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公开(公告)号：CN107720687A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201710684081.5
申请日：2017-08-11
申请人： 罗伯特·博世有限公司
IPC分类号： B81B7/02 , B81B1/00 , B81C1/00 , B23K26/382
CPC分类号： B23K26/26 , B23K1/0016 , B23K26/0622 , B23K26/0624 , B23K26/0661 , B23K26/324 , B23K26/382 , B23K26/402 , B23K2101/42 , B81B7/0041 , B81B7/02 , B81C2203/0145 , G01C19/5628 , G01C19/5663 , G01C19/5733 , G01C19/5769 , G01P15/0802 , B81C1/00087 , B81B1/002 , B81C1/00531
摘要： 本发明涉及一种微机械装置，具有第一衬底(11)、具有至少一个第一空腔(100)、具有通到第一空腔(100)的封闭的通道(1)，其中，通道穿过第一衬底(11)延伸。本发明的核心在于，通道(1)具有激光钻孔的第一部分区段(12)和等离子蚀刻的第二部分区段(13)，其中，等离子蚀刻的第二部分区段(13)具有通到第一空腔(100)的开口，其中，通道(1)在第一部分区段(12)中通过由至少第一衬底(11)的熔化物构成的熔化封口部(5)封闭。本发明还涉及用于制造微机械装置的组合式激光钻孔和等离子蚀刻方法。
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公开(公告)号：CN107720686A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201710680047.0
申请日：2017-08-10
申请人： 罗伯特·博世有限公司
IPC分类号： B81B7/00
CPC分类号： B81B7/0038 , B81B7/0041 , B81B7/02 , B81C1/00285 , G01C19/5783 , G01P3/00 , G01P15/00 , G01P15/0802 , B81B2201/0235 , B81B2201/025 , B81B2203/0315
摘要： 提出一种具有主延伸平面的微机械结构元件，其中，所述微机械结构元件包围第一空腔并且包围第二空腔，其中，在所述第一空腔中存在第一压力并且在所述第二空腔中存在第二压力，其中，微机械结构元件的基本上平行于所述主延伸平面延伸的第一层在所述第一空腔与所述第二空腔之间基本上垂直于主延伸平面地伸入微机械结构元件的基本上平行于所述主延伸平面延伸的第二层中。
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公开(公告)号：CN107697880A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201710857319.X
申请日：2017-09-21
申请人： 华中科技大学
发明人： 刘炎
CPC分类号： B81B7/0083 , B81B7/02
摘要： 本发明属于MEMS器件核心结构设计领域，并具体公开了一种基于SOI-MEMS的温控隔振平台，其从下至上依次设置有锚定结构层、隔振悬臂结构层、温控平台层和MEMS振荡器连接层，隔振悬臂结构层与温控平台层之间、温控平台层和MEMS振荡器连接层之间设置有绝缘层；温控平台层包括加热单元、温度传感单元、焊盘及互连导线，MEMS振荡器连接层包括MEMS振荡器结合焊盘、焊盘以及两者之间的输出互连导线。本发明适用于MEMS振荡器等器件的温度控制与隔振，具有整体体积小、频率输出稳定、功耗低、结构简单、适用性强等优点，特别适合小型化、高稳定频率基准的应用领域。
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公开(公告)号：CN104170060B
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201180076128.0
申请日：2011-12-28
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/768 , H01L23/48
CPC分类号： B81B7/0006 , B81B3/0021 , B81B7/02 , B81C1/00246 , B81C2203/0771 , H01L21/76898 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L29/84 , H01L2224/0401 , H01L2224/05025 , H01L2224/13025 , H01L2224/13124 , H01L2224/13147 , H01L2224/13184 , H01L2224/16145 , H01L2224/81193 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/1461 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 一种集成电路器件，包括单一半导体基板；形成在该单一半导体基板的正侧上的器件层；形成在该单一半导体基板的背侧上的再分配层；形成在单一半导体基板内的硅穿通孔(TSV)，其电气耦合至该器件层及该再分配层；形成在单一半导体基板的背侧上的逻辑内存接口(LMI)，其电气耦合至该再分配层；和形成在单一半导体基板的背侧上的MEMS器件，其电气耦合至该再分配层。
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公开(公告)号：CN107512698A
公开(公告)日：2017-12-26
申请号：CN201710702647.2
申请日：2017-08-16
申请人： 北方电子研究院安徽有限公司
发明人： 凤瑞
CPC分类号： B81B7/02 , B81B2201/02 , B81C1/00261 , B81C1/00325
摘要： 本发明公开了中心支撑准悬浮式MEMS芯片封装结构的制作方法，采用高温氧化的方法在芯片硅结构表面上形成一层二氧化硅保护层，然后对芯片底部的二氧化硅保护层进行图形化，形成刻蚀掩膜。采用各向异性刻蚀工艺在MEMS芯片的衬底上刻蚀出一个面积较大的中心支撑结构和若干个面积较小的辅助支撑结构，然后将MEMS芯片粘胶或键合固定到陶瓷管壳腔体内进行金属引线键合，将含MEMS芯片的陶瓷管壳整体放入刻蚀腔体内，再采用各向同性刻蚀气体进行刻蚀,将辅助支撑结构完全刻蚀去除，保留一部分的中心支撑结构不被刻蚀去除。通过在硅衬底上加工出中心支撑结构，将MEMS芯片支撑近似悬浮于封装管壳内，大幅减小MEMS芯片上的封装应力，实现MEMS芯片的低应力封装。该方法具有封装工艺简单、不显著增加封装成本，易于实现的优点。
