公开(公告)号：KR20210027626A

公开(公告)日：2021-03-11

申请号：KR1020190106692A

申请日：2019-08-29

申请人： 삼성디스플레이 주식회사

发明人： 손선권 ,  차나현

IPC分类号： G02F1/1333

CPC分类号： G02F1/1333 ,  H01L23/544 ,  G02F1/133374 ,  G02F1/1339 ,  G02F1/13458 ,  G02F1/136286 ,  H01L27/3223 ,  H01L27/3276 ,  H01L2223/54406 ,  H01L2223/54413 ,  H01L2223/54433 ,  H01L2223/54486

摘要： 일 실시예에 따른 표시 장치는 표시 패널, 상기 표시 패널의 측면에 위치하는 제1 패드부, 그리고 상기 표시 패널의 상기 측면에 위치하는 정보 코드를 포함한다.

公开(公告)号：JP2018157134A

公开(公告)日：2018-10-04

申请号：JP2017054230

申请日：2017-03-21

申请人： ルネサスエレクトロニクス株式会社

发明人： 橋詰 昭二 ,  高田 圭太

IPC分类号： H01L23/28 ,  H01L23/50

CPC分类号： H01L21/565 ,  B29C45/0025 ,  B29C45/0046 ,  B29C45/14336 ,  B29C45/14655 ,  B29C2045/0027 ,  B29L2031/34 ,  H01L21/4825 ,  H01L21/4842 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/544 ,  H01L2223/54433 ,  H02P27/06

摘要： 【課題】半導体装置の信頼性を向上する。 【解決手段】半導体装置SDの製造方法は、Y方向に重なるように配置された2つの半導体チップCH1およびCH2を樹脂封止する際に、金型の樹脂注入口であるゲート部G1の近傍にリード2dを配置して、封止体1内にボイドが残留するのを防止するものである。そして、リード2dのインナーリード部ILのY方向における長さL2は、Y方向において、チップ搭載部4aと重なるリード2aのインナーリード部ILのY方向における長さL1よりも長い。 【選択図】図5

公开(公告)号：JP2018513554A

公开(公告)日：2018-05-24

申请号：JP2017549243

申请日：2016-03-18

申请人： ロヒンニ リミテッド ライアビリティ カンパニー

发明人： アンドリュー ハスカ ,  コディ ピーターソン ,  クリントン アダムス ,  シーン クプカウ

IPC分类号： H01L21/50 ,  H01L21/58 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  H01L23/12

CPC分类号： H01L25/0753 ,  G02F1/133603 ,  G02F1/133605 ,  G02F1/133606 ,  G02F2001/133612 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/67144 ,  H01L21/67196 ,  H01L21/67265 ,  H01L21/67715 ,  H01L21/67778 ,  H01L21/681 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/68742 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20 ,  H01L23/53242 ,  H01L23/544 ,  H01L24/83 ,  H01L24/89 ,  H01L33/62 ,  H01L2221/68322 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68354 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2223/54413 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54433 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/83224 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/405 ,  H01L2933/0066

摘要： 半導体デバイスの製品基材への転写方法は、半導体デバイスを載置した半導体ウェーハの第1の表面に面するように製品基材の表面を位置決めすることと、半導体ウェーハの第2の表面に転写機構を係合させるように転写機構を作動させることとを含む。半導体ウェーハの第2の表面は、半導体ウェーハの第1の表面と反対側にある。転写機構を作動させることは、半導体ウェーハの第1の表面に配置された特定の半導体デバイスの位置に対応する半導体ウェーハの第2の表面上の位置に対してピンを押圧させることと、ピンを静止位置に格納することとを含む。方法は、半導体ウェーハの第2の表面から特定の半導体デバイスを取り外すことと、特定の半導体デバイスを製品基材に取り付けることとを含む。

