公开(公告)号：CN103131355A

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201210495571.8

申请日：2012-11-28

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 盛田浩介 ,  高本尚英 ,  千岁裕之

IPC: C09J133/00 ,  C09J163/00 ,  C09J161/06 ,  C09J7/02 ,  H01L23/29 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L23/293 ,  C08K5/09 ,  C08K5/092 ,  C08K5/18 ,  C08K5/32 ,  C08L33/00 ,  C08L33/10 ,  C08L2203/206 ,  C09D133/10 ,  C09J165/02 ,  H01L21/563 ,  H01L21/78 ,  H01L23/18 ,  H01L23/3737 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29386 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/83191 ,  Y10T428/31511 ,  Y10T428/31938 ,  C08L61/06 ,  C08L63/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供确保在缓和半导体元件和被粘物的热响应行为的差异上能够利用的材质并且能够制造连接可靠性高的半导体装置的底填剂材料、以及使用其的半导体装置的制造方法。本发明的底填剂材料在175℃热固化处理1小时后的贮存弹性模量E’[MPa]及热膨胀系数α[ppm/K]在25℃下满足下述式(1)。E’×α＜250000[Pa/K] (1)。

公开(公告)号：CN103035582A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201210356985.2

申请日：2012-09-21

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 小田高司 ,  盛田浩介 ,  丰田英志

IPC: H01L23/00

CPC classification number: H01L24/20 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/19 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供能够提高生产效率和半导体装置的制造设计的自由度的半导体装置的制造方法。本发明为具备半导体芯片的半导体装置的制造方法，其包括：准备在第1主面形成有导通构件的半导体芯片的工序；准备在透射放射线的支撑体上依次层叠有放射线固化型粘合剂层和第1热固化型树脂层的支撑结构的工序；以所述第1热固化型树脂层和所述半导体芯片的第1主面对置的方式在所述第1热固化型树脂层上配置多个半导体芯片的工序，以覆盖所述多个半导体芯片的方式在所述第1热固化型树脂层上层叠第2热固化型树脂层的工序；以及从所述支撑体侧照射放射线而使所述放射线固化型粘合剂层固化，由此在所述放射线固化型粘合剂层和所述第1热固化型树脂层之间进行剥离的工序。

公开(公告)号：CN112334562A

公开(公告)日：2021-02-05

申请号：CN201980043245.3

申请日：2019-06-26

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 盛田浩介

IPC: C09K3/10

Abstract: 提供一种密封剂片，其成形为片形状。上述密封剂片包含以下成分：一分子中具有2个以上环氧基的含环氧基的多硫化物聚合物(AB)、一分子中具有2个以上硫醇基的硫醇化合物(C)及光产碱剂(D)；或者，包含以下成分：一分子中具有2个以上硫醇基的含硫醇基的多硫化物聚合物(AC)、一分子中具有2个以上环氧基的环氧化合物(B)及光产碱剂(D)。

公开(公告)号：CN111417696A

公开(公告)日：2020-07-14

申请号：CN201880077128.4

申请日：2018-11-29

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 盛田浩介 ,  北山和宽

IPC: C09K3/10 ,  C08G59/14

Abstract: 提供被成形为片状的形状的密封剂片。上述密封剂片含有含环氧基的多硫化物。上述含环氧基的多硫化物在分子内具有二硫化物结构和环氧基。

公开(公告)号：CN105027271A

公开(公告)日：2015-11-04

申请号：CN201480009322.0

申请日：2014-02-07

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 盛田浩介 ,  高本尚英 ,  花园博行 ,  福井章洋

IPC: H01L21/60 ,  C09J7/00 ,  C09J11/04 ,  C09J133/00 ,  C09J161/10 ,  C09J163/00 ,  C09J201/00 ,  C09K3/10 ,  H01L21/301 ,  H01L21/304 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L21/563 ,  B32B27/38 ,  B32B2264/102 ,  B32B2457/14 ,  C08G59/621 ,  C08J5/18 ,  C08J2333/08 ,  C08J2333/12 ,  C08J2361/10 ,  C08J2433/08 ,  C08J2433/12 ,  C08J2433/20 ,  C08J2463/00 ,  C08L33/06 ,  C09J133/08 ,  C09J163/00 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/562 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/84862 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/066 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/81805

Abstract: 本发明提供一种底部填充片，其可良好地将半导体元件的电路面的凹凸埋入，可将半导体元件的端子与被粘接体的端子良好地连接，可减少脱气。本发明涉及一种底部填充片，其在150℃、0.05～0.20转/分钟时的粘度为1000～10000Pa·s，在100～200℃、0.3～0.7转/分钟时的最低粘度为100Pa·s以上。

公开(公告)号：CN105027266A

公开(公告)日：2015-11-04

申请号：CN201480012151.7

申请日：2014-02-28

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 高本尚英 ,  盛田浩介 ,  福井章洋 ,  花园博行 ,  铃木彰

