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公开(公告)号:CN1160984A
公开(公告)日:1997-10-01
申请号:CN96117913.9
申请日:1996-12-23
申请人: 三菱电机株式会社 , 菱电半导体系统工程株式会社
IPC分类号: H05K3/46
CPC分类号: H01L24/49 , H01L21/4857 , H01L23/13 , H01L23/3675 , H01L23/49811 , H01L23/49827 , H01L23/49833 , H01L24/48 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48233 , H01L2224/49109 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0105 , H01L2924/01068 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/12042 , H01L2924/15153 , H01L2924/1517 , H01L2924/15311 , H01L2924/1532 , H01L2924/16195 , H01L2924/181 , H01L2924/19043 , H01L2924/30107 , H01L2924/3025 , Y10T29/49117 , Y10T29/49126 , Y10T29/49144 , Y10T29/49165 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599
摘要: 课题是使形成于印刷基板式球状网络阵列的印刷基板上的布线间隔变窄。解决方法是使布线层20a,22a比现有技术形成得薄一个不进行电镀的厚度那么一个量。另外,布线层19a,23a由于只有一层镀层,故比现有技术形成得薄。形成得薄的布线层19a,20a,22a,23a,变成为易于使布线间隔形成得狭窄。
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公开(公告)号:CN1138302C
公开(公告)日:2004-02-11
申请号:CN96117913.9
申请日:1996-12-23
申请人: 三菱电机株式会社 , 菱电半导体系统工程株式会社
CPC分类号: H01L24/49 , H01L21/4857 , H01L23/13 , H01L23/3675 , H01L23/49811 , H01L23/49827 , H01L23/49833 , H01L24/48 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48233 , H01L2224/49109 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0105 , H01L2924/01068 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/12042 , H01L2924/15153 , H01L2924/1517 , H01L2924/15311 , H01L2924/1532 , H01L2924/16195 , H01L2924/181 , H01L2924/19043 , H01L2924/30107 , H01L2924/3025 , Y10T29/49117 , Y10T29/49126 , Y10T29/49144 , Y10T29/49165 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599
摘要: 课题是使形成于印刷基板式球状网络阵列的印刷基板上的布线间隔变窄。解决方法是使布线层20a,22a比现有技术形成得薄一个不进行电镀的厚度那么一个量。另外,布线层19a,23a由于只有一层镀层,故比现有技术形成得薄。形成得薄的布线层19a,20a,22a,23a,变成为易于使布线间隔形成得狭窄。
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公开(公告)号:CN1489209A
公开(公告)日:2004-04-14
申请号:CN03142473.2
申请日:2003-06-10
申请人: 三菱电机株式会社
发明人: 柴田润
IPC分类号: H01L23/522 , H01L23/48 , H01L21/60 , H01L21/768 , H01L21/28
CPC分类号: H01L24/06 , H01L23/50 , H01L23/525 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/16 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05 , H01L2224/05554 , H01L2224/05578 , H01L2224/05624 , H01L2224/1134 , H01L2224/13028 , H01L2224/1308 , H01L2224/13099 , H01L2224/451 , H01L2224/45144 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/49 , H01L2224/85399 , H01L2924/00014 , H01L2924/10161 , H01L2924/19043 , H01L2924/00 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2224/45099
摘要: 本发明目的在于,防止在用选项设定焊盘的电压来设定功能与状态(以下称为选项)的半导体装置的选项设定时,层间膜的裂纹或焊盘剥离。本发明的半导体装置的半导体基片的主面上设有选项设定部分10,其中,用以设定半导体装置的选项的、其外周边缘部分被表面保护膜11a覆盖的选项设定焊盘5C和用以供给固定电位的、其外周边缘部分被保护绝缘膜11a覆盖的固定电位焊盘5D,隔着表面保护膜11b相邻接。半导体装置的选项设定,通过是否设置覆盖选项设定焊盘5C、固定电位焊盘5D以及表面保护膜11a、11b而形成的柱形凸起15加以实现。
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公开(公告)号:CN1157481A
公开(公告)日:1997-08-20
申请号:CN96122604.8
申请日:1996-10-04
申请人: 三菱电机株式会社
IPC分类号: H01L21/60
CPC分类号: H01L24/50 , H01L21/56 , H01L23/3121 , H01L23/3135 , H01L23/49572 , H01L24/10 , H01L24/13 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/91 , H01L2224/13 , H01L2224/13099 , H01L2224/16 , H01L2224/48091 , H01L2224/50 , H01L2224/73211 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01013 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01068 , H01L2924/01076 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/15151 , H01L2924/15311 , H01L2924/16152 , H01L2924/181 , H01L2924/18161 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599 , H01L2224/85399
摘要: 本发明公开了散热性质与电性质有了改进的适用于具有一批电极的半导体器件及其制造方法。使上面形成有隆起部的半导体晶片的表面与上面形成有焊盘的电路基片相互面对。由聚酰亚胺带与TAB引线组成TAB带。隆起部与焊盘通过扁平的TAB带相互电连。焊盘通过电路基片中的互连线与内部连接电极电连。从隆起部延伸到焊盘的TAB引线的长度减小,因而使通过TAB引线的信号能改进电特性。TAB带的应用可使此半导体器件适用于具有多个隆起部的半导体晶片。
