公开(公告)号：CN105990290A

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201510641267.3

申请日：2015-09-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄震麟 ,  张容华 ,  高志杰 ,  林俊成

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/535

CPC classification number: H01L23/3128 ,  H01L21/486 ,  H01L21/568 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/1436 ,  H01L2924/1437 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/45099 ,  H01L23/485 ,  H01L23/535

Abstract: 封装件包括器件管芯、具有沙漏轮廓的贯通孔和成型材料，在该成型材料中模制器件管芯和贯通孔，其中成型材料的顶面与器件管芯的顶面基本齐平。介电层覆盖成型材料和器件管芯。多条再分布线(RDL)延伸到介电层中，以电耦接至器件管芯和贯通孔。本发明还提供了封装件中的非垂直贯通孔。

公开(公告)号：CN108987356A

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201710963806.4

申请日：2017-10-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张容华 ,  蔡柏豪 ,  林俊成

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/498

Abstract: 提供半导体封装结构，半导体封装结构包含芯片结构，半导体封装结构包含第一导电结构位于芯片结构上方，第一导电结构电性连接至芯片结构，第一导电结构包含第一过渡层位于芯片结构上方以及第一导电层位于第一过渡层上，第一导电层大致由双晶铜制成。

公开(公告)号：CN103579150B

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201210454405.3

申请日：2012-11-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张容华 ,  黄震麟 ,  林俊成

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/13 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/118 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13016 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/1319 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/06 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/37001 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种用于球栅阵列(BGA)的焊料凸块。一种用于球栅阵列的焊料凸块结构包括：至少一个凸块下金属化(UBM)层；以及焊料凸块，形成在至少一个UBM层上方。焊料凸块具有凸块宽度和凸块高度，并且凸块高度与凸块宽度的比值小于1。

公开(公告)号：CN112530892A

公开(公告)日：2021-03-19

申请号：CN202010139145.5

申请日：2020-03-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张容华 ,  卢思维 ,  施应庆

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/48 ,  H01L23/367

Abstract: 一种包括集成电路管芯及多个导电凸块的半导体结构。集成电路管芯包括多个凸块接垫。多个导电凸块设置在多个凸块接垫上。多个导电凸块中的每一者包括设置在多个凸块接垫中的一者上的第一柱部分及设置在第一柱部分上的第二柱部分。第二柱部分经由第一柱部分电连接到多个凸块接垫中的一者，其中第一柱部分的第一宽度大于第二柱部分的第二宽度。也提供一种包括上述半导体结构的封装结构。

公开(公告)号：CN112151391A

公开(公告)日：2020-12-29

申请号：CN202010241337.7

申请日：2020-03-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李苓玮 ,  张容华 ,  黄震麟

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/48 ,  H01L23/488

Abstract: 本公开实施例提供一种芯片封装结构形成方法。此方法包括在第一基板中形成导孔结构。此方法包括将芯片接合到第一基板的第一表面。此方法包括在第一基板的第二表面上方形成阻障层。此方法包括在阻障层上方形成第一绝缘层。此方法包括在第一绝缘层上方以及在第一开口、第二开口、第三开口中形成导电垫。导电垫从导孔结构连续地延伸到第三开口中。此方法包括在第三开口中的导电垫上方形成导电凸块。

公开(公告)号：CN103579150A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201210454405.3

申请日：2012-11-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张容华 ,  黄震麟 ,  林俊成

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/13 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/118 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13016 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/1319 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/06 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/37001 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种用于球栅阵列(BGA)的焊料凸块。一种用于球栅阵列的焊料凸块结构包括：至少一个凸块下金属化(UBM)层；以及焊料凸块，形成在至少一个UBM层上方。焊料凸块具有凸块宽度和凸块高度，并且凸块高度与凸块宽度的比值小于1。

公开(公告)号：CN112530892B

公开(公告)日：2025-04-04

申请号：CN202010139145.5

申请日：2020-03-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张容华 ,  卢思维 ,  施应庆

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/48 ,  H01L23/367

Abstract: 一种包括集成电路管芯及多个导电凸块的半导体结构。集成电路管芯包括多个凸块接垫。多个导电凸块设置在多个凸块接垫上。多个导电凸块中的每一者包括设置在多个凸块接垫中的一者上的第一柱部分及设置在第一柱部分上的第二柱部分。第二柱部分经由第一柱部分电连接到多个凸块接垫中的一者，其中第一柱部分的第一宽度大于第二柱部分的第二宽度。也提供一种包括上述半导体结构的封装结构。

公开(公告)号：CN112447531A

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：CN202010876211.7

申请日：2020-08-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李苓玮 ,  张容华 ,  黄震麟

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L23/488

Abstract: 提供一种封装结构及其制造方法。上述方法包括形成一导电结构于承载基底上方。导电结构具有一下部及一上部，且上部宽于下部。上述方法也包括设置一半导体芯片于承载基底上方。上述方法也包括形成一保护层以环绕导电结构及半导体芯片。另外，上述方法包括形成一导电凸块于导电结构上方。导电结构的下部位于导电凸块与导电结构的上部之间。

公开(公告)号：CN105990290B

公开(公告)日：2020-07-03

申请号：CN201510641267.3

申请日：2015-09-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄震麟 ,  张容华 ,  高志杰 ,  林俊成

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/535

Abstract: 封装件包括器件管芯、具有沙漏轮廓的贯通孔和成型材料，在该成型材料中模制器件管芯和贯通孔，其中成型材料的顶面与器件管芯的顶面基本齐平。介电层覆盖成型材料和器件管芯。多条再分布线(RDL)延伸到介电层中，以电耦接至器件管芯和贯通孔。本发明还提供了封装件中的非垂直贯通孔。

公开(公告)号：CN112151391B

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202010241337.7

申请日：2020-03-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李苓玮 ,  张容华 ,  黄震麟

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/48 ,  H01L23/488

Abstract: 本公开实施例提供一种芯片封装结构形成方法。此方法包括在第一基板中形成导孔结构。此方法包括将芯片接合到第一基板的第一表面。此方法包括在第一基板的第二表面上方形成阻障层。此方法包括在阻障层上方形成第一绝缘层。此方法包括在第一绝缘层上方以及在第一开口、第二开口、第三开口中形成导电垫。导电垫从导孔结构连续地延伸到第三开口中。此方法包括在第三开口中的导电垫上方形成导电凸块。