公开(公告)号：KR101894125B1

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：KR1020147033140

申请日：2012-09-14

申请人： 르네사스 일렉트로닉스 가부시키가이샤

发明人： 곤노,줌뻬이 ,  니시따,다까후미 ,  사까따,겐지 ,  기노시따,노부히로 ,  스기야마,미찌아끼 ,  기다,즈요시 ,  오노,요시히로

IPC分类号： H01L25/065 ,  H01L23/29 ,  H01L21/56 ,  H01L23/28 ,  H01L23/00 ,  H01L25/18

CPC分类号： H01L21/486 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L21/565 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/295 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/538 ,  H01L24/03 ,  H01L24/06 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/75 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/97 ,  H01L25/03 ,  H01L25/065 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68331 ,  H01L2224/03002 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/27312 ,  H01L2224/27334 ,  H01L2224/2741 ,  H01L2224/29006 ,  H01L2224/29007 ,  H01L2224/29012 ,  H01L2224/29015 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32013 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/32058 ,  H01L2224/32059 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/753 ,  H01L2224/75315 ,  H01L2224/81001 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/81907 ,  H01L2224/83001 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/8321 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/83906 ,  H01L2224/83907 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2224/92242 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15313 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/11 ,  H01L21/304 ,  H01L2224/03 ,  H01L21/78 ,  H01L2221/68381 ,  H01L21/4825 ,  H01L2224/27 ,  H01L2924/01047

摘要： 배선기판위에, 평면으로보았을때 평면사이즈가다른제1 반도체칩과제2 반도체칩을, 접착재를개재하여각각적층하는반도체장치의제조방법으로서, 상대적으로평면사이즈가작은제1 반도체칩 위에상대적으로평면사이즈가큰 제2 반도체칩을탑재한다. 또한, 제1 및제2 반도체칩을탑재한후, 제1 및제2 반도체칩을수지로밀봉한다. 여기서, 제2 반도체칩과배선기판의간극은, 수지로밀봉하기전에, 제1 및제2 반도체칩을탑재할때 사용한접착재로미리막혀있는것이다.

公开(公告)号：KR1020150026854A

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：KR1020140108560

申请日：2014-08-20

申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

发明人： 마츠나가마사타카 ,  요시타카나오토 ,  니시무라사토시

IPC分类号： H01L21/58 ,  H01L21/677 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L21/67173 ,  B32B2457/14 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/68 ,  H01L24/75 ,  H01L2224/7515 ,  H01L2224/753 ,  H01L2224/7565 ,  H01L2224/75981 ,  H01L2924/06 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/00

摘要： 본 발명은 풋프린트를 작게 하는 것을 목적으로 한다.
실시형태에 따른 접합 시스템은, 제1 처리 스테이션과, 제2 처리 스테이션과, 반입출 스테이션을 구비한다. 제1 처리 스테이션은, 제1 반송 영역과, 도포 장치와, 열처리 장치와, 제1 전달 블록을 구비한다. 또한, 제2 처리 스테이션은, 복수의 접합 장치와, 제2 반송 영역과, 제2 전달 블록을 구비한다. 복수의 접합 장치는 제1 기판과 제2 기판을 접합한다. 제2 반송 영역은, 복수의 접합 장치에 대하여 제1 기판 및 제2 기판을 반송하는 영역이다. 제2 전달 블록은, 제1 반송 영역과 제2 반송 영역 사이에서, 제1 기판, 제2 기판 및 중첩 기판을 전달한다.

摘要翻译： 本发明的目的是减少足迹。 根据本发明的接合系统包括第一处理站，第二处理站和输入/输出站。 第一处理站包括：第一转印区域，喷涂装置，热处理装置和第一转印块。 此外，第二处理站包括接合装置，第二转印区域和第二转印块。 接合装置结合第一基板和第二基板。 第二转印区域是相对于接合装置转印第一基板和第二基板的区域。 第二传送块在第一传送区域和第二传送区域之间传送第一基板，第二基板和重叠基板。

公开(公告)号：KR1020080093026A

公开(公告)日：2008-10-17

申请号：KR1020087016829

申请日：2007-01-12

申请人： 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤

发明人： 마쯔무라다까시

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L21/603

CPC分类号： H05K3/303 ,  B30B5/02 ,  B30B15/024 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L24/75 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/753 ,  H01L2224/75314 ,  H01L2224/75315 ,  H01L2224/75317 ,  H01L2224/75754 ,  H01L2224/75755 ,  H01L2224/7598 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/838 ,  H01L2224/83907 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/19105 ,  H05K2201/0133 ,  H05K2203/0191 ,  H05K2203/0278 ,  Y02P70/613 ,  Y10T156/16 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/0401

摘要： A pressure bonding device (1) includes a dam member (24). When the pressure bonding device presses an object (10) to be pressure-bonded by pressing a pressing head (20) onto the object, the periphery of a pressing part (22) is surrounded by the dam member (24). Even if the surface of the pressure bonding part (22) is swelled by pressing, the swelled portion is intercepted by the dam member (24), and the surface of the part (22) is not expanded in the horizontal direction. Since the part (22) is not expanded in the horizontal direction, a horizontal moving force is not applied to electrical parts (16, 18) of the object (10), and the electrical parts (16, 18) are pressed vertically downward and connected to the terminal (12) of a substrate (11). Thereby, an electric device (10a) with high reliability of connection can be provided.

