公开(公告)号：CN103545207B

公开(公告)日：2017-07-11

申请号：CN201210239480.8

申请日：2012-07-11

申请人： 中国科学院微电子研究所

发明人： 尹海洲 ,  朱慧珑

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/6659 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0257 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32053 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/45 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7835

摘要： 本发明公开了一种半导体器件制造方法，包括：在衬底上形成栅极堆叠结构以及栅极侧墙，在栅极堆叠结构以及栅极侧墙两侧衬底中分别形成源区和漏区；在漏区上选择性形成阻挡层，其中阻挡层覆盖漏区并且暴露源区；在暴露的源区上外延形成提升源区；去除阻挡层。依照本发明的半导体器件制造方法，选择性地仅在源区一侧形成提升源区从而构成非对称器件结构，针对性减小源区一侧寄生电阻以及漏极一侧寄生电容，有效提高了器件性能。

公开(公告)号：CN106816471A

公开(公告)日：2017-06-09

申请号：CN201610937203.2

申请日：2016-10-25

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 江国诚 ,  黄靖方 ,  卡罗司·迪亚兹 ,  王志豪 ,  谢文兴 ,  梁英强

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/423

CPC分类号： H01L29/42392 ,  H01L21/32053 ,  H01L21/845 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7831 ,  H01L29/42356

摘要： 一种多栅极元件，包含设置于基板上的源极/漏极特征。源极/漏极特征包含第一纳米线、设置于第一纳米线上的第二纳米线、设置于第一纳米线及第二纳米线上的包覆层以及自第一纳米线延伸至第二纳米线的间隔层。元件亦包含直接设置于源极/漏极特征上的导电特征，以使得导电特征实体接触包覆层及间隔层。

公开(公告)号：CN102810542B

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201210178009.2

申请日：2012-05-29

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 平野有一

IPC分类号： H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC分类号： H01L29/7843 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32053 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823857 ,  H01L21/823864 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/11573 ,  H01L29/40117 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/792

摘要： 本发明的实施例涉及半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：具有主表面的半导体衬底；MONOS型存储器单元，形成于主表面之上并且具有沟道；n沟道晶体管，形成于主表面之上；以及p沟道晶体管，形成于主表面之上。以接触MONOS型存储器单元、n沟道晶体管和p沟道晶体管的顶表面这样的方式形成氮化物膜。氮化物膜向MONOS型存储器单元、n沟道晶体管和p沟道晶体管的沟道施加应力。

公开(公告)号：CN105074052A

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201480009890.0

申请日：2014-02-21

申请人： 埃其玛公司

发明人： 文森特·梅费里克 ,  多米尼克·祖尔

IPC分类号： C23C18/18 ,  C23C18/16 ,  C23C18/34 ,  C23C18/36 ,  H01L21/28 ,  H01L21/288 ,  C23C18/54

CPC分类号： H01L21/28518 ,  C23C18/1607 ,  C23C18/1639 ,  C23C18/1642 ,  C23C18/1692 ,  C23C18/1696 ,  C23C18/1879 ,  C23C18/1882 ,  C23C18/34 ,  C23C18/36 ,  C23C18/54 ,  H01L21/28052 ,  H01L21/288 ,  H01L21/32053 ,  H01L31/022425

摘要： 本发明涉及一种用于形成硅化镍或硅化钴的方法，包括以下步骤：-将含硅基板的表面暴露到含有0.1mM～10mM的金离子和0.6M～3.0M的氟离子的水溶液中并持续在5秒～5分钟之间的时间，-通过无电镀手段在活化的基板上沉积基本上由镍或钴构成的层，-在300℃～750℃之间的温度下施加快速热处理，从而形成硅化镍或硅化钴。所述水溶液包含选自含有至少一种阴离子或非离子极性基团并含有10～16个碳原子的烷基链的化合物的表面活性剂。这种方法基本上可以应用到NAND存储器和光伏电池的制造。

公开(公告)号：CN103681827A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310414134.3

申请日：2013-09-12

申请人： 德克萨斯仪器股份有限公司

发明人： J·科瑞克 ,  J·M·S·奈尔松 ,  S·彭哈卡

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/08 ,  H01L21/331 ,  H01L27/082

CPC分类号： H01L29/66333 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/32053 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/7395

摘要： 本发明涉及具有嵌入式发射极短路触点的快速切换IGBT及其制作方法。呈现了具有带一体发射极短路的高压IGBT的集成电路，以及制造工艺，该制造工艺采用晶片接合或者生长外延硅，用于受控的漂移区厚度和较快的切换速度。

