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    半導体装置用フィルム、及び、半導体装置の製造方法
    64.
    发明专利
    半導体装置用フィルム、及び、半導体装置の製造方法 审中-公开
    的半导体器件的半导体器件膜，及其制造方法

    公开(公告)号：JP2016213236A

    公开(公告)日：2016-12-15

    申请号：JP2015092992

    申请日：2015-04-30

    申请人： 日東電工株式会社

    发明人： 高本 尚英 ,  木村 龍一

    IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/00 ,  C09J7/02 ,  C09J201/00 ,  H01L21/301

    CPC分类号： H01L21/6836 ,  B32B37/025 ,  B32B38/0004 ,  B32B38/10 ,  B32B43/006 ,  H01L23/544 ,  B32B2310/0843 ,  B32B2457/14 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2223/54406 ,  H01L2223/5442 ,  H01L2223/54433 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/16225

    摘要： 【課題】ロール状に巻き取った際のフリップチップ型半導体裏面用フィルムへの転写痕を抑制し、マーキングされる各種情報の視認性の低下を抑制することが可能な半導体装置用フィルムを提供すること。 【解決手段】 セパレータ上に、所定の間隔をあけて配置された複数のダイシングテープ付きフリップチップ型半導体裏面用フィルムと、ダイシングテープ付きフリップチップ型半導体裏面用フィルムよりも外側に配置された外側シートとを備え、ダイシングテープ付きフリップチップ型半導体裏面用フィルムは、ダイシングテープとフリップチップ型半導体裏面用フィルムとを有する構成であり、外側シートの最も幅の狭い部分の長さをG、セパレータの長辺からダイシングテープまでの長さをFとしたとき、Gが、Fの0.2倍〜0.95倍の範囲内である半導体装置用フィルム。 【選択図】 図1

    摘要翻译： 当卷绕成卷甲抑制转录标记拍摄的倒装芯片型半导体背面，提供一种能够抑制各种类型的信息的可见性降低的膜的半导体器件将被标记 它。 上的分离器，多个与倒装芯片型设置在预定间隔半导体背面薄膜，外部薄片比倒装芯片型半导体背面膜位于外侧的切割带切割带的 与门，用于与倒装芯片型半导体背面薄膜切割带具有这样的结构，其中，切割带和倒装芯片型半导体背面薄膜，外片G的最窄部分的长度，分离器长度 当侧面到切割带和F的长度，G是，用于半导体器件的薄膜是在的F. 0.2至0.95倍的范围内 点域1

    コンパクトなレーザーデバイス
    65.
    发明专利
    コンパクトなレーザーデバイス 审中-公开
    紧凑激光装置

    公开(公告)号：JP2016533639A

    公开(公告)日：2016-10-27

    申请号：JP2016522763

    申请日：2014-10-14

    申请人： コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V. ,  コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V.

    发明人： ヘニング ゲルラッハ，フィリップ ,  ヘニング ゲルラッハ，フィリップ ,  ヴァイグル，アレクサンダー

    IPC分类号： H01S5/042 ,  H01S5/40

    CPC分类号： H01S5/028 ,  H01L22/30 ,  H01L23/544 ,  H01L31/16 ,  H01L2223/54413 ,  H01L2223/54433 ,  H01L2223/5448 ,  H01L2924/0002 ,  H01S5/042 ,  H01S5/18327 ,  H01S5/22 ,  H01S5/423 ,  H01L2924/00

    摘要： 本発明は、一つの半導体チップの上に2個と6個との間のメサが備えられたレーザーデバイスを説明する。メサは電気的に並列に接続されており、定められた閾値電圧が前記メサに対して提供される場合にレーザー光を同時に発するように適合されている。1個のメサを用いるレーザーデバイスと比べて低減された活性直径を伴う2個から6個のメサは、2個から6個のメサが半導体チップ上でより多くの領域を要するという事実にもかかわらず、歩留まりとパフォーマンスを改善し、従って、半導体チップの全体サイズを増加している。本発明は、さらに、半導体チップにマーキングする方法を説明する。半導体チップの機能性レイヤが、構成された機能性レイヤを光学的に検出する手段によって一つの半導体チップが一意的に特定され得るように、備えられ、かつ、構成される。構成されたレイヤにより、200μm×200μmのサイズを伴う小さな半導体チップを特定できる。