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L21/6836 ,  B32B27/08 ,  B32B2270/00 ,  B32B2405/00 ,  B32B2457/14 ,  C08J5/18 ,  C08J2333/08 ,  C08J2333/12 ,  C08J2461/06 ,  C08J2463/00 ,  H01L21/563 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/78 ,  H01L23/293 ,  H01L23/295 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2221/68386 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/27003 ,  H01L2224/271 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/29387 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/81011 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/27 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83

Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体装置的制造方法，其能够在自借助暂时固定层接合有晶片与支承体的带有支承体的晶片剥离支承体时，抑制粘贴于带有支承体的晶片的另一面的片状树脂组合物被溶解的情形。本发明的半导体装置的制造方法具备：工序A，准备在形成有贯通电极的晶片的一面借助暂时固定层而接合有支承体的带有支承体的晶片；工序B，准备在切割胶带上形成有外形小于晶片的另一面的片状树脂组合物的切割胶带一体型片状树脂组合物；工序C，将带有支承体的晶片的另一面粘贴于切割胶带一体型片状树脂组合物的片状树脂组合物；以及工序D，利用溶剂溶解暂时固定层，自晶片剥离支承体。

公开(公告)号：CN103137501A

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201210488287.8

申请日：2012-11-26

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 千岁裕之 ,  高本尚英 ,  盛田浩介

IPC: H01L21/58 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01L21/563 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供抑制半导体元件安装时的空隙且能够制造可靠性高的半导体装置的半导体装置的制造方法。本发明为一种半导体装置的制造方法，其是具备被粘体、与该被粘体电连接的半导体元件以及填充该被粘体与该半导体元件之间的空间的底填剂材料的半导体装置的制造方法，该方法包括：准备工序，准备密封片，所述密封片具备基材和层叠在该基材上的底填剂材料；贴合工序，在半导体晶片的形成有连接部件的面上贴合上述密封片；切割工序，切割上述半导体晶片而形成带有上述底填剂材料的半导体元件；保持工序，将上述带有底填剂材料的半导体元件在100～200℃下保持1秒以上；以及连接工序，用底填剂材料填充上述被粘体与上述半导体元件之间的空间并同时借助上述连接部件将上述半导体元件和上述被粘体电连接。

公开(公告)号：CN103035538A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201210356463.2

申请日：2012-09-21

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 小田高司 ,  盛田浩介 ,  丰田英志

IPC: H01L21/56

CPC classification number: H01L21/50 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/544 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/97 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2223/54433 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供能够提高生产效率和半导体装置的制造设计的自由度的半导体装置的制造方法。本发明为具有半导体芯片的半导体装置的制造方法，其包括：准备在第1主面形成有导通构件的半导体芯片的工序，准备在透射放射线的支撑体上依次层叠有放射线固化型粘合剂层和第1热固化型树脂层的支撑结构的工序，以所述第1热固化型树脂层和所述半导体芯片的与第1主面相反侧的第2主面对置的方式在所述第1热固化型树脂层上配置多个半导体芯片的工序，以覆盖所述多个半导体芯片的方式在所述第1热固化型树脂层上层叠第2热固化型树脂层的工序，以及从所述支撑体侧照射放射线从而使所述放射线固化型粘合剂层固化，由此在所述放射线固化型粘合剂层和所述第1热固化型树脂层之间进行剥离的工序。

公开(公告)号：CN101377621A

公开(公告)日：2009-03-04

申请号：CN200710148577.7

申请日：2007-08-29

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 藤井弘文 ,  盛田浩介 ,  水谷昌纪 ,  大川忠男 ,  吉见武 ,  多田光一郎 ,  大西谦司

IPC: G03F7/028 ,  G03F7/00 ,  H05K5/00 ,  C09D11/10

Abstract: 本发明的目的是提供对加热固化后发生的翘曲具有抑制效果的感光性树脂组合物及用其获得的柔性线路基板。本发明的解决方式是采用包含下述(A)～(C)成分的柔性线路基板用感光性树脂组合物，以及一种柔性线路基板，该柔性线路基板通过以下方式形成：使用上述柔性线路基板用感光性树脂组合物在导体线路图案上形成感光性树脂组合物层，将其曝光、显影成规定的图案，从而形成覆盖绝缘层。(A)对乙烯性不饱和化合物进行加聚形成的玻璃化转变温度为55℃以下的含羧基的线形聚合物；(B)含有乙烯性不饱和基团的聚合性化合物；(C)光聚合引发剂。

公开(公告)号：CN114867813B

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN202080090230.5

申请日：2020-12-24

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 盛田浩介

IPC: C09K3/10

Abstract: 提供使用光固化性密封剂片的密封方法。提供的密封方法依次包括：准备光固化性密封剂片的工序；对上述密封剂片实施光照射处理的工序；和将上述密封剂片贴附于密封对象物的工序。