公开(公告)号：TW201330051A

公开(公告)日：2013-07-16

申请号：TW101134103

申请日：2012-09-18

申请人： 歐姆龍股份有限公司 ,  OMRON CORPORATION

发明人： 藤原剛史 ,  FUJIWARA, TAKESHI ,  奧野敏明 ,  OKUNO, TOSHIAKI ,  井上勝之 ,  INOUE, KATSUYUKI ,  山本淳也 ,  YAMAMOTO, JUNYA ,  日沼健一 ,  HINUMA, KENICHI ,  蘆原義樹 ,  ASHIHARA, YOSHIKI ,  宮地孝明 ,  MIYAJI, TAKAAKI

IPC分类号： H01L21/02 ,  B81B7/00

CPC分类号： H01L24/05 ,  B81C1/00269 ,  B81C2203/019 ,  H01L21/50 ,  H01L23/02 ,  H01L23/10 ,  H01L24/03 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/06182 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13169 ,  H01L2224/13173 ,  H01L2224/13176 ,  H01L2224/13178 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/1601 ,  H01L2224/16058 ,  H01L2224/16502 ,  H01L2224/16506 ,  H01L2224/2908 ,  H01L2224/29171 ,  H01L2224/3201 ,  H01L2224/32058 ,  H01L2224/32502 ,  H01L2224/32506 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81805 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83805 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： [目的]當藉由共晶接合來接合晶圓之接合部時，防止一黏著層因AuSn而變差。[解決方法]在一晶圓1之一表面上形成一黏著層4，以及在該黏著層4上方堆疊一由對於AuSn具有低可濕性之材料所形成之防擴散層7。此外，在該防擴散層7之一表面上形成一接合層8，以便從該防擴散層7之邊緣縮進，藉此在該晶圓1之表面上形成一接合部3。同時，在一晶圓11之下表面上提供一接合部13，以及在該接合部13下方提供一AuSn焊料層19。使該AuSn焊料層19熔化，以及在該第一晶圓1與該第二晶圓11彼此相對之狀況下，藉由AuSn共晶接合以一AuSn焊料22接合該第一接合部與該第二接合部。

简体摘要： [目的]当借由共晶接合来接合晶圆之接合部时，防止一黏着层因AuSn而变差。[解决方法]在一晶圆1之一表面上形成一黏着层4，以及在该黏着层4上方堆栈一由对于AuSn具有低可湿性之材料所形成之防扩散层7。此外，在该防扩散层7之一表面上形成一接合层8，以便从该防扩散层7之边缘缩进，借此在该晶圆1之表面上形成一接合部3。同时，在一晶圆11之下表面上提供一接合部13，以及在该接合部13下方提供一AuSn焊料层19。使该AuSn焊料层19熔化，以及在该第一晶圆1与该第二晶圆11彼此相对之状况下，借由AuSn共晶接合以一AuSn焊料22接合该第一接合部与该第二接合部。

公开(公告)号：TW201306210A

公开(公告)日：2013-02-01

申请号：TW101116628

申请日：2012-05-10

申请人： 史達晶片有限公司 ,  STATS CHIPPAC, LTD.

发明人： 催源璟 ,  CHOI, WON KYOUNG ,  瑪莉姆蘇 潘迪 琪帆 ,  MARIMUTHU, PANDI CHELVAM

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L23/50 ,  H01L23/538

CPC分类号： H01L24/13 ,  H01L23/3171 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/10 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05111 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05555 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11452 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11472 ,  H01L2224/11822 ,  H01L2224/11906 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13076 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13166 ,  H01L2224/13562 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/13609 ,  H01L2224/13611 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81201 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： 一種半導體裝置，包括：一半導體晶粒，其具有一形成於該半導體晶粒上的第一導電層。一第一絕緣層形成於該半導體晶粒上，其具有設置在該第一導電層上該第一絕緣層中之一第一孔。一第二導電層形成於該第一絕緣層上，且進入該第一導電層上該第一孔中。一互連結構藉由在該第一絕緣層上形成一第二絕緣層而建構，其所具有一第二孔之寬度小於該第一孔之寬度，且將導電材料沉積在該第二孔中。該互連結構可以是一導電柱或導電墊。該互連結構之寬度小於該第一孔之寬度。將在該第一孔外的該第一絕緣層上的該第二導電層去除，而留下在該互連結構下之該第二導電層。

