公开(公告)号：JPWO2012060022A1

公开(公告)日：2014-05-12

申请号：JP2012541703

申请日：2010-12-16

申请人： ホライゾン技術研究所株式会社

发明人： 石川久雄

IPC分类号： H05K3/34 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L21/4853 ,  B23K35/262 ,  B23K35/3601 ,  B23K35/362 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L2224/03442 ,  H01L2224/0381 ,  H01L2224/03849 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/00012

摘要： 電子回路基板又は電子部品の微小面積の電極パッド又は狭ピッチのリード表面に錫またははんだ皮膜を形成する方法において、パッドまたはリード以外の表面がソルダーレジスト膜で保護され、パッドまたはリードのみが露出している電子回路基板または電子部品連結体(以下、ワークという)の清浄化された前記パッドまたは前記リード表面に、錫またははんだ微粒子を搭載させる第1ステップと、前記錫またははんだ微粒子を核として前記パッドまたは前記リード表面に融着させて錫またははんだ皮膜を形成させる第2ステップと、前記錫またははんだ皮膜表面に高温の有機脂肪酸溶液を吹付けて余剰に付着した前記錫またははんだを吹き落し除去する第3ステップとにより、前記パッドまたは前記リードに厚さ2〜20μmで、かつ厚さのばらつきが±3μm以下の均一な錫またははんだ皮膜を形成させる。

公开(公告)号：JP5922523B2

公开(公告)日：2016-05-24

申请号：JP2012163896

申请日：2012-07-24

申请人： ナショナル チャオ ツン ユニヴァーシティー

发明人： チー チェン ,  キン ニン ツー ,  シャン ヤオ シャオ

IPC分类号： B23K1/00 ,  B23K1/20 ,  H01L21/60

CPC分类号： C23C28/021 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/03849 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/08503 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/131 ,  H01L24/11 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/3651

公开(公告)号：JP6341336B2

公开(公告)日：2018-06-13

申请号：JP2017547728

申请日：2016-10-14

申请人： 株式会社村田製作所

发明人： 中磯 俊幸

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L23/5283 ,  H01G4/008 ,  H01G4/228 ,  H01G4/33 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/7685 ,  H01L21/76895 ,  H01L23/53238 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L27/016 ,  H01L27/0248 ,  H01L29/45 ,  H01L2224/03849 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13021 ,  H03H3/00 ,  H03H7/0115

公开(公告)号：JP2016051741A

公开(公告)日：2016-04-11

申请号：JP2014174648

申请日：2014-08-28

申请人： ルネサスエレクトロニクス株式会社

发明人： 西 尊臣 ,  斎藤 剛彦 ,  鳥居 克裕

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L24/03 ,  H01L21/304 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53228 ,  H01L24/02 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/92 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/02311 ,  H01L2224/02313 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/02377 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0381 ,  H01L2224/03828 ,  H01L2224/03848 ,  H01L2224/03849 ,  H01L2224/039 ,  H01L2224/03901 ,  H01L2224/0392 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05084 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05562 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/1181 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/9212 ,  H01L2224/94 ,  H01L23/525 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/562 ,  H01L24/13 ,  H01L24/94 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/365

摘要： 【課題】半導体装置のフリップチップ接合における接合信頼性を向上させる。 【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体ウエハの主面に形成された複数の電極パッドのそれぞれに接続され、かつ上記複数の電極パッドのそれぞれの位置を異なる位置に配置する配線上に、Ni/Au膜を形成する工程、上記半導体ウエハの裏面を研磨する工程、上記Ni/Au膜の表面に対して還元処理を行う工程、上記Ni/Au膜上に半田バンプを形成する工程、を有する。上記還元処理では、フラックス塗布、リフロー、洗浄の各処理を行い、上記還元処理完了後、上記Ni/Au膜に半田バンプを接合する。 【選択図】図8

摘要翻译： 要解决的问题：提高半导体器件的倒装芯片接合中的接合可靠性。解决方案：一种半导体器件制造方法包括：分别在与多个电极焊盘连接的互连上形成Ni / Au膜的工艺，其中 形成在半导体晶片的主表面上，并且所述多个电极焊盘的位置被布置在彼此不同的位置上; 抛光半导体晶片的背面的工序; 对Ni / Au膜的表面进行还原处理的工序; 以及在Ni / Au膜上形成焊料凸块的工序。 在上述还原处理中，进行助焊剂涂布工艺，回流处理和洗涤处理，并且在完成还原处理之后，将焊料凸点与Ni / Au膜接合。图8