公开(公告)号：CN100388479C

公开(公告)日：2008-05-14

申请号：CN03818757.4

申请日：2003-06-04

申请人： 微米技术有限公司

发明人： Y·J·胡

IPC分类号： H01L23/532 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L23/53266 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/32053 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/7685 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76889 ,  H01L27/10885 ,  H01L27/10888 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明公开了一种制造隐埋数位线堆积的方法。该方法包括在多晶硅突起(224)上形成贫硅金属硅化物第一薄膜(226)，随后形成硅化物阻挡第二薄膜(228)。该硅化物阻挡第二薄膜被难熔金属第三薄膜(232)所覆盖。经过一个自对准金属硅化加工步骤，第一薄膜自对准于多晶硅突起。在一个具体实施方案中，所有的上述沉积过程均通过物理汽相沉积(PVD)完成。

公开(公告)号：CN1585102A

公开(公告)日：2005-02-23

申请号：CN200410057407.4

申请日：2004-08-12

申请人： 国际商业机器公司

发明人： 小西里尔·卡布拉尔 ,  金亨俊 ,  斯蒂芬·M·洛斯纳格尔

IPC分类号： H01L21/3205 ,  H01L21/285 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L21/28088 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/32053 ,  H01L21/76841 ,  H01L29/4966 ,  H01L2221/1078

摘要： 本发明利用原子层淀积(ALD)方法提供了金属膜，它包含IVB或VB族金属、硅、以及可选的氮。确切地说，本发明提供了一种形成金属硅化物的低温热ALD方法以及一种形成金属氮硅化物膜的等离子体增强原子层淀积(PE－ALD)方法。本发明的方法能够在衬底表面上形成厚度为单层或更少的层的金属膜。本发明提供的金属膜能够被用于接触金属化、金属栅、或作为扩散势垒。

公开(公告)号：CN107256855B

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201710561178.7

申请日：2017-07-11

申请人： 上海华力微电子有限公司

发明人： 乔夫龙 ,  张强 ,  王一 ,  许鹏凯

IPC分类号： H01L23/525 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L23/5256 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/32053 ,  H01L21/32055 ,  H01L21/32135 ,  H01L21/32139 ,  H01L23/53209 ,  H01L23/53271

摘要： 本发明公开了一种多晶硅熔断器及其制造方法，该多晶硅熔断器包括多晶硅熔断体和两个引出端口，该多晶硅熔断体包括一衬底、第一绝缘层和一多晶硅熔体，衬底上形成有一凹槽，第一绝缘层覆盖在具有凹槽一侧的衬底表面上，多晶硅熔体形成于第一绝缘层上且位于所述凹槽内呈埋入式形态。本发明将多晶硅熔体以埋入的方式放在衬底的凹槽内，使熔体可以和附近其它器件保持足够的安全距离，有效消除传统熔丝熔断后形成颗粒影响旁边器件的可能性，且能够根据实际需要调节多晶硅熔体的关键尺寸，生成工艺对光刻和干刻的要求不高，使用一般的蚀刻机即可实现。

公开(公告)号：CN105390370B

公开(公告)日：2018-11-30

申请号：CN201510514930.3

申请日：2015-08-20

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 思鲁提·维韦克·托姆贝尔 ,  伊斯达克·卡里姆 ,  桑杰·戈皮纳特 ,  丹耐克·迈克尔

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01J37/32

CPC分类号： H01L21/32053 ,  C23C16/14 ,  C23C16/34 ,  C23C16/4485 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45553 ,  C23C16/505 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/321 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76855 ,  H01L23/485 ,  H01L23/53266

摘要： 提供了使用四碘化钛前体低温沉积纯钛薄膜的方法和装置，具体提供了在低温下沉积高度保形和纯的钛薄膜的方法。方法包括将衬底暴露于四碘化钛，吹扫室，将衬底暴露于等离子体，吹扫室，并重复这些操作。在低于约450℃的低温下沉积钛膜。

公开(公告)号：CN108369902A

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201680070845.5

申请日：2016-12-16

申请人： 应用材料公司

发明人： 布伦特·比格斯 ,  阿夫耶里诺斯·V·杰拉托斯 ,  仓富敬 ,  马克·H·李

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/324 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L21/32053 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/321 ,  H01L21/76862

摘要： 本发明揭露一种用于在经氧化退火的金属氮化物膜中降低氧含量的方法，包括将此膜暴露至等离子体。