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21.发明专利
公开(公告)号：TWI244709B
公开(公告)日：2005-12-01
申请号：TW091104616
申请日：2002-03-12
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L24/05 , H01L23/66 , H01L24/06 , H01L2224/05553 , H01L2224/05599 , H01L2924/01004 , H01L2924/01014 , H01L2924/01023 , H01L2924/01033 , H01L2924/01079 , H01L2924/05042 , H01L2924/10329 , H01L2924/1305 , H01L2924/13064 , H01L2924/14 , H01L2924/1423 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 一種防止單片微波積體電路(MMIC)為與外部連接而在接線時因對接墊施以機械壓力，導致其高頻傳輸特性變差的結構。該結構包含一凹槽設在層間絕緣膜的表面上而包圍各接墊。供傳輸高頻信號的線導體將可避免因機械壓力施於接墊時，使層間絕緣膜變形，而導致其本身的剝離或彎曲；故該線導體之傳輸特性的改變將可減至最少，且該MMIC的可靠性將能改善。
简体摘要： 一种防止单片微波集成电路(MMIC)为与外部连接而在接线时因对接垫施以机械压力，导致其高频传输特性变差的结构。该结构包含一凹槽设在层间绝缘膜的表面上而包围各接垫。供传输高频信号的线导体将可避免因机械压力施于接垫时，使层间绝缘膜变形，而导致其本身的剥离或弯曲；故该线导体之传输特性的改变将可减至最少，且该MMIC的可靠性将能改善。
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公开(公告)号：TW594888B
公开(公告)日：2004-06-21
申请号：TW091110785
申请日：2002-05-22
发明人： 伊田勤 , 小林義彥 , 橋詰 正和 MASAKAZU HASHIZUME , 鹽川吉則 , 菊池榮
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L25/0655 , H01L23/13 , H01L23/66 , H01L24/06 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L2223/6644 , H01L2224/0401 , H01L2224/05553 , H01L2224/05554 , H01L2224/05639 , H01L2224/05647 , H01L2224/291 , H01L2224/29101 , H01L2224/32225 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48639 , H01L2224/48647 , H01L2224/49113 , H01L2224/49171 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2224/81143 , H01L2224/83192 , H01L2224/83801 , H01L2224/85 , H01L2224/85205 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01047 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/0132 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/10161 , H01L2924/10329 , H01L2924/12041 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13064 , H01L2924/14 , H01L2924/15151 , H01L2924/15153 , H01L2924/15165 , H01L2924/1517 , H01L2924/15313 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/19105 , H01L2924/20752 , H01L2924/30105 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2924/3025 , H01L2224/78 , H01L2924/00 , H01L2924/01031 , H01L2924/01033 , H01L2924/00012
摘要： 目的在於達成多段放大器之最終段電晶體之輸出端子側之寄生電感之誤差之降低。
解決方法為，為降低最終段電晶體之汲極側之寄生電感之誤差，使形成最終段電晶體之半導體晶片之一邊頂接於配線基板上設置之四角形凹部之內側壁，俾將半導體晶片能高精確度地固定於凹部之底部，使汲極導線之長度經常保持一定。晶片上面設置之汲極被配列之晶片邊緣部分接觸於汲極用接合焊墊側之凹部之內側壁(一邊)。於凹部之底部令與晶片相同尺寸之金屬層形成接觸於上述內側壁，之後將特定量之熔融接合材供給於金屬層上，之後令熔融接合材回流、融化，藉由融化之熔融接合材之表面張力及自動對準作用使晶片之一邊接觸於上述內側壁之一邊。简体摘要： 目的在于达成多段放大器之最终段晶体管之输出端子侧之寄生电感之误差之降低。 解决方法为，为降低最终段晶体管之汲极侧之寄生电感之误差，使形成最终段晶体管之半导体芯片之一边顶接于配线基板上设置之四角形凹部之内侧壁，俾将半导体芯片能高精确度地固定于凹部之底部，使汲极导线之长度经常保持一定。芯片上面设置之汲极被配列之芯片边缘部分接触于汲极用接合焊垫侧之凹部之内侧壁(一边)。于凹部之底部令与芯片相同尺寸之金属层形成接触于上述内侧壁，之后将特定量之熔融接合材供给于金属层上，之后令熔融接合材回流、融化，借由融化之熔融接合材之表面张力及自动对准作用使芯片之一边接触于上述内侧壁之一边。
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公开(公告)号：TW201806098A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：TW106106191
申请日：2017-02-23
申请人： 東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人： 八甫谷明彦 , HAPPOYA, AKIHIKO
IPC分类号： H01L23/29 , H01L23/31 , H01L23/495 , H01L21/56
CPC分类号： H01L23/49579 , H01L21/56 , H01L23/293 , H01L23/3114 , H01L23/3128 , H01L23/4952 , H01L23/49555 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L24/92 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48106 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/4852 , H01L2224/73265 , H01L2224/8592 , H01L2224/92247 , H01L2924/01026 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01042 , H01L2924/01047 , H01L2924/01074 , H01L2924/10253 , H01L2924/10272 , H01L2924/1033 , H01L2924/13064 , H01L2924/13091 , H01L2924/15311 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 實施形態之半導體封裝係具備半導體晶片、導電部、接合線、塑模樹脂部、與分子接合層。前述分子接合層係至少設於前述接合線的表面與前述塑模樹脂部之間。前述分子接合層的至少一部分係與被包含於前述接合線之金屬形成化學鍵。前述分子接合層的至少一部分係與被包含於前述塑模樹脂部之樹脂形成化學鍵。
