公开(公告)号：JP2015050347A

公开(公告)日：2015-03-16

申请号：JP2013181409

申请日：2013-09-02

申请人： トヨタ自動車株式会社 ,  Toyota Motor Corp

发明人： NARITA KATSUTOSHI

IPC分类号： H01L23/48 ,  B23K1/00 ,  B23K1/14 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/52 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC分类号： H01L21/28 ,  H01L23/051 ,  H01L23/4827 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49562 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05016 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05078 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05084 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05562 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05584 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06051 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/06505 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/8321 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00012

摘要： 【課題】被接合部材に接合材を用いて半導体チップの一方の面を接合する際に、接合材の内部に気泡が形成されることを抑制する技術を提供する。【解決手段】半導体装置10は、半導体チップ24と、被接合部材30と、を備える。半導体チップ24は、半導体基板12と、第1電極14と、第2電極20と、を有する。第1電極14は、半導体基板12の一方の面12aに配置され、第2電極20は半導体基板12の他方の面12bに配置されている。第1電極14及び第2電極20は、半導体基板12よりも大きな線膨張係数を有している。第1電極14は、接合材26を介して被接合部材30に接合されている。接合材26の溶融温度において、第1電極14の熱膨張により第1電極14が半導体基板12の一方の面12aに作用する引張力は、上記の溶融温度において、第2電極20の熱膨張により第2電極20が半導体基板12の他方の面12bに作用する引張力以上である。【選択図】図1

摘要翻译： 要解决的问题：提供一种用于通过使用接合材料将半导体芯片的一个表面接合到接合部件时抑制在接合材料内形成气泡的技术。解决方案：半导体器件10包括半导体芯片24和 半导体芯片24包括半导体基板12，第一电极14和第二电极20.第一电极14设置在半导体基板12的一个表面12a上，第二电极20布置在另一表面 第一电极14和第二电极20的线膨胀系数大于半导体基板12的线膨胀系数。第一电极14经由接合材料26接合到接合部件30.拉伸 第一电极14的力通过第一电极14在熔融温度下的热膨胀而作用在半导体衬底12的一个表面12a上 接合材料26的绝缘等于或大于通过第二电极20在上述熔化温度下的热膨胀而作用在半导体衬底12的另一个表面12b上的第二电极20的张力。

公开(公告)号：JPWO2016002455A1

公开(公告)日：2017-06-15

申请号：JP2016531222

申请日：2015-06-10

申请人： Jx金属株式会社

发明人： 昌臣 村上 ,  昌臣 村上 ,  充 三上 ,  充 三上 ,  村上　幸司 ,  幸司 村上 ,  朗 野田 ,  朗 野田 ,  伊森　徹 ,  徹 伊森

IPC分类号： G01T1/24 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L27/144 ,  H01L27/146

CPC分类号： G01T1/24 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/09 ,  H01L27/144 ,  H01L27/146 ,  H01L31/02005 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/02966 ,  H01L31/08 ,  H01L31/115 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0558 ,  H01L2224/05583 ,  H01L2224/05584 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664

摘要： UBM層を形成する時の金属電極層の劣化を抑制し、十分な電気特性を実現する放射線検出器用UBM電極構造体、放射線検出器及びその製造方法を提供する。本発明の放射線検出器用UBM電極構造体は、CdTe又はCdZnTeからなる基板を有する放射線検出器用UBM電極構造体であって、前記基板上に無電解めっきにより形成したPt又はAu電極層と、前記Pt又はAu電極層上にスパッタにより形成したNi層と、前記Ni層上にスパッタにより形成したAu層と、を備える。

公开(公告)号：JP2008172232A

公开(公告)日：2008-07-24

申请号：JP2008000321

申请日：2008-01-07

申请人： Advanced Chip Engineering Technology Inc ,  Silicon Storage Technology Inc ,  アドヴァンスト チップ エンジニアリング テクノロジー インコーポレイテッド ,  シリコン ストーリッジ テクノロージー インコーポレイテッドSilicon Storage Technology, Inc.

发明人： FANG SYCHYI ,  YANG WEN KUN ,  CHEN LUNG TSAI

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/12

CPC分类号： H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/03828 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05111 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05584 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2224/05552

摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an under-bump-metallurgy (UBM) technique which prevents tin infiltration in relation to a UBM structure in a semiconductor package. SOLUTION: A package for a semiconductor integrated circuit die includes a redistributed layer formed over a first barrier layer electrically connected to a bonding pad of the die. A second barrier layer is formed over the redistributed layer. A multi-metal layer is formed over the second barrier layer for coupling to a solder ball, wherein the multi-metal layer has an extending part that extends outside a second opening covering an upper part of a second dielectric layer to prevent tin infiltration from the solder ball to the redistribution layer. COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

摘要翻译： 要解决的问题：提供一种防止锡渗透相对于半导体封装中的UBM结构的凸块下冶金（UBM）技术。 解决方案：用于半导体集成电路管芯的封装包括形成在电连接到管芯的焊盘的第一阻挡层上的再分布层。 在再分布层上形成第二阻挡层。 在第二阻挡层上形成多金属层以耦合到焊球，其中多金属层具有延伸部分，其延伸到覆盖第二电介质层的上部的第二开口的外侧，以防止锡从第 焊球到再分配层。 版权所有（C）2008，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP6316960B2

公开(公告)日：2018-04-25

申请号：JP2016531222

申请日：2015-06-10

申请人： JX金属株式会社

发明人： 村上 昌臣 ,  三上 充 ,  村上 幸司 ,  野田 朗 ,  伊森 徹

IPC分类号： H01L27/14 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  G01T1/24

CPC分类号： G01T1/24 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/09 ,  H01L27/144 ,  H01L27/146 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14676 ,  H01L27/14696 ,  H01L31/02005 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/02966 ,  H01L31/08 ,  H01L31/115 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0558 ,  H01L2224/05583 ,  H01L2224/05584 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664

公开(公告)号：JP2015056646A

公开(公告)日：2015-03-23

申请号：JP2013191176

申请日：2013-09-13

申请人： 株式会社東芝 ,  Toshiba Corp

发明人： KURI YUUJI ,  SEKIYA HIRONORI ,  SASAKI HARUKA ,  KOTANI KAZUYA ,  TADA NOBUMITSU ,  MATSUMURA HITOTSUGU ,  IGUCHI TOMOHIRO

IPC分类号： H01L21/52 ,  H01L23/48 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC分类号： H01L24/83 ,  H01L23/24 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05582 ,  H01L2224/05583 ,  H01L2224/05584 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32013 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/8346 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/35121 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： 【課題】半導体素子と基板との接合部の信頼性を向上させることができる半導体装置及び半導体モジュールを提供すること。【解決手段】実施形態に係る半導体装置は、半導体素子と、金属膜と、を含む。前記半導体素子は、第1面及び第1面とは反対側の第2面を有する。前記金属膜は、前記半導体素子の前記第2面に設けられる。前記金属膜は、Crを含む。前記半導体素子は、Siの動作保証温度よりも高い動作保証温度の材料を含んでいても良い。【選択図】図1

摘要翻译： 要解决的问题：提供一种能够提高半导体元件和基板之间的接合部的可靠性的半导体器件，并提供半导体模块。解决方案：半导体器件包括半导体元件和金属膜。 半导体元件具有在第一表面的相对侧上的第一表面和第二表面。 金属膜设置在半导体元件的第二表面上。 金属膜含有Cr。 半导体元件可以包含具有比Si的操作保证温度更高的操作保证温度的材料。