简体摘要： 一种半导体设备，包括：一半导体晶粒，其具有一形成于该半导体晶粒上的第一导电层。一第一绝缘层形成于该半导体晶粒上，其具有设置在该第一导电层上该第一绝缘层中之一第一孔。一第二导电层形成于该第一绝缘层上，且进入该第一导电层上该第一孔中。一互链接构借由在该第一绝缘层上形成一第二绝缘层而建构，其所具有一第二孔之宽度小于该第一孔之宽度，且将导电材料沉积在该第二孔中。该互链接构可以是一导电柱或导电垫。该互链接构之宽度小于该第一孔之宽度。将在该第一孔外的该第一绝缘层上的该第二导电层去除，而留下在该互链接构下之该第二导电层。

公开(公告)号：TW201251119A

公开(公告)日：2012-12-16

申请号：TW101114910

申请日：2012-04-26

申请人： 日亞化學工業股份有限公司

发明人： 米田章法 ,  川口浩史 ,  出口宏一郎

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L33/62 ,  H01L24/03 ,  H01L24/04 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  H01L33/382 ,  H01L33/405 ,  H01L33/44 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03472 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05564 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/06102 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2933/0066

摘要： 為了提供具有厚膜厚的金屬凸塊且可靠性高的氮化物半導體發光元件、以及該氮化物半導體發光元件的生產性得以提升之製造方法,該氮化物半導體發光元件的製造方法係具有以下構成之覆晶式氮化物半導體發光元件的製造方法:氮化物半導體發光元件構造,具有:積層於基板上的n型氮化物半導體層及p型氮化物半導體層、在基板的同一平面側將n側電極連接於n型氮化物半導體層的n側電極連接面、和將p側電極連接於p型氮化物半導體層的p側電極連接面;n側電極,係連接於n側電極連接面;p側電極,係連接於p側電極連接面;及金屬凸塊,係形成於n側電極上及p側電極上;該氮化物半導體發光元件的製造方法係依序進行:保護層形成步驟、第1阻劑圖案形成步驟、保護層蝕刻步驟、第1金屬層形成步驟、第2阻劑圖案形成步驟、第2金屬層形成步驟和阻劑圖案去除步驟。

简体摘要： 为了提供具有厚膜厚的金属凸块且可靠性高的氮化物半导体发光组件、以及该氮化物半导体发光组件的生产性得以提升之制造方法,该氮化物半导体发光组件的制造方法系具有以下构成之覆晶式氮化物半导体发光组件的制造方法:氮化物半导体发光组件构造,具有:积层于基板上的n型氮化物半导体层及p型氮化物半导体层、在基板的同一平面侧将n侧电极连接于n型氮化物半导体层的n侧电极连接面、和将p侧电极连接于p型氮化物半导体层的p侧电极连接面;n侧电极,系连接于n侧电极连接面;p侧电极,系连接于p侧电极连接面;及金属凸块,系形成于n侧电极上及p侧电极上;该氮化物半导体发光组件的制造方法系依序进行:保护层形成步骤、第1阻剂图案形成步骤、保护层蚀刻步骤、第1金属层形成步骤、第2阻剂图案形成步骤、第2金属层形成步骤和阻剂图案去除步骤。

公开(公告)号：TW201250885A

公开(公告)日：2012-12-16

申请号：TW101118113

申请日：2012-05-22

申请人： 南茂科技股份有限公司

发明人： 沈更新

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/4951 ,  H01L23/49551 ,  H01L23/49861 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13118 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13562 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/13644 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/8191 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/351 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： 本發明提供一種四方扁平無接腳(Quad Flat Non-leaded;QFN)封裝,其包含一晶片、一導線框架、複數個複合凸塊及一封裝體。該晶片具有複數個焊墊,且該導線框架具有複數個接腳。每一該等複合凸塊具有一第一導電層及一第二導電層。該第一導電層電性連接於該等焊墊其中之一與該第二導電層之間,且該第二導電層電性連接於該第一導電層與該等接腳其中之ㄧ之間。該封裝體適可封裝該晶片、該等接腳及該等複合凸塊。藉此,提供一具有複數個複合凸塊及一半固化封裝體之四方扁平無接腳封裝,其中該半固化封裝體係在該晶片接合至該導線框架之前形成於該導線框架之該等接腳間之空間中。

简体摘要： 本发明提供一种四方扁平无接脚(Quad Flat Non-leaded;QFN)封装,其包含一芯片、一导线框架、复数个复合凸块及一封装体。该芯片具有复数个焊垫,且该导线框架具有复数个接脚。每一该等复合凸块具有一第一导电层及一第二导电层。该第一导电层电性连接于该等焊垫其中之一与该第二导电层之间,且该第二导电层电性连接于该第一导电层与该等接脚其中之ㄧ之间。该封装体适可封装该芯片、该等接脚及该等复合凸块。借此,提供一具有复数个复合凸块及一半固化封装体之四方扁平无接脚封装,其中该半固化封装体系在该芯片接合至该导线框架之前形成于该导线框架之该等接脚间之空间中。