公开(公告)号：JP2017535974A

公开(公告)日：2017-11-30

申请号：JP2017542815

申请日：2015-11-02

申请人： ブルックス オートメーション インコーポレイテッド ,  ブルックス オートメーション インコーポレイテッド

发明人： シー ボノラ、アンソニー ,  シー ボノラ、アンソニー ,  グラシアーノ、ジャスト

IPC分类号： H01L21/677 ,  B65G49/00 ,  G03F7/20

CPC分类号： H01L21/68707 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/67259 ,  H01L21/681 ,  H01L21/682 ,  H01L23/544 ,  H01L2223/54406 ,  H01L2223/54433 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 半導体ウェハ搬送装置が、フレームと、搬送アームと、縁部検出センサと、を含み、搬送アームが、フレームに移動可能に取り付けられ、アームと一体となってフレームに対して第1方向に横断し、搬送アームに対して第2方向に直線的に横断するように、アームに移動可能に取り付けられる少なくとも1つのエンドエフェクタを有し、縁部検出センサが、搬送アームと一体となって、フレームに対し移動するように搬送アームに取り付けられ、縁部検出センサが、エンドエフェクタによって同時に支持されるそれぞれのウェハの縁部検出をもたらす共通センサであり、縁部検出センサは、それぞれのウェハの縁部検出が、搬送アーム上のそれぞれのエンドエフェクタの第2方向における横断によって、第2方向における横断と同時に行われるように構成される。

公开(公告)号：JP6193665B2

公开(公告)日：2017-09-06

申请号：JP2013155546

申请日：2013-07-26

申请人： ルネサスエレクトロニクス株式会社

发明人： 宮木 美典 ,  山田 勝

IPC分类号： H05K1/02 ,  H05K3/00 ,  H01L23/12

CPC分类号： H01L24/97 ,  H01L23/544 ,  H01L21/6836 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2223/54406 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54433 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48228 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15183 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181

公开(公告)号：JP2017105697A

公开(公告)日：2017-06-15

申请号：JP2016201928

申请日：2016-10-13

申请人： 東洋炭素株式会社

发明人： 鳥見 聡 ,  篠原 正人 ,  寺元 陽次 ,  矢吹 紀人 ,  野上 暁 ,  北畠 真

IPC分类号： C30B33/12 ,  H01L21/302 ,  B24B7/22 ,  H01L21/304 ,  C30B29/36

CPC分类号： H01L29/1608 ,  H01L21/02008 ,  H01L21/02016 ,  H01L21/02019 ,  H01L21/0475 ,  H01L21/304 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3065 ,  H01L23/544 ,  H01L2223/54433

摘要： 【課題】クラック等が生じない方法でSiCウエハを薄くするとともに、SiCウエハの厚みの調整後の研磨を省略可能な薄型SiCウエハの製造方法の提供。 【解決手段】インゴット4を所定の間隔で切断して複数のSiCウエハ40を切り出すウエハ切出工程、SiCウエハ40の外周面に対して、機械加工等により面取りを行う外周面加工工程、SiCウエハ40を識別するための情報としての刻印を形成する刻印形成工程、続いて、Si蒸気圧下で加熱するSi蒸気圧エッチングにより、表面をエッチング速度500nm/min以上でエッチングし、100μm以下まで厚みを小さくする薄化工程、を含む薄型SiCウエハの製造方法。 【選択図】図3

公开(公告)号：JPWO2015141555A1

公开(公告)日：2017-04-06

申请号：JP2016508684

申请日：2015-03-12

申请人： リンテック株式会社

发明人： 卓生 西田 ,  卓生 西田 ,  明徳 佐藤 ,  明徳 佐藤

IPC分类号： H01L21/301 ,  B32B27/00 ,  C09J4/00 ,  C09J7/02 ,  C09J201/00

CPC分类号： C09J4/00 ,  C09J7/38 ,  C09J7/385 ,  C09J2201/622 ,  C09J2203/326 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/544 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2223/54433 ,  H01L2223/54486 ,  C08F220/18

摘要： 基材(2)と、基材(2)の少なくとも一方の面に積層された粘着剤層(3)とを備えたダイシングシート(1)であって、粘着剤層(3)は、エネルギー重合性化合物(B)を含む粘着剤組成物から形成されたものであり、粘着剤層(3)はエネルギー線照射前の23℃における貯蔵弾性率が135,000Pa以下であり、粘着剤層(3)にエネルギー線を照射する前のダイシングシート(1)について、JIS Z0237:2009に準拠して、ステンレス試験板に対する180°引きはがし粘着力試験を行ったときに測定される粘着力が、10N/25mm以上であり、ダイシングシート(1)の粘着剤層(3)にエネルギー線を照射したのち、当該ダイシングシート(1)について、ガードナー式マンドレル屈曲試験機を用いて、ASTM−D522に基づいて、マンドレルの直径を2mmとして折り曲げ試験を行っても、エネルギー線照射後の粘着剤層(3)に割れが生じない。

公开(公告)号：JP2017055070A

公开(公告)日：2017-03-16

申请号：JP2015179997

申请日：2015-09-11

申请人： 株式会社東芝

发明人： 高野 勇佑 ,  渡部 武志

IPC分类号： H01L23/00 ,  H01L21/28 ,  H01L23/28

CPC分类号： H01L23/552 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/32051 ,  H01L23/481 ,  H01L23/544 ,  H01L24/97 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/561 ,  H01L2223/54406 ,  H01L2223/54433 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/97 ,  H01L23/3121 ,  H01L2924/15313