公开(公告)号：JP2014204070A

公开(公告)日：2014-10-27

申请号：JP2013081208

申请日：2013-04-09

申请人： 昭和電工株式会社 ,  Showa Denko Kk

发明人： SAKAI TAKEKAZU

IPC分类号： H05K3/34 ,  H01L21/60

CPC分类号： H05K3/3494 ,  H01L21/4853 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/13 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/03442 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/03849 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/81075 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/8123 ,  H01L2224/8138 ,  H01L2224/814 ,  H01L2224/81409 ,  H01L2224/81411 ,  H01L2224/81413 ,  H01L2224/81416 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/3841 ,  H05K3/3436 ,  H05K3/3452 ,  H05K3/3463 ,  H05K3/3484 ,  H05K3/3489 ,  H05K2203/0425 ,  H05K2203/043 ,  H05K2203/0568 ,  H05K2203/0769 ,  H05K2203/0776 ,  H05K2203/0789 ,  H05K2203/124 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01048 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

摘要： 【課題】より微細な回路パターンを実現できるはんだ回路基板の製造方法を提供する。【解決手段】プリント配線板上の導電性回路電極表面をレジストにより部分的に覆うレジスト形成工程と、前記導電性回路電極表面のうちレジストに覆われていない部分に粘着性を付与して粘着部を形成する粘着部形成工程と、前記粘着部にはんだ粉末を付着させるはんだ付着工程と、前記レジストを除去するレジスト除去工程と、前記プリント配線板を加熱してはんだ粉末を溶融させる第1の加熱工程と、を順次行う。【選択図】なし

摘要翻译： 要解决的问题：提供一种能够实现更精细的电路图案的焊接电路板的制造方法。解决方案：一种用于制造焊接电路板的方法，其顺序地执行以下步骤：部分地覆盖导电电路电极的表面 印刷线路板（抗蚀剂形成步骤）; 通过对导电电路电极的表面上的未被抗蚀剂覆盖的部分（粘合部形成步骤）赋予粘合力来形成粘合部分; 将焊料粉末粘贴到粘合部分（焊锡步骤）; 去除抗蚀剂（抗蚀剂去除步骤）; 并通过加热印刷线路板来熔化焊料功率（第一加热步骤）。

公开(公告)号：JPWO2017073350A1

公开(公告)日：2018-04-12

申请号：JP2017547728

申请日：2016-10-14

申请人： 株式会社村田製作所

发明人： 中磯 俊幸

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L23/5283 ,  H01G4/008 ,  H01G4/228 ,  H01G4/33 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/7685 ,  H01L21/76895 ,  H01L23/53238 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L27/016 ,  H01L27/0248 ,  H01L29/45 ,  H01L2224/03849 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13021 ,  H03H3/00 ,  H03H7/0115

摘要： 薄膜素子(101)は、基材(1)、基材(1)の表面に形成される配線導体膜(2)、少なくとも配線導体膜(2)の表面に被覆される保護膜(3)、外部電極(4)、保護膜(3)の表面に被覆される第1レジスト膜(11)および第2レジスト膜(12)を備える。保護膜(3)は(Z)方向から視て配線導体膜(2)と重なる位置にコンタクトホール(CH1)を有し、外部電極(4)はコンタクトホール(CH1)内、且つ、配線導体膜(2)の表面に形成される。外部電極(4)は保護膜(3)より厚く、側面(S1)を有する。第1レジスト膜(11)は、外部電極(4)の側面(S1)の全周に沿って接し、第2レジスト膜(12)は、外部電極(4)の側面(S1)および第1レジスト膜(11)から離間して配置される。

公开(公告)号：JP2018037632A

公开(公告)日：2018-03-08

申请号：JP2017029757

申请日：2017-02-21

申请人： 金寶電子工業股▲ふん▼有限公司

发明人： 鄭 有為

IPC分类号： H05K3/34 ,  H05K3/28 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/09 ,  H01L21/563 ,  H01L23/293 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/4985 ,  H01L23/49894 ,  H01L23/564 ,  H01L24/03 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/03622 ,  H01L2224/03849 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/0569 ,  H01L2224/0903 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13013 ,  H01L2224/13021 ,  H01L2224/16012 ,  H01L2224/16112 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/27848 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/29013 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73103 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83856 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0675

