半導体装置
    6.
    发明专利
    半導体装置 审中-公开

    公开(公告)号:JP2018032830A

    公开(公告)日:2018-03-01

    申请号:JP2016166213

    申请日:2016-08-26

    发明人: 淺井 林太郎

    IPC分类号: H01L21/52

    摘要: 【課題】 金属板に接合層を介して半導体素子を接合した半導体装置において、最適形状である接合層を有する半導体装置を提供する。 【解決手段】 半導体装置は、金属板に接合層を介して半導体素子を接合している。接合層は、接合層の外周面を規定する外側接合層と、外側接合層の内側を充填する内側接合層を備えている。外側接合層は、内側接合層よりも熱伝導率と熱膨張率が低い。外側接合層の内面と外面は、金属板に近づくにつれて、外側接合層の外側に向けて傾斜している。 【選択図】図1