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公开(公告)号：TWI529889B
公开(公告)日：2016-04-11
申请号：TW103114632
申请日：2014-04-23
发明人： 呂俊麟 , LU, CHUN LIN , 吳凱強 , WU, KAI CHIANG , 劉明凱 , LIU, MING KAI , 王彥評 , WANG, YEN PING , 梁世緯 , LIANG, SHIH WEI , 楊青峰 , YANG, CHING FENG , 繆佳君 , MIAO, CHIA CHUN , 蔡豪益 , TSAI, HAO YI
IPC分类号： H01L23/488 , H01L21/60
CPC分类号： H01L24/13 , H01L23/49811 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/11 , H01L24/14 , H01L24/81 , H01L2224/0345 , H01L2224/03462 , H01L2224/0401 , H01L2224/05552 , H01L2224/05555 , H01L2224/05568 , H01L2224/05569 , H01L2224/05573 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05666 , H01L2224/05671 , H01L2224/05684 , H01L2224/06051 , H01L2224/1134 , H01L2224/13012 , H01L2224/13026 , H01L2224/13124 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13166 , H01L2224/13169 , H01L2224/13551 , H01L2224/13562 , H01L2224/13565 , H01L2224/1357 , H01L2224/13611 , H01L2224/13616 , H01L2224/14051 , H01L2224/16058 , H01L2224/81191 , H01L2224/81411 , H01L2224/81416 , H01L2224/81444 , H01L2224/81447 , H01L2224/81455 , H01L2224/81815 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/3512
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公开(公告)号：TW201519390A
公开(公告)日：2015-05-16
申请号：TW103116031
申请日：2014-05-06
发明人： 史朝文 , SHIH, CHAO WEN , 吳凱強 , WU, KAI CHIANG , 楊青峰 , YANG, CHING FENG , 劉明凱 , LIU, MING KAI , 梁世緯 , LIANG, SHIH WEI , 王彥評 , WANG, YEN PING
IPC分类号： H01L23/488 , H01L21/60
CPC分类号： H01L24/11 , H01L21/56 , H01L21/565 , H01L23/291 , H01L23/3114 , H01L23/3157 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L2224/02175 , H01L2224/03828 , H01L2224/0401 , H01L2224/05548 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05684 , H01L2224/10145 , H01L2224/1134 , H01L2224/11849 , H01L2224/13007 , H01L2224/13023 , H01L2224/13111 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/81191 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029
摘要： 本揭露提供一種半導體封裝，其包含一基板，一保護層，具有一頂表面之一後鈍化互連(post-passivation interconnect,PPI)；及一導電結構。該PPI之該頂表面包含接收該導電結構之一第一區域及一環繞該第一區域之一第二區域。該第二區域包含金屬衍生物，其由該第一區域之材料所轉變。本揭露提供一種製造一半導體封裝之方法，其包含形成覆蓋一PPI之一頂表面之一部分之一第一助焊層；轉變未被該第一助焊層所覆蓋之該PPI之該頂表面之一部分成一金屬衍生物層；移除該第一助焊層；在該PPI之該第一區域上形成一第二助焊層；在該助焊層上置放一焊接球；及在該焊接球與該PPI之間形成電連接。
简体摘要： 本揭露提供一种半导体封装，其包含一基板，一保护层，具有一顶表面之一后钝化互连(post-passivation interconnect,PPI)；及一导电结构。该PPI之该顶表面包含接收该导电结构之一第一区域及一环绕该第一区域之一第二区域。该第二区域包含金属衍生物，其由该第一区域之材料所转变。本揭露提供一种制造一半导体封装之方法，其包含形成覆盖一PPI之一顶表面之一部分之一第一助焊层；转变未被该第一助焊层所覆盖之该PPI之该顶表面之一部分成一金属衍生物层；移除该第一助焊层；在该PPI之该第一区域上形成一第二助焊层；在该助焊层上置放一焊接球；及在该焊接球与该PPI之间形成电连接。
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公开(公告)号：TW201729361A
公开(公告)日：2017-08-16
申请号：TW105133466
申请日：2016-10-17
发明人： 王垂堂 , WANG, CHUEI-TANG , 陳頡彥 , CHEN, CHIEH-YEN , 湯子君 , TANG, TZU-CHUN , 余振華 , YU, CHEN-HUA , 楊青峰 , YANG, CHING-FENG , 劉明凱 , LIU, MING-KAI , 王彥評 , WANG, YEN-PING , 吳凱強 , WU, KAI-CHIANG , 張守仁 , CHANG, SHOU ZEN , 林韋廷 , LIN, WEI-TING , 呂俊麟 , LU, CHUN-LIN
