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公开(公告)号：CN101145508A
公开(公告)日：2008-03-19
申请号：CN200710169240.4
申请日：2004-03-04
申请人： 积水化学工业株式会社
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/3213 , H01L21/205 , H01L21/285 , H01L21/31 , H01L21/3205 , H01L21/67 , C23C16/513 , C23C16/509 , C23F4/00 , H01J37/32 , H05H1/00
CPC分类号： H01L21/3065 , C23C16/5093 , H01J37/32009 , H01J37/32541 , H01J37/32724
摘要： 一种等离子加工装置和方法，其中吹送部件(152)设置有吹风口(Ia’)，该吹风口的尺寸小到不允许吹送的气流被直接地吹送到晶片W的部分上，该晶片W的部分比晶片W的外边缘更位于晶片的中心侧并且不进行等离子加工。吸入件(151)设置有与吹送部件(152)相联的吸入口(81A)。吸入口(81A)靠近吹风口(Ia’)设置并形成相对于吹送气流大致在相反方向上取向的抽吸气流。
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公开(公告)号：CN1398305A
公开(公告)日：2003-02-19
申请号：CN01804728.9
申请日：2001-12-06
申请人： 柯尼卡株式会社
IPC分类号： C23C16/505 , G02B1/10
CPC分类号： G02B1/11 , C23C4/10 , C23C4/18 , C23C16/402 , C23C16/405 , C23C16/509 , C23C16/5093 , C23C16/545 , G02B1/10 , G02B1/115 , G02B1/14 , G02B1/16 , G02B1/18 , H01J37/32532
摘要： 一种薄膜形成方法，其特征在于：通过在大气压或大气压附近的压力下，在对置的两种电极之间，以超过10kHz的高频电压供给1W/cm2以上的电力而放电，使反应性气体成为等离子态，通过在上述等离子态的反应性气体中暴露衬底，在上述衬底上形成薄膜。
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公开(公告)号：CN103243315A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201310048363.8
申请日：2013-02-06
申请人： 克朗斯股份公司
发明人： 乔奇恩·克鲁格 , 安德烈亚斯·松阿奥尔 , 罗兰·格舍
IPC分类号： C23C16/507 , C23C16/455 , C23C16/04
CPC分类号： C23C16/455 , C23C16/045 , C23C16/26 , C23C16/402 , C23C16/45578 , C23C16/509 , C23C16/5093 , H01J37/32082 , H01J37/3211 , H01J37/32394
摘要： 本发明提供电力喷枪和利用高频耦合的等离子体增强型涂覆。本发明涉及借助于等离子体处理来涂覆例如塑料瓶子的容器（102）的装置（100），所述装置（100）包括：至少一个高频源（109），位于待处理的容器（102）的外部的至少一个外部电极（103）以及用于将处理气体供应到容器（102）中的至少部分地导电的至少一个气体喷枪（101），其特征在于，至少一个外部电极（103）接地和/或与位于待处理的容器的外部的容器涂覆装置（100）的其他部件（诸如压力室部件或壳体部件）等电位，并且所述至少一个气体喷枪（101）能够将能够由所述高频源（109）产生的高频辐照到待处理的容器（102）的内部。
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公开(公告)号：CN103243314A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201310042555.8
申请日：2013-02-01
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： C23C16/505 , C23C16/455 , H05H1/46 , H01L21/31
CPC分类号： H01L21/02104 , C23C16/45508 , C23C16/4554 , C23C16/45551 , C23C16/45578 , C23C16/4584 , C23C16/5093 , H01J37/32091 , H01J37/3244 , H01J37/32724
摘要： 本发明提供一种成膜装置，该成膜装置包括：旋转台；第1处理气体供给部，其用于向第1处理区域供给第1处理气体；第1等离子体处理部，其用于在第2处理区域中对基板进行等离子体处理；分离气体供给部，其用于向形成于第1处理区域和第2处理区域之间的分离区域供给分离气体，以便使第1处理区域的气氛气体和第2处理区域的气氛气体分离，第1等离子体处理部包括：第1围绕部分，其用于划分形成用于使等离子体产生的等离子体产生空间，在其下部形成有等离子体的喷出口；第2处理气体供给部，其用于向等离子体产生空间供给第2处理气体；活化部，其用于使等离子体产生空间的第2处理气体活化；第2围绕部分，其设在第1围绕部分的下方。
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公开(公告)号：CN101333654B
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200810098597.2
申请日：2001-12-06
申请人： 柯尼卡美能达控股株式会社
IPC分类号： C23C16/505 , H05H1/48
CPC分类号： G02B1/11 , C23C4/10 , C23C4/18 , C23C16/402 , C23C16/405 , C23C16/509 , C23C16/5093 , C23C16/545 , G02B1/10 , G02B1/115 , G02B1/14 , G02B1/16 , G02B1/18 , H01J37/32532