简体摘要： 实施形态之半导体封装系具备半导体芯片、导电部、接合线、塑模树脂部、与分子接合层。前述分子接合层系至少设于前述接合线的表面与前述塑模树脂部之间。前述分子接合层的至少一部分系与被包含于前述接合线之金属形成化学键。前述分子接合层的至少一部分系与被包含于前述塑模树脂部之树脂形成化学键。
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公开(公告)号：TWI612300B
公开(公告)日：2018-01-21
申请号：TW105105605
申请日：2016-02-25
发明人： 王玉麟 , WANG, YU-LIN , 許振彬 , HSU, CHEN-PIN , 陳姵圻 , CHEN, PEI-CHI
IPC分类号： G01N27/327 , G01N27/414 , H01L27/12 , H01L29/772
CPC分类号： H01L24/32 , G01D11/245 , H01L21/4846 , H01L21/565 , H01L23/3107 , H01L29/1606 , H01L2224/32225 , H01L2924/01013 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01028 , H01L2924/01042 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/0132 , H01L2924/04941 , H01L2924/0496 , H01L2924/0509 , H01L2924/06 , H01L2924/0635 , H01L2924/0665 , H01L2924/10253 , H01L2924/1033 , H01L2924/10344 , H01L2924/1082 , H01L2924/1203 , H01L2924/1304 , H01L2924/1306 , H01L2924/13061 , H01L2924/13064 , H01L2924/146 , H01L2924/1461 , H01L2924/15747 , H01L2924/20102 , H01L2924/20103 , H01L2924/20104 , H01L2924/20105 , H01L2924/20106
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公开(公告)号：TWI577022B
公开(公告)日：2017-04-01
申请号：TW103106659
申请日：2014-02-27
发明人： 林立凡 , LIN, LIFAN , 楊竣傑 , YANG, CHUNCHIEH , 廖文甲 , LIAO, WENCHIA , 薛清全 , SHIUE, CHINGCHUAN , 陳世鵬 , CHEN, SHIHPENG
CPC分类号： H01L29/7787 , H01L23/3171 , H01L23/49537 , H01L23/49541 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L23/5226 , H01L23/528 , H01L23/5283 , H01L23/535 , H01L24/06 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/402 , H01L29/41758 , H01L29/4236 , H01L29/42376 , H01L29/7786 , H01L2224/04042 , H01L2224/05093 , H01L2224/0603 , H01L2224/45014 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49111 , H01L2924/1033 , H01L2924/10344 , H01L2924/13064 , H01L2924/00
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公开(公告)号：TW201711095A
公开(公告)日：2017-03-16
申请号：TW105128321
申请日：2010-05-12
发明人： 羅傑斯 約翰A , ROGERS, JOHN A. , 努茲若 勞弗 , NUZZO, RALPH , 金勳植 , KIM, HOON-SIK , 布魯克諾 艾瑞克 , BRUECKNER, ERIC , 朴商一 , PARK, SANG II , 金洛煥 , KIM, RAK HWAN
CPC分类号： H01L25/0753 , H01L21/6835 , H01L24/83 , H01L24/95 , H01L25/50 , H01L33/0079 , H01L33/32 , H01L33/486 , H01L33/507 , H01L33/54 , H01L33/62 , H01L2221/68322 , H01L2221/6835 , H01L2221/68354 , H01L2221/68363 , H01L2221/68386 , H01L2224/8312 , H01L2224/83868 , H01L2224/83871 , H01L2224/83874 , H01L2224/95085 , H01L2924/01322 , H01L2924/05432 , H01L2924/06 , H01L2924/12033 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/12043 , H01L2924/13063 , H01L2924/13064 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/2064 , H01L2924/20641 , H01L2933/0041 , H01L2933/005 , Y10S438/977 , H01L2924/00
摘要： 本文中闡述用於製作、組裝及配置電子裝置之可印刷結構及方法。本文中所闡述之該等方法中之若干方法適用於組裝其中一個或多個裝置組件係嵌入於一聚合物中之電子裝置，在該嵌入過程期間該聚合物經圖案化而具有用於裝置組件之間的電互連件之渠溝。本文中所闡述之某些方法適用於藉由印刷方法(例如藉由乾式轉印接觸印刷方法)來組裝電子裝置。本文中亦闡述GaN發光二極體及用於製作及配置(例如)用於顯示器或照明系統之GaN發光二極體之方法。
简体摘要： 本文中阐述用于制作、组装及配置电子设备之可印刷结构及方法。本文中所阐述之该等方法中之若干方法适用于组装其中一个或多个设备组件系嵌入于一聚合物中之电子设备，在该嵌入过程期间该聚合物经图案化而具有用于设备组件之间的电互连件之渠沟。本文中所阐述之某些方法适用于借由印刷方法(例如借由干式转印接触印刷方法)来组装电子设备。本文中亦阐述GaN发光二极管及用于制作及配置(例如)用于显示器或照明系统之GaN发光二极管之方法。
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公开(公告)号：TWI538213B