公开(公告)号：TWI377632B

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：TW097111020

申请日：2008-03-27

申请人： 中華民國台灣薄膜電晶體液晶顯示器產業協會 ,  中華映管股份有限公司 ,  友達光電股份有限公司 ,  瀚宇彩晶股份有限公司 ,  奇美電子股份有限公司 ,  財團法人工業技術研究院 ,  統寶光電股份有限公司

发明人： 楊省樞 ,  張世明

IPC分类号： H01L ,  G02F

CPC分类号： H05K3/4007 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13008 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13018 ,  H01L2224/13019 ,  H01L2224/13021 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13078 ,  H01L2224/1319 ,  H01L2224/13562 ,  H01L2224/13563 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/13582 ,  H01L2224/136 ,  H01L2224/1401 ,  H01L2224/1411 ,  H01L2224/1415 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81903 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/83874 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/15788 ,  H01R12/714 ,  H05K3/325 ,  H05K3/368 ,  H05K2201/0367 ,  H05K2201/09909 ,  Y10S439/931 ,  Y10T29/49155 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

摘要： 一種設置在一基板上的接點結構，其包括一接墊、一高分子凸塊以及一導電層。接墊位於基板上。高分子凸塊配置於基板上，而且高分子凸塊具有一弧狀表面以及與弧狀表面連接的一陡峭面。導電層覆蓋高分子凸塊，且與接墊電性連接。

简体摘要： 一种设置在一基板上的接点结构，其包括一接垫、一高分子凸块以及一导电层。接垫位于基板上。高分子凸块配置于基板上，而且高分子凸块具有一弧状表面以及与弧状表面连接的一陡峭面。导电层覆盖高分子凸块，且与接垫电性连接。

公开(公告)号：TW201227848A

公开(公告)日：2012-07-01

申请号：TW099144947

申请日：2010-12-21

申请人： 南茂科技股份有限公司

发明人： 齊中邦

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05007 ,  H01L2224/0501 ,  H01L2224/0502 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/05547 ,  H01L2224/0556 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11474 ,  H01L2224/11902 ,  H01L2224/11912 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13018 ,  H01L2224/13019 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/13082 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00012

摘要： 一種凸塊結構的製作方法。提供一基板。基板具有至少一焊墊與一保護層。保護層具有至少一第一開口以將焊墊暴露。在保護層上形成一絕緣層。絕緣層具有至少一第二開口,且第二開口位於第一開口上方。於絕緣層上形成一金屬層。金屬層透過第一開口以及第二開口與焊墊電性連接。於第一開口以及第二開口內形成一第一凸塊。於第一凸塊與部分金屬層上形成一第二凸塊。以第二凸塊為罩幕,移除部分未被第二凸塊所覆蓋之金屬層以形成至少一球底金屬層。第一凸塊被球底金屬層以及第二凸塊完全包覆。

简体摘要： 一种凸块结构的制作方法。提供一基板。基板具有至少一焊垫与一保护层。保护层具有至少一第一开口以将焊垫暴露。在保护层上形成一绝缘层。绝缘层具有至少一第二开口,且第二开口位于第一开口上方。于绝缘层上形成一金属层。金属层透过第一开口以及第二开口与焊垫电性连接。于第一开口以及第二开口内形成一第一凸块。于第一凸块与部分金属层上形成一第二凸块。以第二凸块为罩幕,移除部分未被第二凸块所覆盖之金属层以形成至少一球底金属层。第一凸块被球底金属层以及第二凸块完全包覆。

公开(公告)号：TW201216429A

公开(公告)日：2012-04-16

申请号：TW100107052

申请日：2011-03-03

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司

发明人： 林志偉 ,  鄭明達 ,  呂文雄 ,  周孟緯 ,  郭宏瑞 ,  劉重希

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L24/13 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/0341 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05559 ,  H01L2224/05564 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11452 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/11472 ,  H01L2224/13006 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/48 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

摘要： 本發明有關半導體裝置的凸塊結構。在一實施例中，半導體裝置包括一基板；一接觸墊於基板上方；一鈍化層，延伸於基板上方，並具一開口在接觸墊上；及一導電柱於鈍化層開口之上，其中導電柱包括一垂直於基板一表面的較高部份，及一具漸窄側壁的較低部分。

简体摘要： 本发明有关半导体设备的凸块结构。在一实施例中，半导体设备包括一基板；一接触垫于基板上方；一钝化层，延伸于基板上方，并具一开口在接触垫上；及一导电柱于钝化层开口之上，其中导电柱包括一垂直于基板一表面的较高部份，及一具渐窄侧壁的较低部分。