    摘要翻译： 本发明描述了具有在两个和六个之间设有一个单一的半导体芯片上的台面结构的激光装置。 台面适于同时发射激光束时并联电连接，所确定的阈值电压被提供给所述台面。 六个台面2具有减小的有效直径比使用台面的一个激光装置，尽管从两个六台面它占用在半导体芯片上更多的空间的事实 不提高成品率和性能，因此，它增加了半导体芯片的整体尺寸。 本发明还描述了标记的半导体芯片的方法。 功能层的所述半导体芯片，所配置的功能性层为单个半导体芯片可以被唯一通过光学检测装置，设置和构造确定。 所配置的层可以具有200微米的尺寸×200微米识别小的半导体芯片。

    半導体装置およびその製造方法
    66.
    发明专利
    半導体装置およびその製造方法 审中-公开
    半导体器件及其制造方法

    公开(公告)号：JP2016171149A

    公开(公告)日：2016-09-23

    申请号：JP2015048889

    申请日：2015-03-11

    申请人： 株式会社東芝

    发明人： 鈴木 拓馬 ,  藤澤 博文 ,  白川 努 ,  佐野 賢也

    IPC分类号： H01L21/02

    CPC分类号： H01L23/544 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/872 ,  H01L2223/54406 ,  H01L2223/54433 ,  H01L2223/54473

    摘要： 【課題】デバイス不良の低減を可能とする半導体装置を提供する。 【解決手段】実施形態の半導体装置は、常圧で液相がない材料の単結晶の基板と、上記基板に設けられ、非晶質の上記材料の領域、又は、ストイキオメトリから外れた上記材料の領域を有する識別マークと、を備える。 【選択図】図1

    摘要翻译： 要解决的问题：提供能够减少器件故障的半导体器件。解决方案：一个实施例的半导体器件包括：在常压下不具有液相的材料的单晶衬底; 以及设置在基板上并且具有上述非晶质材料的区域或者化学计量以外的上述材料的区域的识别标记。图1

    ダイ実装システムのウエハマップ管理装置及びダイ実装方法
    69.
    发明专利
    ダイ実装システムのウエハマップ管理装置及びダイ実装方法 有权
    管芯安装系统的晶片地图管理设备和管芯安装方法

    公开(公告)号：JPWO2013161061A1

    公开(公告)日：2015-12-21

    申请号：JP2014512256

    申请日：2012-04-27

    申请人： 富士機械製造株式会社

    发明人： 英希 保坂 ,  英希 保坂 ,  友則 岩瀬 ,  友則 岩瀬 ,  邦明 柘植 ,  邦明 柘植 ,  延久 小見山 ,  延久 小見山

    IPC分类号： H01L21/52 ,  H01L21/02 ,  H01L21/66

    CPC分类号： H01L21/67132 ,  H01L21/67271 ,  H01L21/67288 ,  H01L21/67724 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/544 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2223/54433 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： ウエハマップを参照して、ウエハから良品ダイを順番にピックアップして基板に実装すると共に、ウエハマップのうちのピックアップ済みのダイ位置のステータスを「良品ダイ」から「ピックアップ済み」に書き換える一方、画像処理エラー又はピックアップミスが発生したダイ位置のステータスを「画像処理エラー」又は「ピックアップミス」に書き換える。ダイピックアップ装置にウエハマップ修正機能を搭載し、作業者がダイピックアップ装置の表示装置の画面上で、ウエハマップのうちの「画像処理エラー」又は「ピックアップミス」に書き換えられたダイ位置のステータスを「良品ダイ」に修正し、修正後のウエハマップを参照して、画像処理エラー又はピックアップミスにより取り残されたダイのピックアップを再実行する。

    摘要翻译： 参考晶片图，具有从晶片的良好模依次安装在基板上拾取，而重写拾波器的状态已经从“良好裸片”到“拾取完成”管芯的晶片图的位置时，图像 其重写模具位置拾取未中的处理错误或状态发生在“图像处理错误”或“拾取命中”。 安装晶片图校正功能，芯片拾取装置，改写模位于晶片地图的“拾取未命中”管芯拾取装置中，“图像处理错误”或状态的显示装置的屏幕上操作员 固定在“良好裸片”，用校正后的参考晶片图，重新运行拾取管芯由图像处理错误或拾取错过留下。