摘要： 【課題】製造プロセスを簡易化して、パッケージ構造の電気性能を向上させることのできるパッケージ構造およびその製造方法を提供する。 【解決手段】パッケージは、基板110と、パターン化ソルダレジスト層120と、複数のソルダ140と、チップ150と、高分子ゲル130とを含む。基板110は、複数のソルダパッド112を含む。基板110の上のパターン化ソルダレジスト層120は、複数の階段状開口を形成し、ソルダパッド112を露出する。ソルダ140は、ソルダパッド112の上に配置される。作用面152と複数の接合パッド154を含むチップ150は基板110上に配置され、ソルダ140を介してソルダパッド112に接続される。高分子ゲル130は、2つの隣接するソルダ140の間のパターン化ソルダレジスト層120の上表面と作用面152の間の空間を充填する。 【選択図】図1−3

公开(公告)号：JP2013038418A

公开(公告)日：2013-02-21

申请号：JP2012163896

申请日：2012-07-24

申请人： National Chiao Tung University ,  ナショナル チャオ ツン ユニヴァーシティー

发明人： CHI CHEN ,  KIM NING TSU ,  HSIAO HSIANG-YAO

IPC分类号： H01L21/60 ,  B23K1/00 ,  B23K1/20 ,  B23K101/40 ,  B23K103/12

CPC分类号： C23C28/021 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/03849 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/08503 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/131 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/3651 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/014

摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for controlling the growth of an intermetallic compound formed by a rapid reaction of a solder and Cu prior to a bonding process and inhibiting the growth of the intermetallic compound after the bonding process.SOLUTION: A method for inhibiting the growth of an intermetallic compound includes: (i) a step of preparing a substrate element including a substrate including at least one layer of metal pad deposited thereon, in which at least one thin layer of solder is deposited onto the layer of a metal pad and then a reflow process is performed; and (ii) a step of further depositing a bump of solder with an appropriate thickness on the substrate element. In the method, a thin intermetallic compound is formed by the reaction of the thin solder layer and the metal in the metal pad after appropriate heat treatment to the thin solder layer. By the formation of a thin intermetallic compound, the growth of the intermetallic compound can be slowed and the transformation of the intermetallic compound can be prevented.

摘要翻译： 要解决的问题：提供一种控制在焊接过程之前通过焊料和Cu的快速反应形成的金属间化合物的生长的方法，并且在接合工艺之后抑制金属间化合物的生长。 解决方案：用于抑制金属间化合物生长的方法包括：（i）制备包括其上沉积有至少一层金属焊盘的衬底的衬底元件的步骤，其中至少一层焊料薄层 沉积在金属焊盘的层上，然后进行回流处理; 和（ii）在衬底元件上进一步沉积具有适当厚度的焊料凸点的步骤。 在该方法中，通过在对薄焊料层进行适当的热处理之后，通过薄焊料层和金属焊盘中的金属的反应形成薄的金属间化合物。 通过形成薄的金属间化合物，可以减缓金属间化合物的生长，并且可以防止金属间化合物的转变。 版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP6385202B2

公开(公告)日：2018-09-05

申请号：JP2014174648

申请日：2014-08-28

申请人： ルネサスエレクトロニクス株式会社

发明人： 西 尊臣 ,  斎藤 剛彦 ,  鳥居 克裕

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L24/03 ,  H01L21/304 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/525 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/562 ,  H01L24/02 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/02311 ,  H01L2224/02313 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/02377 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0381 ,  H01L2224/03828 ,  H01L2224/03848 ,  H01L2224/03849 ,  H01L2224/039 ,  H01L2224/03901 ,  H01L2224/0392 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05084 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05562 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/1181 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/9212 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/365 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/11334 ,  H01L21/78 ,  H01L2221/68304 ,  H01L2221/68381

公开(公告)号：JP6210619B2

公开(公告)日：2017-10-11

申请号：JP2013081208

申请日：2013-04-09

申请人： 昭和電工株式会社

发明人： 堺 丈和

IPC分类号： H01L21/60 ,  H05K3/34

CPC分类号： H05K3/3494 ,  H01L21/4853 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/81 ,  H05K3/3452 ,  H05K3/3484 ,  H01L2224/03442 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/03849 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/81075 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/8123 ,  H01L2224/8138 ,  H01L2224/814 ,  H01L2224/81409 ,  H01L2224/81411 ,  H01L2224/81413 ,  H01L2224/81416 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81815 ,  H01L24/13 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/3841 ,  H05K2203/0425 ,  H05K2203/043 ,  H05K2203/0568 ,  H05K2203/0769 ,  H05K2203/0776 ,  H05K2203/0789 ,  H05K2203/124 ,  H05K3/3436 ,  H05K3/3463 ,  H05K3/3489