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公开(公告)号：CN1084918C
公开(公告)日：2002-05-15
申请号：CN96120334.X
申请日：1996-09-27
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01B3/08
CPC classification number: C03C3/089 , C03C3/091 , H01B3/087 , H01L23/49894 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种绝缘用玻璃组合物，它包含SiO2以及B2O3或K2O中的至少一种，它们的比例位于SiO2、B2O3和K2O三元系统组分图中A点(65，35，0)、B点(65，20，15)、C点(85，0，15)、和D点(85，15，0)连线所包围的区域内。该玻璃组合物还可附加地包含选自Al2O3，La2O3，CaO，Ta2O5和Nd2O3中的至少一种材料，其数量少于所述主要组分重量的约25%。
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公开(公告)号：CN1264130A
公开(公告)日：2000-08-23
申请号：CN00101903.1
申请日：2000-01-27
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: C03C8/16 , G03F7/0047 , H05K1/0306 , H05K3/0023 , H05K3/4664 , H05K3/4667 , Y10T428/24926 , Y10T428/252 , Y10T428/259
Abstract: 本发明提供了一种感光绝缘膏,它包含含有硼硅玻璃粉末的绝缘材料。绝缘材料设置在感光有机载体中,并且硼硅玻璃粉末含有SiO2,B2O3和K2O,从而由(SiO2,B2O3,K2O)表示的三种成分的重量成分比落入通过连接三元图中的点A(65,35,0),B(j65,25,10)，C(85,5,10)和D(85,15,0)形成的区域中。本发明还揭示了含有粘膏的厚膜多层电路基片基片。
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公开(公告)号：CN1190245A
公开(公告)日：1998-08-12
申请号：CN98104043.8
申请日：1998-01-23
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01G4/1209
Abstract: 本发明提供了一种介质膏,该介质膏包含玻璃粉末、铅钙钛矿混合物的电介质粉末和有机载体,其中所述玻璃粉末具有由xBi2O3－yPbO－zSiO2表示的成分,其中x+y+z是100个摩尔,且x、y和z的每个值都在三元图中通过五点A(25,5,70),B(10,20,70),C(10,60,30),D(35,60,5)和E(90,5,5)的线上或由它们围成的区域中。这种介质膏允许在低于870℃的低温下通过烧结形成致密的电介质膜。
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公开(公告)号：CN109076709B
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN201780025894.1
申请日：2017-02-24
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H05K3/46
Abstract: 本发明的多层陶瓷基板的特征在于，具备：层叠的多个基体层，该多个基体层含有低温烧结陶瓷材料；多个第一约束层，该多个第一约束层含有在上述低温烧结陶瓷材料的烧结温度下实质上不烧结的金属氧化物，并且配置在上述基体层之间；以及保护层，该保护层含有上述金属氧化物，并且配置于表面，使得与上述基体层相接，在将上述保护层的表面部的上述金属氧化物的含有比率设为X1、将上述保护层的与基体层的边界部的上述金属氧化物的含有比率设为X2时，满足X1＞X2。
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公开(公告)号：CN108713354A
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201780014320.4
申请日：2017-02-20
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 在具有树脂层的层叠体的探针卡用层叠布线基板中，由树脂覆盖陶瓷基板，由此减少碎屑等不良状况的产生，压低制造成本。层叠布线基板(3a)具备：核心基板(7)；覆盖核心基板(7)的侧表面以及下表面(12)的树脂部(8)；以及配设于树脂部(8)的内部的多个金属销(11)。核心基板(7)具有：配置于母基板侧的陶瓷层叠部(9)；和在陶瓷层叠部(9)的与母基板相反一侧(13)的主面层叠的树脂层叠部(10)。在树脂部(8)配设有多个金属销(11)，并形成有在树脂部(8)的厚度方向上贯通的贯通孔(22)。通过使固定件(24)穿过贯通孔(22)，将层叠布线基板(3a)搭载于母基板。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101116382A
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：CN200680004096.2
申请日：2006-03-03
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01L24/81 , H01L21/4807 , H01L21/481 , H01L23/15 , H01L23/24 , H01L23/3135 , H01L23/315 , H01L23/3185 , H01L23/49894 , H01L24/48 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/16225 , H01L2224/48227 , H01L2224/48472 , H01L2224/81011 , H01L2224/81191 , H01L2224/81192 , H01L2224/8121 , H01L2224/81355 , H01L2224/81395 , H01L2224/81815 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01045 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/14 , H01L2924/15153 , H01L2924/15165 , H01L2924/15174 , H01L2924/181 , H01L2924/19105 , H05K1/0306 , H05K3/282 , H05K3/284 , H05K2201/0162 , H05K2201/0179 , H05K2203/1316 , H05K2203/1322 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 提供了具有极好的抗迁移性以及在树脂密封材料与陶瓷多层基板主体之间的高接合强度的陶瓷多层基板，及这种陶瓷多层基板的制造方法。用通过PVD方法形成的硅氧烷膜完全覆盖包括焊区(16，17)和外部电极(24，25)的多层基板主体(2)。将硅氧烷膜的厚度设置为低于100nm。然后，安装组件(11)的外部电极(13，14)通过焊料(19)电连接到多层板主体(2)的焊区(16，17)并固定。然后，在多层基板主体(2)上形成用于密封安装组件(11)的树脂密封材料(4)。
