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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103123916B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201210376141.4
申请日：2012-09-29
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L23/48 , H01L21/60
CPC classification number: H01L24/81 , H01L21/50 , H01L23/3128 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/49866 , H01L23/5383 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/73 , H01L25/0655 , H01L25/0657 , H01L2224/0401 , H01L2224/05647 , H01L2224/13111 , H01L2224/16145 , H01L2224/16148 , H01L2224/16238 , H01L2224/16506 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/81002 , H01L2224/81065 , H01L2224/81075 , H01L2224/81191 , H01L2224/8121 , H01L2224/8142 , H01L2224/81439 , H01L2224/81444 , H01L2224/81447 , H01L2224/81455 , H01L2224/81457 , H01L2224/81464 , H01L2224/81469 , H01L2224/81805 , H01L2224/81893 , H01L2224/81931 , H01L2224/83815 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2924/01322 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/351 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/01083
Abstract: 本发明涉及半导体器件、电子器件以及半导体器件制造方法。所述半导体器件包括：连接构件，该连接构件包括形成在连接构件的主表面上的第一焊垫；半导体芯片，该半导体芯片包括其上形成第二焊垫的电路形成表面，该芯片安装在连接构件上使得电路形成表面面向主表面；以及钎料凸块，该钎料凸块连接第一焊垫和第二焊垫并且由包含Bi和Sn的金属制成，其中该块包括形成为靠近第二焊垫的第一界面层、形成为靠近第一焊垫的第二界面层、形成为靠近界面层中的任一个的第一中间区域，以及形成为靠近界面层中的另一个并且形成为靠近第一中间区域的第二中间区域；在第一中间区域中，Bi浓度高于Sn浓度；而在第二中间区域中，Sn浓度高于Bi浓度。
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公开(公告)号：CN103972115A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201310594257.X
申请日：2013-11-21
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L21/60 , H01L23/488 , B23K1/00 , B23K35/26
CPC classification number: H01L24/13 , B23K35/004 , B23K35/007 , B23K35/0244 , B23K35/24 , B23K35/262 , B23K35/264 , B23K2101/40 , H01L21/76843 , H01L23/49811 , H01L23/49866 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2224/03462 , H01L2224/03464 , H01L2224/0401 , H01L2224/05082 , H01L2224/05083 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05164 , H01L2224/05582 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16501 , H01L2224/73204 , H01L2224/81075 , H01L2224/81211 , H01L2224/81815 , H01L2924/0103 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/15311 , H05K3/244 , H05K3/3436 , H05K3/3463 , H05K3/3494 , H05K2201/10734 , H01L2924/00014 , H01L2924/01083 , H01L2924/0105 , H01L2924/01015 , H01L2924/01047 , H01L2924/01051 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01024 , H01L2924/01032 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及半导体器件以及制造半导体器件的方法。一种制造半导体器件的方法，包括：在布线板的第一电极和半导体元件的第二电极中的至少一者的表面上形成阻挡金属膜；在第一电极与第二电极之间设置连接端子，连接端子由含锡、铋和锌的钎料制成；以及通过加热连接端子并且将连接端子的温度保持在不低于钎料熔点的恒定温度下一定时间段，来将连接端子接合至阻挡金属膜。
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公开(公告)号：CN102646609A
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201210031859.X
申请日：2012-02-13
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L21/60 , H01L21/335 , H01L23/488 , H01L29/778 , H02M7/217 , H02M3/155
CPC classification number: H01L23/48 , H01L23/3128 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L2224/04026 , H01L2224/05005 , H01L2224/05082 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05169 , H01L2224/05541 , H01L2224/05573 , H01L2224/05644 , H01L2224/0603 , H01L2224/26175 , H01L2224/2745 , H01L2224/2746 , H01L2224/29019 , H01L2224/29036 , H01L2224/29109 , H01L2224/29111 , H01L2224/29113 , H01L2224/2912 , H01L2224/29139 , H01L2224/29144 , H01L2224/29147 , H01L2224/29155 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/29339 , H01L2224/29499 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/325 , H01L2224/32502 , H01L2224/32506 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48245 , H01L2224/48247 , H01L2224/48644 , H01L2224/48744 , H01L2224/4903 , H01L2224/73265 , H01L2224/83193 , H01L2224/83194 , H01L2224/83801 , H01L2224/83851 , H01L2924/00013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01322 , H01L2924/13064 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2224/83439 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/0132 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/0665 , H01L2224/13099 , H01L2224/13599 , H01L2224/05599 , H01L2224/05099 , H01L2224/29099 , H01L2224/29599 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及半导体器件、半导体器件的制造方法、以及电源器件。一种制造半导体器件的方法，包括：在支撑板的半导体芯片安装区域和半导体芯片的背表面中的一个上形成具有第一金属的层和具有第二金属的层中的一个；在半导体芯片安装区域和半导体芯片的背表面中的另一个的与其中具有第一金属的层和具有第二金属的层中的一个的区域的一部分对应的区域上，形成具有第一金属的层和具有第二金属的层中的另一个；以及在半导体芯片安装区域中定位半导体芯片之后，形成包括具有第一金属和第二金属的合金的层以将半导体芯片与半导体芯片安装区域接合。
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公开(公告)号：CN101029408B
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200610106361.X
申请日：2006-07-14
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: C22C13/00 , B32B15/015 , C22C9/02 , C22C13/02 , C23C18/1601 , C23C18/1651 , C23C18/1692 , C23C18/18 , C23C18/1848 , C23C18/48 , C23C18/52 , H01L2924/0002 , Y10T428/12715 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种电镀结构，包括：基底，其由含有铜作为主要成分的铜基材料形成；电镀膜，其由含有锡作为主要成分的锡基材料形成，并且设置在该基底上；以及锡铜化合物阻挡膜，其位于该基底和该电镀膜之间的边界处。该锡铜化合物阻挡膜的密度大于铜的密度。本发明还公开了形成该电镀结构的电镀方法。根据上述的电镀结构和方法，能够实现具有简单膜结构的无晶须的锡基电镀，同时相对于焊料保持满意的湿度。
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公开(公告)号：CN101029408A
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：CN200610106361.X
申请日：2006-07-14
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: C22C13/00 , B32B15/015 , C22C9/02 , C22C13/02 , C23C18/1601 , C23C18/1651 , C23C18/1692 , C23C18/18 , C23C18/1848 , C23C18/48 , C23C18/52 , H01L2924/0002 , Y10T428/12715 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种电镀结构，包括：基底，其由含有铜作为主要成分的铜基材料形成；电镀膜，其由含有锡作为主要成分的锡基材料形成，并且设置在该基底上；以及锡铜化合物阻挡膜，其位于该基底和该电镀膜之间的边界处。该锡铜化合物阻挡膜的密度大于铜的密度。本发明还公开了形成该电镀结构的电镀方法。根据上述的电镀结构和方法，能够实现具有简单膜结构的无晶须的锡基电镀，同时相对于焊料保持满意的湿度。
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