公开(公告)号：TW201212138A

公开(公告)日：2012-03-16

申请号：TW100127458

申请日：2011-08-02

申请人： 德國艾托特克公司

发明人： 馬堤傑特 凱 珍斯 ,  蘭帕瑞奇 史文 ,  艾威特 尹葛 ,  夏歐恩柏葛 凱薩琳 ,  克雷斯 裘葛恩

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H05K3/4007 ,  H01L21/4853 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11474 ,  H01L2224/1148 ,  H01L2224/11825 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/11906 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13166 ,  H01L2224/13171 ,  H01L2224/13562 ,  H01L2224/13611 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01061 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/351 ,  H05K3/3473 ,  H05K2203/054 ,  H05K2203/0577 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

摘要： 本發明描述一種於基板上形成金屬或金屬合金層之方法，其包含以下步驟：i)提供包括至少一個接觸區上之永久樹脂層及該永久樹脂層上之臨時樹脂層的基板，ii)使包括至少一個接觸區之整個基板區與適於在基板表面上提供導電層之溶液接觸，及iii)於導電層上電鍍金屬或金屬合金層。

简体摘要： 本发明描述一种于基板上形成金属或金属合金层之方法，其包含以下步骤：i)提供包括至少一个接触区上之永久树脂层及该永久树脂层上之临时树脂层的基板，ii)使包括至少一个接触区之整个基板区与适于在基板表面上提供导电层之溶液接触，及iii)于导电层上电镀金属或金属合金层。

公开(公告)号：TW201203482A

公开(公告)日：2012-01-16

申请号：TW099143643

申请日：2010-12-14

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司

发明人： 黃見翎 ,  黃英叡 ,  林正怡 ,  雷弋昜 ,  林正忠 ,  劉重希

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L24/13 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03831 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/03914 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11622 ,  H01L2224/11831 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/11901 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/1146

摘要： 本發明實施例係包含一導電凸塊位於一半導體晶片上。提供一基材，其上具有一連接墊，此連接墊上具有一凸塊下金屬層。銅柱具有一頂面及凹型側壁，此頂面具有一第一寬度。一鎳層，具有一頂面及一底面，位於此銅柱之頂面上。此鎳層之底面具有一第二寬度。第二寬度對第一寬度之比例為約0.93至1.07。一焊料位於該蓋層之該頂面上。

简体摘要： 本发明实施例系包含一导电凸块位于一半导体芯片上。提供一基材，其上具有一连接垫，此连接垫上具有一凸块下金属层。铜柱具有一顶面及凹型侧壁，此顶面具有一第一宽度。一镍层，具有一顶面及一底面，位于此铜柱之顶面上。此镍层之底面具有一第二宽度。第二宽度对第一宽度之比例为约0.93至1.07。一焊料位于该盖层之该顶面上。

公开(公告)号：TW201133737A

公开(公告)日：2011-10-01

申请号：TW099130609

申请日：2010-09-10

申请人： ATI科技ULC公司

发明人： 塔巴西歐 羅登 ,  汪 葛瑞爾

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L23/49816 ,  H01L23/562 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0233 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/02375 ,  H01L2224/02381 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05005 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05012 ,  H01L2224/05013 ,  H01L2224/05014 ,  H01L2224/05015 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05559 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05582 ,  H01L2224/05583 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/06131 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2924/00012

摘要： 本發明提供一種使用於半導體晶粒之路由層。該路由層包含;複數個銲墊,係用於附接銲錫凸塊;接合銲墊,係經接合至具有積體電路之晶粒之凸塊銲墊;以及複數個跡線,係將接合銲墊互連至銲墊。該路由層係形成於介電材料層上。該路由層包含至少局部包圍一些銲墊之導電跡線,以便吸收來自附接至該等銲墊之銲錫凸塊之應力。包圍銲墊的部分跡線保護靠近該等銲錫凸塊之部份下層介電材料免於受到應力。

简体摘要： 本发明提供一种使用于半导体晶粒之路由层。该路由层包含;复数个焊垫,系用于附接焊锡凸块;接合焊垫,系经接合至具有集成电路之晶粒之凸块焊垫;以及复数个迹线,系将接合焊垫互连至焊垫。该路由层系形成于介电材料层上。该路由层包含至少局部包围一些焊垫之导电迹线,以便吸收来自附接至该等焊垫之焊锡凸块之应力。包围焊垫的部分迹线保护靠近该等焊锡凸块之部份下层介电材料免于受到应力。