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公开(公告)号：CN107484093A
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201710893397.5
申请日：2017-09-26
申请人： 深圳市芯易邦电子有限公司
CPC分类号： H04R19/04 , B81B7/02 , B81B2201/0257 , H04R19/005
摘要： 本发明公开一种微机电系统麦克风，该微机电系统麦克风包括：上层板，上层板设有进音孔，进音孔的内侧壁设有第一金属层，第一金属层延伸至上层板的上表面；中层板，中层板具有贯穿其上、下表面的容纳空间，容纳空间的内侧壁设有第二金属层，上层板的下表面贴合中层板的上表面，并封堵容纳空间，第一金属层连通第二金属层；以及下层板，下层板贴合中层板的下表面，并封堵容纳空间，下层板设有接地电路，第二金属层连通接地电路。本发明技术方案的微机电系统麦克风能够将外界的静电放电由第一金属层导通至接地电路，而释放，从而减小外界静电干扰对该微机电系统麦克风造成的损坏，起到保护产品的作用，同时起到对射频抗干扰的能力。
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公开(公告)号：CN104779213B
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201510180610.9
申请日：2015-04-16
申请人： 歌尔股份有限公司
IPC分类号： H01L23/10 , H01L23/552 , B81B7/02
CPC分类号： H01L23/10 , B81B7/0064 , B81B7/02 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81B2207/012 , B81C2203/0109 , H01L23/552 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/1433 , H01L2924/1461 , H01L2924/15313 , H01L2924/16152 , H01L2924/16251 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
摘要： 本发明公开了一种集成传感器的封装结构和封装方法，包括：第一基板和第一外壳，所述第一外壳与所述第一基板围成第一封装腔体；设置在所述第一封装腔体内的多个传感器，每个所述传感器均包括MEMS传感器芯片和与所述MEMS传感器芯片电连接的ASIC芯片；在所述第一封装腔体的内部，至少一个所述传感器的ASIC芯片的外部设有屏蔽结构。本发明通过对集成传感器中的容易受到干扰的ASIC芯片的外部设置屏蔽结构，使其与其它传感器单元隔离封装，避免集成传感器中的其它传感器单元对其影响干扰，有效提升了该传感器单元的性能和集成传感器的整体性能。
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公开(公告)号：CN107416760A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201710702619.0
申请日：2017-08-16
申请人： 北方电子研究院安徽有限公司
发明人： 凤瑞
CPC分类号： B81B7/02 , B81B2201/0221 , B81C3/001 , B81C2203/01 , B81C2203/03 , G01D5/24
摘要： 本发明公开了一种倒置装配可应力释放的MEMS芯片封装结构制作方法，在晶圆片A的硅衬底上加工出导电通孔，然后对晶圆片A进行氧化形成二氧化硅保护层；去除硅电极层表面的二氧化硅保护层，在硅电极层上加工出锚点结构和敏感结构腔体；在敏感结构腔体内加工出电极结构；采用键合工艺将另一片晶圆片B的硅电极层键合到晶圆片A的硅电极层上；去除晶圆片B的硅衬底和二氧化硅隔离层；在晶圆片B的硅电极层上加工出敏感结构；将硅帽键合到晶圆片B的硅电极层上；采用深槽刻蚀工艺在晶圆片A的硅衬底上加工出应力释放槽；芯片倒置，将硅帽表面粘胶或键合固定到陶瓷管壳腔体底面，使导电通孔通过键合金属引线与陶瓷管壳引脚之间电连接，最后采用可伐合金盖板密封陶瓷管壳。该方法封装工艺简单、不显著增加封装成本的优势，易于实现。
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公开(公告)号：CN107337173A
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201611218910.2
申请日：2016-12-26
申请人： 意法半导体股份有限公司
CPC分类号： B81B7/02 , B81B7/0061 , B81B2201/0257 , B81B2207/012 , B81B2207/05 , B81B2207/07 , B81B2207/092 , B81B2207/096 , B81C1/0023 , H04R1/04 , H04R1/406 , H04R19/005 , H04R2201/003 , B81B3/0027 , B81B3/0018 , B81C1/00134 , B81C2201/01 , B81C2203/00
摘要： 本公开涉及多室换能器模块、含多室换能器模块的装置及其制造方法。换能器模块(10)包括：支持衬底(23)，具有第一侧(23a)和第二侧(23b)；盖(27)，在支持衬底的第一侧上方延伸并且与支持衬底一起限定内部彼此隔离的第一室(108)和第二室(109)；第一换能器(1)，位于第一室(8)中；第二换能器(42)，位于第二使(18)中；以及控制芯片(22)，至少部分地在第一室和/或第二室中延伸，并且功能性地耦合至第一换能器和第二换能器，用于在使用中分别接收由第一和第二换能器转换的信号。
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公开(公告)号：CN107285271A
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201710512422.0
申请日：2017-06-29
申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
CPC分类号： B81B7/02 , B81B7/007 , B81C1/00301
摘要： 本发明公开了一种MEMS封装结构，包括：第一基底，在所述第一基底的第一表面上形成有一个或多个MEMS器件和一个或多个金属焊盘；与所述金属焊盘连接并延伸到所述第一基底的第二表面的通孔，所述第二表面与所述第一表面相对；设置在所述通孔侧壁以及所述第二表面上的多层结构；设置在所述多层结构以及所述金属焊盘上的重布线层；设置在所述重布线层上的焊球；以及在所述第一基底的器件上方形成的盖帽。
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