公开(公告)号：CN1585135A

公开(公告)日：2005-02-23

申请号：CN200410064035.8

申请日：2004-06-14

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 梁奉吉 ,  申宪宗 ,  朴康旭

IPC分类号： H01L29/73 ,  H01L21/331

CPC分类号： H01L29/66287 ,  H01L29/41708 ,  H01L29/42304 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/7322 ,  H01L29/7378

摘要： 本发明公开了一种双极晶体管及其制造方法，该双极晶体管包括：具有第一导电型的集电区的衬底，在集电区上水平延伸的第二导电型的基极层，以及至少部分地包含在基极层中的第一导电型的发射区。该双极晶体管也包括面对发射区的上表面的发射极电极，以及面对基极层的上表面的基极电极。基极电极的至少一部分的垂直剖面等于或大于发射极电极的垂直剖面。

公开(公告)号：CN1501510A

公开(公告)日：2004-06-02

申请号：CN03164998.X

申请日：2003-09-30

申请人： M/A-COM公司

发明人： 托马斯·A·温斯洛

IPC分类号： H01L29/737 ,  H01L27/02

CPC分类号： H01L29/7371 ,  H01L27/0207 ,  H01L29/41708 ,  H01L29/42304

摘要： 本发明公开一种HBT阵列中，其中的HBT构成为非线性、即交错排列，因此减少了阵列中的相邻HBT之间的热耦合冲击并避开了用于线性HBT阵列所需的最小集电极－集电极间隔设计规则。采用这种非线性结构，相邻HBT彼此不对准。在优选实施例中，阵列中的相邻HBT构成为角对角排列，并且在更优选实施例中，相邻HBT的集电极对准或公用，即一个HBT的集电极与相邻HBT的集电极公用。在最优选实施例中，HBT以发射极镇流/基极镇流图形的形式(称为“混合镇流”或“双镇流”)被镇流。

公开(公告)号：CN1035850C

公开(公告)日：1997-09-10

申请号：CN91103964.3

申请日：1991-05-31

申请人： 佳能株式会社

发明人： 片冈有三 ,  一濑敏彦 ,  石敬治 ,  浅羽哲朗

IPC分类号： H01L29/40 ,  H01L29/70 ,  H01L29/772

CPC分类号： H01L29/66416 ,  H01L21/743 ,  H01L21/761 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/41708 ,  H01L29/66272

摘要： 一种制造包括双极晶体管的半导体器件的方法，其步骤为：形成第一导电型的第一半导体区，在第一区上形成第一导电型的第二半导体区，在第二区上形成第二导电型的第三半导体区，在第三区上形成第一导电型半导体的第四区，在第二区域内形成一个槽，在第三和第四区内形成接触孔，在槽内和第三及第四区的接触孔内分别形成在集、基和发射电极，在相应步骤中槽和接触孔分别被充满金属材料。

公开(公告)号：CN1016125B

公开(公告)日：1992-04-01

申请号：CN87107369

申请日：1987-12-11

申请人： 德国ITT工业有限公司

发明人： 洛萨·布洛斯弗尔德 ,  克里斯托夫·沃尔茨

IPC分类号： H01L21/82 ,  H01L21/90 ,  H01L21/265

CPC分类号： H01L29/41708 ,  H01L21/743 ,  H01L29/7325

摘要： 本发明提出了附属在集电极区(1)侧面上的集电极接触(6)，及制造该接触的方法，在此过程中，产生沟槽(3)，它侧向地限制了集电极区(1)，沟槽(3)的深度的尺寸至少等于集电极区(1)的厚度。集电极接触(6)包括含有集电极区(1)导电类型掺杂剂的多晶硅，并覆盖了从相邻的集电极接触(6)扩散的高掺杂的接触区(7)。

公开(公告)号：CN1059234A

公开(公告)日：1992-03-04

申请号：CN91103964.3

申请日：1991-05-31

申请人： 佳能株式会社

发明人： 片冈有三 ,  一濑敏彦 ,  石敬治 ,  浅羽哲朗

IPC分类号： H01L29/40 ,  H01L29/70 ,  H01L29/784

CPC分类号： H01L29/66416 ,  H01L21/743 ,  H01L21/761 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/41708 ,  H01L29/66272

摘要： 一种含有双极晶体管的半导体器件，设置含有第1导电型的第1半导体区与第1导电型的比前述第1半导区还高的电阻率的第2半导体区的收集区、含有第2导电型的半导体区的基区以及含有第1导电型半导体区的发射区。在该收集区的上述第2半导体区层内，设置了连接上述第1半导体区与上述收集区上面的收集极的金属层区。

公开(公告)号：CN104919595B

公开(公告)日：2019-06-07

申请号：CN201480004623.4

申请日：2014-06-24

申请人： 理想能量有限公司

发明人： 理查德·A.·布兰查德 ,  威廉·C.·亚历山大

IPC分类号： H01L29/747 ,  H01L29/73 ,  H01L27/102

CPC分类号： H02M3/158 ,  H01L27/0755 ,  H01L27/0823 ,  H01L27/0828 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0804 ,  H01L29/0817 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/16 ,  H01L29/1604 ,  H01L29/41708 ,  H01L29/42304 ,  H01L29/73 ,  H01L29/732 ,  H01L29/7375 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/7395 ,  H02M1/088 ,  H02M3/1582 ,  H02M7/797 ,  H02M11/00 ,  H03K3/012 ,  H03K17/60 ,  H03K17/66 ,  H03K17/687

