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公开(公告)号：CN102983068B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201110404918.9
申请日：2011-12-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/027 , G06F17/50
CPC classification number: G03F7/70425 , H01J37/3174
Abstract: 本发明公开一种无掩模光刻的剥离方法。本发明涉及实施无掩模光刻工艺的方法。该方法包括接收用于集成电路(IC)器件的计算机布局文件。布局文件包括多个IC部分。该方法包括将计算机布局文件分为多个子文件。该方法包括使用多个计算机处理器同时分离多个子文件，从而生成多个分离的子文件。该方法包括将多个分离的子文件传送到无掩模光刻系统。
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公开(公告)号：CN105278256A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201510282331.3
申请日：2015-05-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70191 , G03F1/0046 , G03F1/24 , G03F1/26 , G03F7/70091 , G03F7/70116 , G03F7/70125 , G03F7/70283 , G03F7/70308
Abstract: 本发明提供一种用于极紫外线光刻(EUVL)工艺的方法。方法包括：将二元相位掩模(BPM)加载至光刻系统，其中BPM包括两种相位状态并且限定在其上的集成电路(IC)图案；根据IC图案将光刻系统的照射装置设定为照射模式；根据照射模式将光瞳滤波器配置在光刻系统中；以及通过照射模式的光刻系统，利用BPM和光瞳滤波器对靶子执行光刻曝光工艺。本发明还提供了一种印制低图案密度部件的极紫外线光刻工艺。
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公开(公告)号：CN104656376A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201410662211.1
申请日：2014-11-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G03F1/24 , G03F1/28 , G03F1/48 , G03F7/70283
Abstract: 本发明公开了远紫外线光刻(EUVL)的系统。该系统包括具有反射式相移光栅块(PhSGB)的掩模。该系统还包括照射装置以曝光掩模从而产生来自掩模的得到的反射光。得到的反射光主要包含衍射光。该系统还具有投影光学系统以收集并导向得到的反射光从而曝光目标。本发明还公开了远紫外线光刻工艺和掩模。
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公开(公告)号：CN104425368A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201410006825.4
申请日：2014-01-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76811 , H01L21/0337 , H01L21/31111 , H01L21/31122 , H01L21/31144 , H01L21/76816 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及通孔限定方案。本发明的方法包括在第一介电层上方限定金属图案化层。第一介电层设置在蚀刻停止层上方，且蚀刻停止层设置在第二介电层上方。在金属图案化层和第一介电层上方生长间隔层。在第一介电层中形成具有金属宽度的金属沟槽。在第二介电层中形成具有通孔宽度的通路孔。
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公开(公告)号：CN104157565A
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201310682235.9
申请日：2013-12-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/3105 , G03F7/20
CPC classification number: H01L21/0274 , H01L21/31144 , H01L21/76811 , H01L21/76895 , H01L2221/1021
Abstract: 本发明提供了一种方法，该方法包括：在衬底上形成第一光刻胶层；在第一光刻胶层上方形成第二光刻胶层；以及对第一光刻胶层和第二光刻胶层执行电子束（e-beam）光刻曝光工艺，从而在第一光刻胶层中形成第一潜在部件和在第二光刻胶层中形成第二潜在部件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103777470A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201310046337.1
申请日：2013-02-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/2002 , G03F7/20 , G03F7/70916 , G03F7/70933
Abstract: 提供了一种用于紫外线(UV)和远紫外线(EUV)光刻图案化的方法和装置。生成UV或EUV光束并且将它们引导至设置在工作台上且涂覆有光刻胶的衬底表面。在曝光(即，光刻操作)期间引导层状惰性气体流过并且紧邻涂覆有光刻胶的衬底表面。将惰性气体快速排出并且在曝光位置处具有短暂的共振时间。惰性气体流防止通过光刻胶除气产生的废气和其他污染物沉淀和污染光刻装置的其他部件。
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公开(公告)号：CN103488042A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201210365270.3
申请日：2012-09-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01J37/3026 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/70475 , H01J37/3174 , H01J2237/31764 , H01J2237/31771
Abstract: 本发明描述了一种通过电子束光刻系统形成图案的方法。方法包括接收具有多边形和禁止图案的集成电路(IC)设计布局数据，使用电子邻近校正(EPC)技术修改多边形和禁止图案，将修改的多边形条纹化为子区，将条纹化多边形转换为电子束写入格式数据，以及通过电子束写入装置将电子束写入格式的多边形写到衬底上。条纹化修改的多边形包括找到作为参考层的修改的禁止图案，以及缝合修改的多边形以避免缝合修改的禁止图案。本发明还提供了用于高容量电子束光刻的方法。
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公开(公告)号：CN102983068A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201110404918.9
申请日：2011-12-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/027 , G06F17/50
CPC classification number: G03F7/70425 , H01J37/3174
Abstract: 本发明公开一种无掩模光刻的剥离方法。本发明涉及实施无掩模光刻工艺的方法。该方法包括接收用于集成电路(IC)器件的计算机布局文件。布局文件包括多个IC部分。该方法包括将计算机布局文件分为多个子文件。该方法包括使用多个计算机处理器同时分离多个子文件，从而生成多个分离的子文件。该方法包括将多个分离的子文件传送到无掩模光刻系统。
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公开(公告)号：CN1271474C
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200310124030.5
申请日：2003-12-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G03F1/20 , G03B27/42 , G03F1/00 , G03F7/70475
Abstract: 本发明公开了一种转移光罩图形的方法与装置以及制造光罩的方法，可藉以补偿光罩接合区(Stitching Area)因为接合效应(Stitching Effect)所产生的误差。本发明的转移光罩图形的方法至少包括以下步骤。首先，提供用以产生一光罩的一数据文件，并将此数据文件分成复数个部分，其中每一部分包括一主要图形区与一邻近该主要图形区的接合区，且此接合区至少包括一几何图形。然后，于接合区形成一组几何特征，其中于一照射过程后此组几何特征形成一半色调灰阶曝光剂量分布。
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公开(公告)号：CN1658068A
公开(公告)日：2005-08-24
申请号：CN200410083999.7
申请日：2004-10-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种光刻制程、掩膜版及其制造方法，该掩膜版可用于光刻制程。其中，掩膜版包括一个透明基板和一个形成有至少一个开口的吸收层。此外，掩膜版还包括一个波长缩短材料层，设置于开口之中。该波长缩短材料层的厚度大约介于吸收层厚度至光刻制程所用光线的波长的10倍之间。此外，掩膜版还可以包括一个减反射涂布层。本发明提供的掩膜版，可以在开口尺寸保持不变的同时降低光的衍射作用，从而提高成像的分辨率。
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