摘要翻译： 压接装置（1）包括坝构件（24）。 当压接装置通过将按压头（20）按压到物体上来按压要被压接的物体（10）时，按压部分（22）的周边被阻挡构件（24）包围。 即使通过按压使压接部22的表面膨胀，隆起部被截面构件24遮挡，并且部22的表面在水平方向上不膨胀。 由于部分（22）在水平方向上没有膨胀，因此水平移动力不会施加到物体（10）的电气部件（16,18）上，并且电气部件（16,18）被垂直向下按压， 连接到基板（11）的端子（12）。 由此，能够提供连接可靠性高的电气设备（10a）。

公开(公告)号：KR100562453B1

公开(公告)日：2006-03-21

申请号：KR1020010007235

申请日：2001-02-14

申请人： 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 ,  히타치 토부 세미콘덕터 가부시키가이샤

发明人： 이다쯔또무 ,  이시즈아끼오 ,  하시즈메마사까즈 ,  하기와라이사오 ,  시오까와요시노리

IPC分类号： H01L25/04

CPC分类号： H01L24/81 ,  B23K1/0016 ,  B23K2201/40 ,  H01L23/04 ,  H01L23/13 ,  H01L23/36 ,  H01L23/66 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/75 ,  H01L24/83 ,  H01L24/93 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/75 ,  H01L2224/753 ,  H01L2224/75305 ,  H01L2224/758 ,  H01L2224/7598 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83194 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01009 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15165 ,  H01L2924/15313 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/351 ,  H05K1/181 ,  H05K3/341 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/05599

摘要： 칩 부품과 베어 칩 실장되는 반도체 펠릿을 배선 기판 상에 배치한 후, 땜납 접속에 의해서 상기 칩 부품 및 상기 반도체 펠릿을 실장함으로써 조립되는 고주파 모듈의 제조 방법에 있어서, 리플로우용 땜납을 가열 용융한 본 가열부에서 상기 반도체 펠릿을 상기 배선 기판에 대하여 가압한 채 히트 블록으로부터 상기 배선 기판을 이탈시켜 땜납 접속부를 냉각함으로써, 상기 땜납 접속부에서의 보이드의 발생을 막아 상기 땜납 접속부의 접속 신뢰성을 향상시킴과 동시에, 상기 반도체 펠릿의 상기 배선 기판에 대한 부착 수평도의 향상을 도모한다.
칩 부품, 반도체 펠릿, 리플로우용 땜납, 땜납 접속부, 고주파 모듈, 배선 기판,

公开(公告)号：KR1020020046135A

公开(公告)日：2002-06-20

申请号：KR1020010036865

申请日：2001-06-27

申请人： 미쓰비시덴키 가부시키가이샤

发明人： 이와사키토시히로 ,  야마다사토시

IPC分类号： H01L21/607

CPC分类号： H01L24/81 ,  H01L21/68 ,  H01L24/75 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/75 ,  H01L2224/7525 ,  H01L2224/753 ,  H01L2224/75305 ,  H01L2224/75314 ,  H01L2224/75317 ,  H01L2224/75986 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/81206 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/19043 ,  Y10T29/53178 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： PURPOSE: To prevent flaws due to ultrasonic vibration for the manufacturing method of a semiconductor device including a process for electrically connecting the terminal electrode of a circuit board to the electrode pad of a semiconductor substrate by ultrasonic vibration. CONSTITUTION: A semiconductor substrate 14 is mounted onto the surface of an insulating circuit board 10 so that the terminal electrode 12 of the insulating circuit board 10 opposes the electrode pad 16 of the semiconductor substrate 14 (figure 1 (b)). Ultrasonic vibration is applied between first and second retention tools 20 and 22 for retaining the insulating circuit board 10 and semiconductor substrate 14, respectively, for obtaining a desired electrical connection (figure 1 (c)). Ultrasonic vibration is generated while interposed materials 26 and 28 with small hardness are being interposed between the first retention tool 20 and insulating circuit board 10, and the second one 22 and semiconductor substrate 14.

