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公开(公告)号：CN1198839A
公开(公告)日：1998-11-11
申请号：CN97191078.2
申请日：1997-07-10
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H01L21/568 , B29C43/18 , B29C2043/3444 , B29C2043/3628 , H01L21/56 , H01L21/561 , H01L21/563 , H01L21/566 , H01L21/6835 , H01L23/24 , H01L23/3107 , H01L23/3114 , H01L23/3121 , H01L23/3128 , H01L23/49572 , H01L23/4985 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L25/105 , H01L29/0657 , H01L2221/68345 , H01L2221/68377 , H01L2224/02371 , H01L2224/0401 , H01L2224/0556 , H01L2224/16225 , H01L2224/16235 , H01L2224/16237 , H01L2224/274 , H01L2224/29111 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/50 , H01L2224/73104 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2224/83101 , H01L2224/83102 , H01L2224/83191 , H01L2224/85001 , H01L2224/92125 , H01L2224/97 , H01L2225/06517 , H01L2225/0652 , H01L2225/06527 , H01L2225/06541 , H01L2225/06551 , H01L2225/06572 , H01L2225/06579 , H01L2225/06582 , H01L2225/06586 , H01L2225/06589 , H01L2225/1005 , H01L2225/1064 , H01L2225/107 , H01L2225/1082 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0133 , H01L2924/12042 , H01L2924/15153 , H01L2924/15165 , H01L2924/15173 , H01L2924/15174 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/15312 , H01L2924/1532 , H01L2924/15331 , H01L2924/16195 , H01L2924/181 , H01L2924/18161 , H01L2924/3011 , H01L2924/3025 , H01L2924/3511 , H01L2224/85 , H01L2924/00 , H01L2924/01028 , H01L2924/3512 , H01L2224/81 , H01L2924/00012 , H01L2224/05552 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 具备下述工序:树脂密封工序,用于把已形成的配设有突出电极12的多个半导体器件11的衬底16装设到模具20的空腔28内,接着向突出电极12的配设位置供给树脂35密封突出电极12,形成树脂层13;突出电极露出工序,用于使已被树脂层13覆盖的突出电极12的至少顶端部分从树脂层13中露出来;分离工序,用于使衬底16与树脂层13一起切断分离成各个半导体器件。
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公开(公告)号：CN100452376C
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200510120001.0
申请日：1997-07-10
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L23/485
CPC classification number: H01L24/97 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/73204 , H01L2224/92125 , H01L2924/181 , H01L2924/351 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种半导体装置，其特征是具备：在表面上形成有突出电极的半导体器件；在半导体器件的表面上形成的剩下上述突出电极的顶端部分来密封上述突出电极的树脂层；以及上述半导体器件的定位突起，上述突起形成在上述半导体器件的上述表面上，并具有从上述树脂层暴露的顶端部分。
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公开(公告)号：CN100388454C
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200510103957.X
申请日：2005-09-16
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: G01R31/2887
Abstract: 本发明提出一种测试装置，其能够通过从半导体器件的背面将半导体器件按压到接触器上，对多个半导体器件中的任一个进行测试。测试电路板具有接触器，该接触器设有与待测试的半导体器件的外部连接端子对应的接触片。支撑板能够将半导体器件以对齐的状态安装在该支撑板上。工作台支撑该支撑板。按压头按压所述支撑板上安装的待测试的半导体器件，以使待测试的半导体器件的外部连接端子与接触器的接触片相接触。该工作台可移动到使安装在该支撑板上的至少一个待测试的半导体器件面对该接触器的位置，其中所述按压头相对所述支撑板是可移动的。
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公开(公告)号：CN1825719A
公开(公告)日：2006-08-30
申请号：CN200610008689.8
申请日：2006-02-21
Applicant: 富士通株式会社
Abstract: 本发明提供一种用于电子部件的接触器及接触方法，该接触器能够与诸如IC等电子部件中的多个电极端子进行适当且均匀的接触。多个接触部件中的每个接触部件在其一端具有第一接触部分，而在其另一端具有第二接触部分，第一接触部分具有容纳电子部件的一个电极端子的凹部。基座容纳和支撑多个接触部件。第一接触部分能够沿水平方向移动。
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公开(公告)号：CN1265206C
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN02157016.7
申请日：2002-12-18
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: G01R31/2893 , G01R31/2851 , G01R31/2887 , H01R13/6315
Abstract: 一种处理装置包括一个主组件，一个用于固定一物体的座、一个用于保持座以便使座可相对于主组件位移的保持器和一个用于有选择地使座处于锁定状态或解锁状态的锁定组件，在锁定状态中，座相对于主组件的位移受到限制，而在解锁状态中，座相对于主组件的位移不受限制。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1204612C
公开(公告)日：2005-06-01
申请号：CN00136410.3
申请日：2000-12-22
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: G01R1/0408 , G01R1/073 , H05K3/326 , Y10T29/49151 , Y10T29/49204 , Y10T29/49208 , Y10T29/49217 , Y10T29/49218