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公开(公告)号：CN1242661C
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN02141246.4
申请日：2002-06-28
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H05K3/403 , H01L21/481 , H05K1/0306 , H05K3/0052 , H05K3/4061 , H05K3/4629 , H05K2201/09181 , Y10T29/49126 , Y10T29/49128 , Y10T29/49155 , Y10T29/4916 , Y10T29/49163 , Y10T29/49165 , Y10T29/49789 , Y10T156/1074
Abstract: 本发明揭示一种根据多种构成方法采用无收缩工艺制造多层陶瓷基板的方法，使得通过划分烧结过的多层母基板来顺利地形成多层陶瓷基板，也能有效地形成最佳状态的外部端电极。当形成了包括收缩抑制层和夹在其中的生多层母基板的生复合层叠体时，可沿着划分线设置通孔，以划分导体，另外，沿着划分线设置切割凹槽。在从烧结过的复合层叠体上去除收缩抑制层之后，沿着通孔和切割凹槽来划分多层母基板，从而获得多层陶瓷基板。可形成外部端电极的导体暴露在对应于通孔内表面部分的多层陶瓷基板的侧表面部分上。
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公开(公告)号：CN1229209C
公开(公告)日：2005-11-30
申请号：CN03800400.3
申请日：2003-01-24
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H05K3/0052 , B28B11/243 , H01L21/4857 , H01L23/15 , H01L23/49822 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , H05K1/0306 , H05K3/4629 , H05K2201/09036 , H05K2201/0909 , H05K2203/308 , Y10T428/2457 , Y10T428/24926 , H01L2924/00
Abstract: 制造用以氧化铝粉末为主要成分的第一、第二收缩抑制层(14a)、(14b)夹持的以低温烧结性玻璃陶瓷粉末为主要成分的未烧成多层集合基板(13)的未烧成复合叠层体(11)。然后，在该未烧成复合叠层体(11)的一个主面(11a)上设置贯通第一收缩抑制层(14a)和未烧成多层集合基板(13)且没有抵达未烧成复合叠层体(11)的另一个主面(11b)的切槽(16)。然后在低温烧结性玻璃陶瓷粉末的烧结条件下，将设置了切槽(16)的未烧成复合叠层体(11)烧成后，去除具有未烧结状态的收缩抑制层(14a)和(14b)，取出多个陶瓷多层基板。由此，在获得尺寸精度高的陶瓷多层基板的同时，在分割多层集合基板取出多个陶瓷多层基板时难以产生分割不良现象。
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公开(公告)号：CN1186294C
公开(公告)日：2005-01-26
申请号：CN99121568.0
申请日：1999-10-15
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: C03C10/0009 , H01L23/15 , H01L23/49894 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , H01L2924/3011 , H05K1/0306 , Y10T428/24926 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种结晶玻璃合成物，用于一种电路板中，它能够在1100℃温度下烧结，并能够赋予玻璃合成物作为用于电路板中的电气绝缘体的良好的特性，诸如相对介电常数只有1/2那么低，热膨胀系数有12ppm/℃那么高，其中，用于电路板中的结晶玻璃合成物含有SiO2，MgO和CaO，SiO2，MgO和CaO由重量百分比表示的合成比落在由图1中的三元相图中的连接点G(30，19，51)，H(30，5，65)，I(44，5，51)和J(44，19，37)的线所围绕的区域内，通过热处理，使马维尼特(Ca3MgSi2O8)、钙镁橄石(CaMgSiO4)和硅酸钙中的至少一种结晶相沉淀，有时将热膨胀系数为6.0ppm/℃或者更大的陶瓷粉末加到包含这种玻璃合成物中的粉末中。
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公开(公告)号：CN1526682A
公开(公告)日：2004-09-08
申请号：CN200410007614.9
申请日：1999-10-15
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: C03C10/0009 , H01L23/15 , H01L23/49894 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , H01L2924/3011 , H05K1/0306 , Y10T428/24926 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种用于含有主要成分SiO2，MgO和CaO，同时含有附属成分(1)Al2O3，(2)BaO和SrO与/或ZnO的碱土金属氧化物中的至少一种，(3)Li2O，Na2O和K2O碱金属氧化物中的至少一种，和(4)B2O3中的至少一种的电路板的结晶玻璃合成物，其中主要成分中由重量百分比％表示的SiO2，MgO和CaO的合成比落在三元相图中连接点A’(25，70，5)，B’(25，0，75)，C’(44，0，56)和D’(44，51，5)的线围绕的区域内，其中，相对于100份重量的主要成分，含有组合比为0.5到50份重量的附属成分，同时含有附属成分(1)0.5到25份重量的Al2O3(如果有的话)，(2)0.5到10份重量的BaO和SrO和/或ZnO的碱土金属氧化物中的一种(如果有的话)，(3)0.5到5份重量的Li2O，Na2O和K2O中的碱金属氧化物中的一种(如果有的话)，和(4)0.5到25份重量的B2O3，通过热处理所述合成物，使melwinite(Ca3MgSi2O8)、钙镁橄石(CaMgSiO4)和硅酸钙(CaSiO3，Ca3Si2O7，Ca2SiO4和Ca3SiO5中的至少一种)中的至少一种沉淀。
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