摘要翻译： 目的：为了防止半导体装置的制造方法的超声波振动造成的缺陷，包括通过超声波振动将电路基板的端子电极与半导体基板的电极焊盘电连接的工序。 构成：半导体衬底14安装在绝缘电路板10的表面上，使得绝缘电路板10的端子电极12与半导体衬底14的电极焊盘16相对（图1（b））。 在第一和第二保持工具20和22之间施加超声波振动，以分别保持绝缘电路板10和半导体衬底14，以获得所需的电连接（图1（c））。 在第一保持工具20和绝缘电路板10以及第二个22和半导体基板14之间插入具有小硬度的介质材料26和28之间产生超声波振动。

公开(公告)号：KR1020150056501A

公开(公告)日：2015-05-26

申请号：KR1020147033140

申请日：2012-09-14

申请人： 르네사스 일렉트로닉스 가부시키가이샤

发明人： 곤노,줌뻬이 ,  니시따,다까후미 ,  사까따,겐지 ,  기노시따,노부히로 ,  스기야마,미찌아끼 ,  기다,즈요시 ,  오노,요시히로

IPC分类号： H01L25/065 ,  H01L23/29 ,  H01L21/56 ,  H01L23/28 ,  H01L23/00 ,  H01L25/18

CPC分类号： H01L25/065 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L21/565 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/295 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/03 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/75 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/97 ,  H01L25/03 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68331 ,  H01L2224/03002 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/27312 ,  H01L2224/27334 ,  H01L2224/29006 ,  H01L2224/29007 ,  H01L2224/29012 ,  H01L2224/29015 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32013 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/32058 ,  H01L2224/32059 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/753 ,  H01L2224/75315 ,  H01L2224/81001 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/81907 ,  H01L2224/83001 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/8321 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/83906 ,  H01L2224/83907 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2224/92242 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15313 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/11 ,  H01L21/304 ,  H01L2224/03 ,  H01L21/78 ,  H01L2221/68381 ,  H01L21/4825 ,  H01L2224/27 ,  H01L2924/01047

摘要： 배선기판위에, 평면으로보았을때 평면사이즈가다른제1 반도체칩과제2 반도체칩을, 접착재를개재하여각각적층하는반도체장치의제조방법으로서, 상대적으로평면사이즈가작은제1 반도체칩 위에상대적으로평면사이즈가큰 제2 반도체칩을탑재한다. 또한, 제1 및제2 반도체칩을탑재한후, 제1 및제2 반도체칩을수지로밀봉한다. 여기서, 제2 반도체칩과배선기판의간극은, 수지로밀봉하기전에, 제1 및제2 반도체칩을탑재할때 사용한접착재로미리막혀있는것이다.

摘要翻译： 从电路板的上方观察时，所述平面的平面尺寸其它第一半导体芯片任务2到半导体芯片，用于制造半导体装置中，分别层叠在粘接剂的方法，一个相对平坦的大小是在一个小的第一半导体芯片相对平坦， 安装大尺寸的第二半导体芯片。 此外，在安装第一和第二半导体芯片之后，用树脂密封第一和第二半导体芯片。 这里，第一半导体芯片和第二半导体芯片之间的间隙用树脂密封之前用于安装第一和第二半导体芯片的粘合剂预先阻挡。

公开(公告)号：KR1020150013716A

公开(公告)日：2015-02-05

申请号：KR1020147034350

申请日：2012-05-07

申请人： 샌디스크 세미컨덕터 (상하이) 컴퍼니, 리미티드 ,  샌디스크 인포메이션 테크놀로지 (상하이) 컴퍼니, 리미티드

发明人： 구웨이 ,  루종 ,  유치맨 ,  치우친-티엔 ,  타이은-용 ,  니민

IPC分类号： H01L21/58

CPC分类号： H01L24/75 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/544 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L2223/5442 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/753 ,  H01L2224/75301 ,  H01L2224/75702 ,  H01L2224/75753 ,  H01L2224/7598 ,  H01L2224/83132 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83856 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06506 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/181 ,  H01L21/50 ,  H01L21/64 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05599

摘要： 라미네이팅 디바이스(230) 및 방법이 기판들의 패널(200) 상의 기판들에 반도체 다이(220)를 라미네이트하는 것이 개시된다. 상기 라미네이팅 디바이스(230)는, 반도체 다이(220)의 로우 또는 컬럼은 동시에 기판들의 로우 또는 컬럼에 독립적으로 라미네이트될 수 있도록 서로 독립적으로 동작하는 라미네이션 유닛들(234, 236, 238 및 240)을 포함한다.