摘要： 【課題】外観検査工程において不良を発見し易い半導体装置およびその製造方法を提供する。 【解決手段】本実施形態による半導体装置の製造方法は、第1面と、該第1面の反対側にある第2面と、前記第1面と前記第2面との間にある側面とを有する基板の第1面上に半導体チップを搭載することを具備する。半導体チップ上に半導体チップの第1面を封止する樹脂部を形成する。接地電位源に電気的に接続される導電性膜を、樹脂部の上面上および樹脂部の側面上に形成する。酸素または窒素を含む雰囲気中において金属を導電性膜上に成膜することによって導電性膜上に金属酸化膜または金属窒化膜を形成する。 【選択図】図2

公开(公告)号：JPWO2014157426A1

公开(公告)日：2017-02-16

申请号：JP2015508641

申请日：2014-03-26

申请人： リンテック株式会社

发明人： 裕之 米山 ,  裕之 米山 ,  尚哉 佐伯 ,  尚哉 佐伯

IPC分类号： H01L21/301 ,  C09J4/00 ,  C09J7/02 ,  C09J201/00

CPC分类号： C09J7/0275 ,  C09J7/20 ,  C09J7/243 ,  C09J2201/622 ,  C09J2203/326 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/544 ,  H01L23/552 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2223/54433 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 保護膜形成用複合シート10は、基材11上に粘着剤層12が設けられてなる粘着シート16と、保護膜形成用フィルム13と、剥離フィルム14とを備える。保護膜形成用フィルム13と剥離フィルム14の間の剥離力最大値をα(mN/25mm)、粘着シート16と保護膜形成用フィルム13の間の剥離力最小値をβ(mN/25mm)、粘着シート16と保護膜形成用フィルム13の間の剥離力最大値をγ(mN/25mm)とすると、α、β、γが以下の(1)〜(3)の関係を有する。β≧70 (1)α/β≦0.50 (2)γ≦2000 (3)

摘要翻译： 保护膜形成复合片材10包括粘接片16，其包括被设置在基板11上12上的压敏粘合剂层，和保护膜形成膜13，剥离膜14。 保护膜形成膜13和剥离膜14α（MN / 25毫米）之间的剥离力的最大值时，压敏粘合片16和保护膜形成膜13之间的剥离强度的最小值β（MN / 25毫米）， 当形成保护膜膜13和γ（MN / 25毫米）的压敏粘合剂片材16之间的剥离力的最大值，α，β，γ具有的关系的下述（1）〜（3）。 β≧70（1）α/β≦0.50（2）γ≦2000（3）

公开(公告)号：JP2017026505A

公开(公告)日：2017-02-02

申请号：JP2015146314

申请日：2015-07-24

申请人： ルネサスエレクトロニクス株式会社

发明人： 石井 稔二 ,  槇平 尚宏 ,  岩崎 秀和 ,  松橋 潤

IPC分类号： G01R31/30 ,  G01R31/26

CPC分类号： H01L22/14 ,  G01R31/2884 ,  H01L21/56 ,  H01L21/67242 ,  H01L22/32 ,  H01L23/49541 ,  H01L24/32 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L24/92 ,  H01L2223/54433 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48101 ,  H01L2224/48106 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48245 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85207 ,  H01L2224/92247 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/544 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/17747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19042

摘要： 【課題】電気的試験の信頼性を向上させる。 【解決手段】一実施の形態による半導体装置の製造方法は、複数のリードLD1(第1リード)に電位(第1電位)VT1を供給して電気的試験を行う工程において、複数のリードLD1のそれぞれに複数のテスト端子27、28を接触させて電位VT1を供給する。また、複数のテスト端子27のうちのテスト端子27は、複数のリードLD1のそれぞれに個別に接触するように設けられ、テスト端子28は、複数のリードLD1に一括して接触する。 【選択図】図15

摘要翻译： 为了改善电测试的可靠性。 一种用于根据一个实施例的多个引线LD1（第一引线），多个引线LD1的制造半导体器件，在执行通过供给的电位（第一电位）的电测试的步骤VT1方法 由分别的多个测试端子27和28的接触提供电位VT1。 此外，分别设置在多个测试端子27的测试端子27，以便个别地接触所述多个引线LD1，测试端子28相接触，以共同地对多个引线LD1。 .The 15