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公开(公告)号:CN1112724C
公开(公告)日:2003-06-25
申请号:CN96122604.8
申请日:1996-10-04
申请人: 三菱电机株式会社
IPC分类号: H01L21/60
CPC分类号: H01L24/50 , H01L21/56 , H01L23/3121 , H01L23/3135 , H01L23/49572 , H01L24/10 , H01L24/13 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/91 , H01L2224/13 , H01L2224/13099 , H01L2224/16 , H01L2224/48091 , H01L2224/50 , H01L2224/73211 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01013 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01068 , H01L2924/01076 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/15151 , H01L2924/15311 , H01L2924/16152 , H01L2924/181 , H01L2924/18161 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599 , H01L2224/85399
摘要: 本发明公开了散热性质与电性质有了改进的适用于具有一批电极的半导体器件及其制造方法。使上面形成有隆起部的半导体晶片的表面与上面形成有焊盘的电路基片相互面对。由聚酰亚胺带与TAB引线组成TAB带。隆起部与焊盘通过扁平的TAB带相互电连。焊盘通过电路基片中的互连线与内部连接电极电连。从隆起部延伸到焊盘的TAB引线的长度减小,因而使通过TAB引线的信号能改进电特性。TAB带的应用可使此半导体器件适用于具有多个隆起部的半导体晶片。
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公开(公告)号:CN1138215A
公开(公告)日:1996-12-18
申请号:CN96103623.0
申请日:1996-03-18
申请人: 三菱电机株式会社
CPC分类号: H01L23/057 , H01L23/13 , H01L23/642 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/49109 , H01L2924/01079 , H01L2924/15153 , H01L2924/1517 , H01L2924/15311 , H01L2924/1532 , H01L2924/16195 , H01L2924/19041 , Y10S257/924 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00015
摘要: 一种半导体装置,它有一个基板,基板中有一用于并在其中装半导体器元件的空腔和在腔的周边上的降下台阶表面,用于并在其上边装配片状部件。装配在半导体器件和片状部件易于由导体连到外部电路上。基板上加盖并把密封材料灌注到盖和基板之间的空间中使腔密封,并在可以沿着腔的整个周边延伸的降下台阶表面上使片状部件封成囊状包。盖可以包括一个用于紧靠到降下台阶表面侧壁上的凸出,或者降下台阶表面可包括一个侧壁,侧壁有一用于紧靠到盖的周边上的凸出。还可有附加到半导体器件上的散热器。
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公开(公告)号:CN1183593C
公开(公告)日:2005-01-05
申请号:CN01135793.2
申请日:2001-10-19
申请人: 三菱电机株式会社
CPC分类号: H01L23/49575 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L25/0657 , H01L25/105 , H01L25/16 , H01L2224/05554 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2225/06551 , H01L2225/06568 , H01L2225/1011 , H01L2225/1029 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/10161 , H01L2924/10162 , H01L2924/14 , H01L2924/15153 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要: 本发明的半导体装置备有第一半导体组件(7)和安装在该第一半导体组件(7)上的第二半导体组件(8)。第一半导体组件(7)的表面上有第二半导体组件安装用接触区(6),背面上有与安装基板连接用的外部连接用接触区(12)。第二半导体组件(8)有与第二半导体组件安装用接触区(6)连接的外部引线(10)。
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公开(公告)号:CN1368761A
公开(公告)日:2002-09-11
申请号:CN01135793.2
申请日:2001-10-19
申请人: 三菱电机株式会社
CPC分类号: H01L23/49575 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L25/0657 , H01L25/105 , H01L25/16 , H01L2224/05554 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2225/06551 , H01L2225/06568 , H01L2225/1011 , H01L2225/1029 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/10161 , H01L2924/10162 , H01L2924/14 , H01L2924/15153 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要: 本发明的半导体装置备有第一半导体组件(7)和安装在该第一半导体组件(7)上的第二半导体组件(8)。第一半导体组件(7)的表面上有第二半导体组件安装用接触区(6),背面上有与安装基板连接用的外部连接用接触区(12)。第二半导体组件(8)有与第二半导体组件安装用接触区(6)连接的外部引线(10)。
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公开(公告)号:CN1058109C
公开(公告)日:2000-11-01
申请号:CN96103623.0
申请日:1996-03-18
申请人: 三菱电机株式会社
CPC分类号: H01L23/057 , H01L23/13 , H01L23/642 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/49109 , H01L2924/01079 , H01L2924/15153 , H01L2924/1517 , H01L2924/15311 , H01L2924/1532 , H01L2924/16195 , H01L2924/19041 , Y10S257/924 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00015
摘要: 一种半导体器件,包括基板,基板上具有安装半导体元件的空腔和在腔的周边上的下降台阶表面,用于在其上边装配片状部件。半导体元件和片状部件易于由导体连到外部电路上。基板上加盖并把密封材料灌注到盖和基板之间的空间中使腔密封,并沿着腔的整个周边延伸的下降台阶表面上使片状部件包封。盖可以包括用于紧靠到下降台阶表面侧壁上的凸出,或者下降台阶表面可包括一个侧壁,侧壁有用于紧靠到盖的周边上的凸出。还可有附加到半导体元件上的散热器。
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