摘要： 使用双向双极晶体管(BTRAN)进行开关的用于功率分组开关功率转换器的方法、系统、电路和器件。四个端子的三层BTRAN在任一方向上都以小于二极管压降的正向电压提供基本相同的操作。BTRAN是完全对称融合的双基极双向双极相反面对的器件，所述器件在高非平衡载流子浓度条件下操作并且在用作用于功率分组开关功率转换器的双向开关时能够具有令人惊奇的协同效应。BTRAN被驱动到高载流子浓度状态，从而使得导通状态电压降非常低。

公开(公告)号：CN108281487A

公开(公告)日：2018-07-13

申请号：CN201810182957.0

申请日：2014-09-29

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： J·G·拉文 ,  H-J·舒尔策 ,  R·巴布斯克

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L27/0623 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41708 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/66325 ,  H01L29/6634 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/7396 ,  H01L29/7397

摘要： 一种半导体器件包括绝缘栅极双极晶体管(IGBT)设置。IGBT设置包括侧向设置在单元区域与敏感区域之间的载流子限制减小区域。配置或形成IGBT设置以使得单元区域在IGBT设置的导通状态下具有自由电荷载流子的第一平均密度，载流子限制减小区域在IGBT设置的导通状态下具有自由电荷载流子的第二平均密度，以及敏感区域在IGBT设置的导通状态下具有自由电荷载流子的第三平均密度。自由电荷载流子的第一平均密度大于自由电荷载流子的第二平均密度，并且自由电荷载流子的第二平均密度大于自由电荷载流子的第三平均密度。

公开(公告)号：CN107872211A

公开(公告)日：2018-04-03

申请号：CN201710879626.8

申请日：2017-09-25

申请人： 阿尔斯通运输科技公司

发明人： 弗洛朗·安德里亚努埃利松 ,  埃里克·拉巴瑟 ,  史蒂芬·布瓦托

IPC分类号： H03K17/30 ,  H03K17/567

CPC分类号： H01L29/41708 ,  H01L23/5382 ,  H01L29/7393 ,  H03K17/0828 ,  H03K17/166 ,  H03K17/168 ,  H03K17/302 ,  H03K17/567

摘要： 本发明提供一种IGBT型晶体管(14)的控制方法及相关控制装置，所述方法包括晶体管(14)在导通状态和关断状态之间的转换阶段。所述阶段包括产生额定电流，所述额定电流在晶体管(14)的栅极(G)上的强度具有不同额定值。至少这些额定值中的某些是根据所述主电流的瞬时导数的符号被选择。每个所述额定值在预定额定值的集合中被选择。

公开(公告)号：CN107833915A

公开(公告)日：2018-03-23

申请号：CN201710831909.5

申请日：2017-09-15

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： M.达伊内塞 ,  E.格里布尔

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L21/331 ,  H01L29/08

CPC分类号： H01L29/7397 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/2255 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/266 ,  H01L21/3086 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0804 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/36 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41708 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66348

摘要： 本发明公开半导体器件。一种半导体器件包括半导体主体，其包括第一侧、第一导电类型的基极区，以及通过绝缘沟槽栅极电极结构与彼此分离的两个半导体台面，所述绝缘沟槽栅极电极结构从第一侧延伸到基极区中并且包括栅极电极和将栅极电极与半导体主体分离的电介质层。所述两个半导体台面中的每一个在垂直于第一侧的截面中包括与基极区形成第一pn结的第二导电类型的主体区、布置在主体区与第一侧之间并且具有比主体区更高的掺杂浓度的第二导电类型的闩锁安全区，以及布置在电介质层处并且在电介质层与闩锁安全区之间并且与主体区形成第二pn结的第一导电类型的发射极区。

公开(公告)号：CN104979179B

公开(公告)日：2018-03-16

申请号：CN201510160872.9

申请日：2015-04-07

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 加地考男 ,  多留谷政良 ,  吉浦康博

IPC分类号： H01L21/28

CPC分类号： H01L29/456 ,  H01L21/0485 ,  H01L21/28512 ,  H01L21/28568 ,  H01L29/417 ,  H01L29/41708 ,  H01L29/732 ,  H01L29/8611

摘要： 提供一种半导体装置以及半导体装置的制造方法，其能够一边得到良好的电气特性，一边抑制在硅衬底处形成的保护膜等的功能受损，抑制Si－Ti面的剥离。N型硅衬底(2)在一个面具有由P型硅构成并与N型硅衬底(2)形成PN结的正极层(1)，在另一个面具有由N型硅层构成的负极层(3)。半导体装置(10)还具备：第一电极膜(4)，其在负极层(3)上形成，由钛构成，形成SiTi接合；第二电极膜(7)，其在第一电极膜(4)上形成，由Al－Si构成，形成Ti－AlSi接合；第三电极膜(5)，其在第二电极膜上形成，由Ni构成，形成AlSi－Ni接合；以及第四电极膜(6)，其在第三电极膜(5)上形成，由Au构成。