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公开(公告)号：CN103503148A
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201280016886.8
申请日：2012-04-03
IPC分类号： H01L29/26 , C23C16/34 , H01L21/205 , H01L21/331 , H01L21/337 , H01L21/338 , H01L29/12 , H01L29/267 , H01L29/47 , H01L29/737 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/808 , H01L29/812 , H01L29/872 , H01L33/32
CPC分类号： H01L29/2003 , C23C16/0218 , C23C16/0227 , C23C16/0272 , C23C16/303 , C30B25/183 , C30B29/403 , H01L21/02414 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/0262 , H01L29/267 , H01L29/7371 , H01L29/7788 , H01L29/7789 , H01L29/7827 , H01L29/8122 , H01L29/8128 , H01L29/872 , H01L33/007 , H01L33/12 , H01L33/32
摘要： 本发明提供一种厚度方向的电阻低的半导体层叠体及其制造方法、以及包括该半导体层叠体的半导体元件。本发明提供包括将氧被六角网格状配置的面设为主面的Ga2O3基板（2）、Ga2O3基板（2）上的AlN缓冲层（3）、以及AlN缓冲层（3）上的氮化物半导体层（4）的半导体层叠体（1）。
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公开(公告)号：CN1194423C
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：CN00101674.1
申请日：2000-01-28
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/385 , H01L23/62 , H01L25/167 , H01L33/48 , H01L2224/05001 , H01L2224/0558 , H01L2224/16145 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2924/10253 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05673 , H01L2924/01079 , H01L2924/013 , H01L2224/05655 , H01L2924/01047 , H01L2224/05657 , H01L2224/05623 , H01L2224/05672 , H01L2224/05613 , H01L2224/05683 , H01L2224/05681 , H01L2224/05181 , H01L2224/05171 , H01L2224/05671 , H01L2224/05684 , H01L2224/05184 , H01L2224/05166 , H01L2224/05666 , H01L2224/05647 , H01L2224/05147 , H01L2224/05164 , H01L2224/05664 , H01L2224/05669 , H01L2224/05169 , H01L2224/05111 , H01L2224/05611 , H01L2224/05624 , H01L2224/05124 , H01L2224/05157 , H01L2224/05123 , H01L2224/05172 , H01L2224/05149 , H01L2224/05649 , H01L2224/05113 , H01L2224/05183 , H01L2224/05118 , H01L2224/05618 , H01L2224/0518 , H01L2224/0568 , H01L2224/05679 , H01L2224/05179 , H01L2224/05139 , H01L2224/05144 , H01L2224/05155
摘要： 一种具有倒装芯片式半导体发光组件的发光二极管，包括：一倒装芯片；和由一半导体基片制成的一子座，其中形成有一过电压保护二极管，并且在其上放置所述倒装芯片，其中，与所述倒装芯片电连接的一正电极和一负电极形成于所述子座上，所述正、负电极中至少一个具有一用于引线焊接的焊接区，并且所述过电压保护的二极管形成于一既不被所述倒装芯片覆盖也不被所述焊接区的任何一个部分覆盖的区域。本发明可将倒装晶片放置在一个引线框架上，使倒装晶片的中心轴线，与引线框架的抛物面的中心轴线重合。
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公开(公告)号：CN1532954A
公开(公告)日：2004-09-29
申请号：CN200410030222.4
申请日：2004-03-22
IPC分类号： H01L33/00 , H01L25/075 , G09F9/33
CPC分类号： H05K3/3442 , F21K9/00 , F21Y2113/13 , F21Y2115/10 , H01L25/0753 , H01L2224/48091 , H05K3/366 , H05K2201/09181 , H05K2201/10106 , Y02P70/613 , H01L2924/00014
摘要： 一种LED灯，具有：封装；以及多个发光元件，与设置在所述封装中的多个电极板电连接，并以透明材料密封。沿所述封装的长度方向，丝焊所述多个发光元件中的红光发光元件，倒装芯片地焊接绿光发光元件和蓝光发光元件，使其电极朝下，并在嵌入在所述封装中的同时，将所述电极延伸到与所述LED灯的发光表面相对的表面。
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公开(公告)号：CN1474466A
公开(公告)日：2004-02-11
申请号：CN03138280.0
申请日：2003-05-30
申请人： 株式会社光波
发明人： 一之濑升 , 岛村清史 , 金子由基夫 , 恩卡纳西翁·安东尼娅·加西亚·比略拉 , 青木和夫
CPC分类号： H01L33/42 , C30B15/00 , C30B15/34 , C30B29/16 , H01L21/02425 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0256 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L33/0025 , H01L33/0066 , H01L33/007 , H01L33/32 , H01L33/62 , H01L2224/06102 , H01L2224/16245 , H01L2224/32225 , H01L2224/48463 , H01L2224/73265