公开(公告)号：KR1020120034625A

公开(公告)日：2012-04-12

申请号：KR1020117027802

申请日：2011-04-26

申请人： 파나소닉 주식회사

发明人： 이토도모노리 ,  도요다가오리 ,  이케우치히로키 ,  가와바타다케시

IPC分类号： H01L33/48 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/75 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/753 ,  H01L2224/75744 ,  H01L2224/75745 ,  H01L2224/75801 ,  H01L2224/75821 ,  H01L2224/759 ,  H01L2224/7592 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81201 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01055 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2933/0033 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/53039 ,  Y10T29/53174 ,  Y10T29/53178

摘要： When bump electrodes 26 of a semiconductor light emitting element 2 and electrode portions 21 of a mounting board 3 are joined to each other, power is supplied to the electrode portions 21 of the mounting board 3 to allow the semiconductor light emitting element 2 to emit light, the optical properties of the semiconductor light emitting element 2 having emitted light are detected, and the detected value of optical properties is processed to obtain the joining state of the bump electrodes 26 of the semiconductor light emitting element 2 and the electrode portions 21 of the mounting board 3, so that the completion of joining is determined. Thus, the semiconductor light emitting element can be satisfactorily joined to the electrode portions on the mounting board via the metal electrodes formed on the semiconductor light emitting element.

公开(公告)号：KR101004229B1

公开(公告)日：2010-12-24

申请号：KR1020087020517

申请日：2007-02-13

申请人： 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤

发明人： 마쯔무라다까시

IPC分类号： H05K3/30 ,  H05K3/32 ,  H05K1/18 ,  H01L21/58

CPC分类号： H05K3/303 ,  B30B5/02 ,  B30B15/024 ,  B30B15/065 ,  H01L21/568 ,  H01L24/29 ,  H01L24/75 ,  H01L24/83 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/753 ,  H01L2224/75315 ,  H01L2224/75317 ,  H01L2224/75756 ,  H01L2224/7598 ,  H01L2224/75988 ,  H01L2224/81001 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83209 ,  H01L2224/838 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/19106 ,  H05K2201/0133 ,  H05K2203/0191 ,  H05K2203/0278 ,  H05K2203/1572 ,  Y02P70/613 ,  Y10T156/10 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/0401

摘要： 기판의 양면에 전기 부품을 실장하는 실장 방법을 제공한다. 제1, 제2 압박 고무(15, 25)로 기판(31)의 표면 위와 이면 위의 전기 부품(32, 33)이 동시에 압박되므로 기판(31)의 표면과 이면으로의 전기 부품(32, 33)의 접속을 한번에 행할 수 있다． 제1, 제2 압박 고무(15, 25)가 변형될 때에는 그 주위는 댐 부재(16)로 둘러싸여져 있으므로 제1, 제2 압박 고무(15, 25)는 댐 부재(16)에 의해 막혀 퍼지지 않고, 전기 부품(32, 33)의 위치 어긋남이 발생하지 않는다. 전기 부품(32, 33)은 가압착 시와 동일한 위치에서 기판(31)에 접속되므로 접속 신뢰성이 높은 전기 부품(30a)이 얻어진다.
전기 부품, 압박 고무, 접속, 댐 부재, 기판

公开(公告)号：KR100423368B1

公开(公告)日：2004-03-18

申请号：KR1020010036865

申请日：2001-06-27

申请人： 미쓰비시덴키 가부시키가이샤

发明人： 이와사키토시히로 ,  야마다사토시

IPC分类号： H01L21/607

CPC分类号： H01L24/81 ,  H01L21/68 ,  H01L24/75 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/75 ,  H01L2224/7525 ,  H01L2224/753 ,  H01L2224/75305 ,  H01L2224/75314 ,  H01L2224/75317 ,  H01L2224/75986 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/81206 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/19043 ,  Y10T29/53178 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： In connection with a method of manufacturing a semiconductor device including a step of establishing electrical connection between terminal electrodes of a circuit board and electrode pads of a semiconductor substrate by means of ultrasonic vibration, prevention of flaws stemming from ultrasonic vibration is aimed. A semiconductor substrate is mounted on the surface of an insulation circuit board such that terminal electrodes of the insulation circuit board oppose electrode pads of a semiconductor board. Desired electrical connection is established by means of applying ultrasonic vibration between a first holding tool for holding the insulation circuit board and a second holding tool for holding the semiconductor substrate. Ultrasonic vibration is applied while intermediate material of lower hardness is interposed between the first holding tool and the insulation circuit board and while another intermediate material of lower hardness is interposed between the second holding tool and the insulation circuit board.

摘要翻译： 关于制造半导体器件的方法，包括通过超声振动在电路板的端子电极和半导体衬底的电极焊盘之间建立电连接的步骤，防止由超声振动引起的缺陷。 半导体基板安装在绝缘电路板的表面上，使得绝缘电路板的端子电极与半导体板的电极焊盘相对。 通过在用于保持绝缘电路板的第一保持工具和用于保持半导体衬底的第二保持工具之间施加超声振动来建立期望的电连接。 在第一保持工具和绝缘电路板之间插入硬度较低的中间材料，并且在第二保持工具和绝缘电路板之间插入另一个硬度较低的中间材料，同时施加超声波振动。