Abstract: 本发明涉及对具有微细端子的LSI进行测试时使用的接触开关及其制造方法。其制做成本低并可形成众多探针，具有良好的耐热性和数百回的使用寿命，而且能够进行高速动作测试。接触开关配置在LSI6和配线基板8之间，通过接触电极22将之电连接起来。接触电极22由设于绝缘极板24上的导电层形成，具有与半导体器件6的电极6a接触的LSI侧接触片22b1和与配线基板8的电极端子8a接触的配线基板侧接触片22b2以及将之电连接起来的环部22a。
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公开(公告)号：CN1181528C
公开(公告)日：2004-12-22
申请号：CN00120070.4
申请日：2000-07-05
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: G01R31/2886 , H01L2224/05001 , H01L2224/05008 , H01L2224/05022 , H01L2224/05024 , H01L2224/05568 , H01L2224/05569 , H01L2224/05573 , H01L2224/11 , H05K3/326
Abstract: 探针卡包括印刷板和多层基板。还可包括柔性衬垫。与芯片之一的电极相对的接触电极被配置在柔性衬垫上面或下面，或设在基板上的弹性物质上。第一布线有与接触电极连接的第一部分、从第一部分延伸到下面的基板的平面过渡部分和与多层基板上的内部端连接的连接端。基板的第二布线使内部端与外部端连接。印刷板上的第三布线使基板与印刷板的外部端连接。测试期间温度负载引起的内部端位移被第一布线的平面过渡部分补偿。本发明中，接触的不平整度可被补偿。
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公开(公告)号：CN1529352A
公开(公告)日：2004-09-15
申请号：CN200410039657.5
申请日：2000-07-05
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: G01R31/2886 , H01L2224/05001 , H01L2224/05008 , H01L2224/05022 , H01L2224/05024 , H01L2224/05568 , H01L2224/05569 , H01L2224/05573 , H01L2224/11 , H05K3/326
Abstract: 用于测试具有许多半导体芯片的晶片的探针卡，包括配置在与芯片之一上的电极相对的位置上的接触电极；基板；在基板上配置的内部端子；具有与接触电极连接的第一部分和采用至少焊接线和焊料球其中之一与内部端连接的第二部分的第一布线；在基板的周边上配置并经由第二布线与内部端连接的外部端；和具有将基板上的外部端连接到印刷板上的外部连接端的第三布线的印刷板。本发明还包括制作该探针卡的方法。在本发明中，接触的不平整度可被补偿。
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公开(公告)号：CN1110846C
公开(公告)日：2003-06-04
申请号：CN97191078.2
申请日：1997-07-10
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H01L21/568 , B29C43/18 , B29C2043/3444 , B29C2043/3628 , H01L21/56 , H01L21/561 , H01L21/563 , H01L21/566 , H01L21/6835 , H01L23/24 , H01L23/3107 , H01L23/3114 , H01L23/3121 , H01L23/3128 , H01L23/49572 , H01L23/4985 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L25/105 , H01L29/0657 , H01L2221/68345 , H01L2221/68377 , H01L2224/02371 , H01L2224/0401 , H01L2224/0556 , H01L2224/16225 , H01L2224/16235 , H01L2224/16237 , H01L2224/274 , H01L2224/29111 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/50 , H01L2224/73104 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2224/83101 , H01L2224/83102 , H01L2224/83191 , H01L2224/85001 , H01L2224/92125 , H01L2224/97 , H01L2225/06517 , H01L2225/0652 , H01L2225/06527 , H01L2225/06541 , H01L2225/06551 , H01L2225/06572 , H01L2225/06579 , H01L2225/06582 , H01L2225/06586 , H01L2225/06589 , H01L2225/1005 , H01L2225/1064 , H01L2225/107 , H01L2225/1082 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0133 , H01L2924/12042 , H01L2924/15153 , H01L2924/15165 , H01L2924/15173 , H01L2924/15174 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/15312 , H01L2924/1532 , H01L2924/15331 , H01L2924/16195 , H01L2924/181 , H01L2924/18161 , H01L2924/3011 , H01L2924/3025 , H01L2924/3511 , H01L2224/85 , H01L2924/00 , H01L2924/01028 , H01L2924/3512 , H01L2224/81 , H01L2924/00012 , H01L2224/05552 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 一种半导体装置的制造方法，具备下述工序：树脂密封工序，用于把已形成的配设有突出电极12的多个半导体器件11的衬底16装设到模具20的空腔28内，接着向突出电极12的配设位置供给树脂35密封突出电极12，形成树脂层13；突出电极露出工序，用于使已被树脂层13覆盖的突出电极12的至少顶端部分从树脂层13中露出来；分离工序，用于使衬底16与树脂层13一起切断分离成各个半导体器件。
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公开(公告)号：CN1314703A
公开(公告)日：2001-09-26
申请号：CN00136410.3
申请日：2000-12-22
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: G01R1/0408 , G01R1/073 , H05K3/326 , Y10T29/49151 , Y10T29/49204 , Y10T29/49208 , Y10T29/49217 , Y10T29/49218
Abstract: 本发明涉及对具有微细端子的LSI进行测试时使用的接触开关及其制造方法。其制做成本低并可形成众多探针,具有良好的耐热性和数百回的使用寿命,而且能够进行高速动作测试。接触开关配置在LSI6和配线基板8之间,通过接触电极22将之电连接起来。接触电极22由设于绝缘极板24上的导电层形成,具有与半导体器件6的电极6a接触的LSI侧接触片22b1和与配线基板8的电极端子8a接触的配线基板侧接触片22b2以及将之电连接起来的环部22a。
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