摘要： 本发明提供一种发光元件及其制造方法，利用该方法能够得到从可见区透过紫外区光的无色透明的导电体，该导电体可用于基板作为垂直结构，可将基板一侧作为取光面。在可控制的气体保护高温炉中设置坩埚(6)，坩埚(6)中装有原料熔液(9)和具有缝隙(8a)的缝模(8)，原料熔液(9)利用毛细管现象连续沿缝隙(8a)上升到熔液表面，通过缝模(8)和坩埚(6)，用EFG法培养截面形状与上述缝模(8)的上面相同的单晶体，如此将原料熔液(9)制造成基板。在该基板上，用MOCVD法生长III－V族、II－VI族、或两者的薄膜。
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公开(公告)号：CN109898135B
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN201910106987.8
申请日：2015-07-01
摘要： 一种β－Ga2O3系单晶衬底的制造方法，包含以下工序：在包含惰性气体、以及与所述惰性气体的流量比为0～2％的氧的环境中，通过EFG法培养线状凹坑的密度的平均值为1000个/cm2以下的β－Ga2O3系单晶的工序；以及从所述β－Ga2O3系单晶截出β－Ga2O3系单晶衬底的工序，在培养所述β－Ga2O3系单晶的工序中，根据所述β－Ga2O3系单晶中的有效载流子浓度将所述流量比在0～2％的范围内设定为规定的值。
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公开(公告)号：CN108603113A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201780009385.X
申请日：2017-02-02
申请人： 株式会社田村制作所 , 株式会社光波 , 国立研究开发法人物质·材料研究机构
发明人： 猪股大介 , 新井祐辅 , 岛村清史 , 恩卡纳西翁·安东尼亚·加西亚·比略拉
摘要： 提供外部量子效率优异且高温条件下的发光特性优异的包括YAG系或LuAG系单晶的粒子状的荧光体及其制造方法、包含该荧光体的含荧光体构件以及具有该含荧光体构件的发光装置或投影仪。作为一实施方式，提供包括具有由组成式(Y1-x-y-zLuxGdyCez)3+aAl5-aO12(0≤x≤0.9994，0≤y≤0.0669，0.001≤z≤0.004，-0.016≤a≤0.315)表示的组成的单晶，粒径(D50)为20μm以上的粒子状的荧光体。
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公开(公告)号：CN106471164A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201580032689.9
申请日：2015-06-29
IPC分类号： C30B29/16
CPC分类号： C30B29/16 , C01G15/00 , C01P2002/77 , C30B15/34
摘要： 提供一种晶体构造偏差小的高品质的β－Ga2O3系单晶衬底。在一个实施方式中，提供一种由β－Ga2O3系单晶构成的β－Ga2O3系单晶衬底通过所述主面的中心的所述主面上的任意直线上的Δω的最大值为0.7264以下。在如下情形时，Δω是从测定位置的各位置的ωs减去ωa后而得到的值的最大值与最小值之差，该情形为：将所述直线上的、X射线摇摆曲线的峰值位置的X射线的入射方向与所述主面所成的角度设为所述ωs，将采用最小二乘法对表示所述ωs与其所述测定位置之间的关系的曲线进行线性近似所求出的近似直线上的角度设为所述ωa。(1)，主面是平行于β－Ga2O3系单晶的b轴的面，
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公开(公告)号：CN105189836A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201480025539.0
申请日：2014-05-02
摘要： 提供一种能得到宽度大的β-Ga2O3系晶种的β-Ga2O3系单晶的培养方法、以及利用该培养方法的β-Ga2O3系单晶基板及其制造方法，该β-Ga2O3系晶种用于在抑制向宽度方向扩肩的情况下培养平板状β-Ga2O3系单晶。在一实施方式中提供包含如下工序的β-Ga2O3系单晶的培养方法，其使用了EFG法，使坩埚(13)内的Ga2O3系熔体(12)通过模具(14)的狭缝(14a)上升到模具(14)的开口部(14b)为止，在晶种(20)的水平方向的位置从模具(14)的宽度方向(W)的中心向宽度方向(W)偏移的状态下，使晶种(20)与位于模具(14)的开口部(14b)的Ga2O3系熔体(12)接触；以及提拉与Ga2O3系熔体(12)接触了的晶种(20)，使β-Ga2O3系单晶(25)生长。
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公开(公告)号：CN102308370B
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201080007182.5
申请日：2010-02-04
申请人： 住友电气工业株式会社 , 株式会社光波
IPC分类号： H01L21/205 , C30B29/38 , H01L33/32
CPC分类号： H01L21/0242 , C30B25/18 , C30B29/16 , C30B29/403 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L29/045 , H01L29/2003 , H01L29/66462 , H01L29/7787 , H01L33/007 , H01L33/16
摘要： 本发明提供一种氮化镓系半导体器件，其包含设置在氧化镓晶片上且具有平坦的c面的氮化镓系半导体膜。发光二极管LED包括：氧化镓支撑基体(32)，具有包含单斜晶系氧化镓的主面(32a)；和包含III族氮化物的层叠结构(33)。层叠结构(33)的半导体台面包含：低温GaN缓冲层(35)、n型GaN层(37)、量子阱结构的有源层(39)和p型氮化镓系半导体层(37)。p型氮化镓系半导体层(37)例如包含p型AlGaN电子阻挡层和p型GaN接触层。氧化镓支撑基体(32)的主面(32a)相对于单斜晶系氧化镓的(100)面以2度以上且4度以下的角度倾斜。通过该倾斜，使在氧化镓支撑基体主面(32a)上外延生长的氮化镓系半导体具有平坦的表面。
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公开(公告)号：CN101257079B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN200810089385.8
申请日：2004-08-04
申请人： 株式会社光波
发明人： 一之濑升 , 岛村清史 , 青木和夫 , 恩卡纳西翁·安东尼亚·加西亚·比略拉
CPC分类号： C30B25/20 , C30B25/02 , H01L21/02414 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02658
摘要： 本发明提供发光元件及半导体基板的制作方法。该发光元件包含：β-Ga2O3基板、在所述β-Ga2O3基板上形成的GaN系半导体层、以及在所述GaN系半导体上形成的双异型发光层。该半导体基板的制作方法包含：在β-Ga2O3基板上形成GaN系半导体层的步骤；在所述GaN系半导体层上形成GaN系外延层的步骤；以及从所述GaN系外延层削除所述β-Ga2O3基板和所述GaN系半导体层，制作所述GaN系外延层的基板的步骤。
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