯的第一介电材料，其中，第一介电材料的一部分设置在第一管芯与第二管芯之间，并且第三管芯设置在第一介电材料的一部分上方。本发明还提供了半导体结构的制造方法。
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