半導体装置の製造方法、半導体装置
    3.
    发明专利
    半導体装置の製造方法、半導体装置 有权
    一种制造半导体器件,半导体器件的方法

    公开(公告)号:JP2017028117A

    公开(公告)日:2017-02-02

    申请号:JP2015145612

    申请日:2015-07-23

    IPC分类号: H01L23/12 H01L23/28

    摘要: 【課題】半導体装置の製造を容易にする。 【解決手段】本実施形態の製造方法によれば、一方の面側に接着剤を介して複数の半導体素子、他方の面に半導体素子と電気的に接続された外部入出力端子を有する基板の一方の面上に、酸化シリコンを含む封止樹脂層をモールドする。他方の面が下側となる様に、複数の切断された基板をトレイに収納した状態で、基板の封止樹脂層の表面をスパッタエッチングする。スパッタエッチングは、酸化シリコンの封止樹脂層に覆われた部分の一部を露出させる。基板をトレイに収納した状態で金属層をスパッタする。 【選択図】図1

    摘要翻译: 甲便于生产的半导体器件的。 根据一种用于制造本实施方式方法中,具有一个表面上的多个贯通粘合剂侧半导体元件,外部输入输出端子的即另一侧的半导体元件和电连接所述衬底 在一侧上,模制包含氧化硅的密封树脂层。 作为另一面变得更低,而容纳多个在托盘切割衬底,以溅射蚀刻基板的密封树脂层的表面上。 溅射蚀刻以暴露由氧化硅的密封树脂层覆盖的部分的至少一部分。 溅射在容纳基底到托盘的状态的金属层。 点域1