摘要： 一种等离子体放电处理装置，通过在大气压或大气压附近的压力下，在对置的两种电极之间，以超过10kHz的高频电压供给1W/cm2以上的电力而放电，使反应性气体成为等离子态，通过在上述等离子态的反应性气体中暴露衬底，在上述衬底上形成薄膜，其特征在于：上述衬底是长形膜，上述对置电极中的至少一个是与上述长形膜接触，且沿上述长形膜的传送方向旋转的辊电极；至少与上述辊电极对置的电极，是导电性母材被介电体覆盖的介电体覆盖电极；至少上述辊电极的与上述衬底相接触的面的表面粗糙度Rmax为10μm以下。
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公开(公告)号：CN101145508B
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200710169240.4
申请日：2004-03-04
申请人： 积水化学工业株式会社
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/3213 , H01L21/205 , H01L21/285 , H01L21/31 , H01L21/3205 , H01L21/67 , C23C16/513 , C23C16/509 , C23F4/00 , H01J37/32 , H05H1/00
CPC分类号： H01L21/3065 , C23C16/5093 , H01J37/32009 , H01J37/32541 , H01J37/32724
摘要： 一种等离子加工装置和方法，其中吹送部件(152)设置有吹风口(Ia’)，该吹风口的尺寸小到不允许吹送的气流被直接地吹送到晶片W的部分上，该晶片W的部分比晶片W的外边缘更位于晶片的中心侧并且不进行等离子加工。吸入件(151)设置有与吹送部件(152)相联的吸入口(81A)。吸入口(81A)靠近吹风口(Ia’)设置并形成相对于吹送气流大致在相反方向上取向的抽吸气流。
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公开(公告)号：CN101145507A
公开(公告)日：2008-03-19
申请号：CN200710169238.7
申请日：2004-03-04
申请人： 积水化学工业株式会社
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/3213 , H01L21/205 , H01L21/285 , H01L21/31 , H01L21/3205 , H01L21/67 , C23C16/509 , C23C16/513 , C23F4/00 , H01J37/32 , H05H1/46
CPC分类号： H01L21/3065 , C23C16/5093 , H01J37/32009 , H01J37/32541 , H01J37/32724
摘要： 一种等离子加工装置，其中加工气体在圆环形内电极(11)和圆环形外电极(21)之间被等离子化。热导内温度调节部件(50)通过螺栓(7)挤压在内电极(11)的内周面上。热导外温度调节部件(60)通过螺栓(8)挤压在外电极(21)的外周面上。内、外部件(50、60)是可膨胀的和可收缩的C形形状。
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公开(公告)号：CN100375246C
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：CN200480006180.9
申请日：2004-03-04
申请人： 积水化学工业株式会社
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/3065 , C23C16/5093 , H01J37/32009 , H01J37/32541 , H01J37/32724
摘要： 等离子加工装置的喷嘴头(NH)包括：环形内保持器(3)；围绕内保持器(3)的环形内电极(11)；围绕内电极的环形外电极(21)；以及围绕外电极(21)的环形外保持器(4)。内保持器(3)设有多个螺栓(7)，所述螺栓以间距周向安置并用于径向向外挤压内电极(11)。外保持器(4)设有多个螺栓(8)，所述多个螺栓(8)以间距周向安置以径向向内挤压外电极(21)。使用此结构，环形电极(11、21)的卸装、安装和对心可以很容易进行。
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公开(公告)号：CN1461275A
公开(公告)日：2003-12-10
申请号：CN02801310.7
申请日：2002-04-19
申请人： 日精ASB机械株式会社
发明人： 岛田清典
CPC分类号： C23C16/5093 , B65D1/10 , B65D1/12 , C23C16/26 , Y10S72/715
摘要： 气障性合成树脂制容器(10)包括带有突缘(12A)的开口部(12)，从该开口部延续的筒部(14)，以及封闭该筒部(14)的底部(16)。容器(10)是一种广口容器，其中开口部(12)的最小内径Dmin大于筒部的最大内径Dmax。或者，容器(10)是一种广口容器，其中开口部(12)的最小内径Dmin小于筒部的最大内径Dmax，相差不超过20mm。在此一容器(10)的筒部(14)和底部(16)的外壁上形成类金刚石碳膜(18)。在内装物灌入此一容器(10)后，金属罐盖(20)双重卷边在突缘(12A)上，借此保证整个罐的高气障性。
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公开(公告)号：CN1132800A
公开(公告)日：1996-10-09
申请号：CN95120912.4
申请日：1995-12-15
申请人： 佳能株式会社
CPC分类号： H01J37/32082 , C23C16/509 , C23C16/5093 , G03G5/08214 , G03G5/08278 , H01J37/32706
摘要： 提供了一种等离子体加工方法和一种等离子体加工装置，在此方法和装置中用施加范围在20到450兆赫的高频电力，同时把范围在30到300V或-30到-300V的直流电压和/或范围在30到600V的交流电压施加到被抽空的反应室中的基底上的方法，在也用作一个电极的基底上制作沉积薄膜。这一方法使得把等离子体和薄膜厚度的分布变均匀成为实际可能的，而与放电频率和所施加的高频电力无关，从而加宽了加工(比如薄膜制作)条件允许的范围和装置设计的允许范围。
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