公开(公告)日：2016-06-11
申请号：TW102138464
申请日：2013-10-24
申请人： 東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人： 高木一考 , TAKAGI, KAZUTAKA
CPC分类号： H01L29/0696 , H01L23/66 , H01L24/06 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L29/2003 , H01L29/41758 , H01L29/7786 , H01L2223/6611 , H01L2223/6655 , H01L2224/04042 , H01L2224/06165 , H01L2224/48227 , H01L2224/49175 , H01L2924/00014 , H01L2924/10272 , H01L2924/1033 , H01L2924/12032 , H01L2924/1306 , H01L2924/13064 , H01L2924/19107 , H01L2924/30107 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
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公开(公告)号：TWI532130B
公开(公告)日：2016-05-01
申请号：TW102137865
申请日：2013-10-21
发明人： 李嘉炎 , LEE, CHIA YEN , 蔡欣昌 , TSAI, HSIN CHANG , 李芃昕 , LEE, PENG HSIN
CPC分类号： H01L21/76898 , H01L21/268 , H01L21/2885 , H01L21/76834 , H01L21/76879 , H01L21/76895 , H01L23/481 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L24/91 , H01L25/074 , H01L25/18 , H01L25/50 , H01L2224/02372 , H01L2224/0332 , H01L2224/0401 , H01L2224/05009 , H01L2224/05147 , H01L2224/05548 , H01L2224/05557 , H01L2224/0557 , H01L2224/06181 , H01L2224/13024 , H01L2224/131 , H01L2224/13147 , H01L2224/16146 , H01L2224/16147 , H01L2224/16148 , H01L2224/16238 , H01L2224/17181 , H01L2224/73221 , H01L2224/73255 , H01L2224/73257 , H01L2224/81193 , H01L2224/81815 , H01L2924/00014 , H01L2924/12042 , H01L2924/13064 , H01L2924/00012 , H01L2224/05599 , H01L2924/014 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
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公开(公告)号：TWI515859B
公开(公告)日：2016-01-01
申请号：TW102137864
申请日：2013-10-21
发明人： 蔡欣昌 , TSAI, HSIN CHANG , 李嘉炎 , LEE, CHIA YEN , 李芃昕 , LEE, PENG HSIN
IPC分类号： H01L23/522 , H01L21/768
CPC分类号： H01L21/76898 , H01L21/268 , H01L21/2885 , H01L21/76834 , H01L21/76879 , H01L21/76895 , H01L23/481 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L24/91 , H01L25/074 , H01L25/18 , H01L25/50 , H01L2224/02372 , H01L2224/0332 , H01L2224/0401 , H01L2224/05009 , H01L2224/05147 , H01L2224/05548 , H01L2224/05557 , H01L2224/0557 , H01L2224/06181 , H01L2224/13024 , H01L2224/131 , H01L2224/13147 , H01L2224/16146 , H01L2224/16147 , H01L2224/16148 , H01L2224/16238 , H01L2224/17181 , H01L2224/73221 , H01L2224/73255 , H01L2224/73257 , H01L2224/81193 , H01L2224/81815 , H01L2924/00014 , H01L2924/12042 , H01L2924/13064 , H01L2924/00012 , H01L2224/05599 , H01L2924/014 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
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公开(公告)号：TW201537707A
公开(公告)日：2015-10-01
申请号：TW103124428
申请日：2014-07-16
申请人： 東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人： 柴田浩延 , SHIBATA, HIRONOBU
CPC分类号： H01L24/05 , H01L23/4827 , H01L24/03 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L2224/038 , H01L2224/04026 , H01L2224/05005 , H01L2224/05084 , H01L2224/05124 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/29111 , H01L2224/32227 , H01L2224/32245 , H01L2924/01327 , H01L2924/13064 , H01L2924/00014 , H01L2924/0105 , H01L2924/00012
摘要： 本發明提供一種可實現電極與焊料之適切之接合之半導體裝置及其製造方法。 根據一實施形態，半導體裝置包括含有第1金屬元素之電極層。進而，上述裝置包括金屬層，該金屬層設於上述電極層上，且含有上述第1金屬元素及與上述第1金屬元素不同之第2金屬元素。進而，上述裝置包括焊料層，該焊料層係於上述金屬層上與上述電極層相隔而設，且含有上述第2金屬元素。
简体摘要： 本发明提供一种可实现电极与焊料之适切之接合之半导体设备及其制造方法。 根据一实施形态，半导体设备包括含有第1金属元素之电极层。进而，上述设备包括金属层，该金属层设于上述电极层上，且含有上述第1金属元素及与上述第1金属元素不同之第2金属元素。进而，上述设备包括焊料层，该焊料层系于上述金属层上与上述电极层相隔而设，且含有上述第2金属元素。
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