CPC分类号： H01L23/552 , H01L21/78 , H01L23/3178 , H01L23/528 , H01L23/585 , H01L24/03 , H01L24/08 , H01L24/17 , H01L25/0652 , H01L25/50 , H01L2224/02371 , H01L2224/02381 , H01L2224/0401 , H01L2224/08137 , H01L2224/08148 , H01L2224/08238 , H01L2224/16148 , H01L2924/1434
摘要： 一種半導體裝置包含一半導體晶粒。一介電質材料環繞該半導體晶粒以形成一整合式半導體封裝。存在耦合至該整合式半導體封裝且組態為該半導體封裝之一接地端子之一接點。該半導體裝置進一步具有實質上封圍該整合式半導體封裝之一EMI (電磁干擾)屏蔽物，其中該EMI屏蔽物透過放置於該整合式半導體封裝中之一路徑與該接點耦合。
简体摘要： 一种半导体设备包含一半导体晶粒。一介电质材料环绕该半导体晶粒以形成一集成式半导体封装。存在耦合至该集成式半导体封装且组态为该半导体封装之一接地端子之一接点。该半导体设备进一步具有实质上封围该集成式半导体封装之一EMI (电磁干扰)屏蔽物，其中该EMI屏蔽物透过放置于该集成式半导体封装中之一路径与该接点耦合。
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公开(公告)号：TW201539595A
公开(公告)日：2015-10-16
申请号：TW103145150
申请日：2014-12-24
发明人： 繆佳君 , MIAO, CHIA CHUN , 梁世緯 , LIANG, SHIH WEI , 王彥評 , WANG, YEN PING , 吳凱強 , WU, KAI CHIANG , 劉明凱 , LIU, MING KAI
IPC分类号： H01L21/58 , H01L21/60 , H01L23/50 , H01L23/522
CPC分类号： H01L24/13 , H01L21/565 , H01L24/02 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L2224/0231 , H01L2224/02331 , H01L2224/02375 , H01L2224/0239 , H01L2224/0345 , H01L2224/03462 , H01L2224/0401 , H01L2224/05124 , H01L2224/05139 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05164 , H01L2224/05184 , H01L2224/05552 , H01L2224/05553 , H01L2224/05555 , H01L2224/05569 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/05684 , H01L2224/11005 , H01L2224/11015 , H01L2224/111 , H01L2224/11334 , H01L2224/13005 , H01L2224/13014 , H01L2224/1302 , H01L2224/13024 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13116 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13294 , H01L2224/133 , H01L2224/1401 , H01L2224/73204 , H01L2224/81121 , H01L2224/81815 , H01L2924/181 , H01L2924/37001 , H01L2924/00 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2924/01079 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2924/01028 , H01L2924/01074 , H01L2924/01013 , H01L2924/01046 , H01L2924/00012
摘要： 半導體結構包含位於基板上方的傳導凸塊，以及被該傳導凸塊環繞的延伸鐵磁件，該延伸鐵磁件包含第一端與第二端並且從該第一端延伸至該第二端，該延伸鐵磁件係實質垂直於該基板，以使該傳導凸塊位於該基板的預定位向與預定位置。再者，製造半導體結構的方法包含提供基板、在該基板內形成傳導凸塊、施加電流流經該導電跡線以產生電磁場，以及響應該導電跡線產生的該電磁場，使含有延伸鐵磁件的傳導凸塊位於基板上方的預定位向與預定位置。
简体摘要： 半导体结构包含位于基板上方的传导凸块，以及被该传导凸块环绕的延伸铁磁件，该延伸铁磁件包含第一端与第二端并且从该第一端延伸至该第二端，该延伸铁磁件系实质垂直于该基板，以使该传导凸块位于该基板的预定位向与预定位置。再者，制造半导体结构的方法包含提供基板、在该基板内形成传导凸块、施加电流流经该导电迹线以产生电磁场，以及响应该导电迹线产生的该电磁场，使含有延伸铁磁件的传导凸块位于基板上方的预定位向与预定位置。
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公开(公告)号：TW201830596A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：TW106126445
申请日：2017-08-04
发明人： 余振華 , YU, CHEN-HUA , 吳凱強 , WU, KAI-CHIANG , 呂俊麟 , LU, CHUN-LIN
IPC分类号： H01L23/28
摘要： 一種半導體結構包含：一第一晶粒；一第一模塑物，其囊封該第一晶粒；一第二晶粒，其放置於該第一模塑物上方且包含一第一表面、與該第一表面對置之一第二表面及介於該第一表面與該第二表面之間的一側壁；及一第二模塑物，其放置於該第一模塑物上方且環繞該第二晶粒，其中該第二晶粒之該第一表面面向該第一模塑物，且該第二晶粒至少部分地由該第二模塑物覆蓋。
简体摘要： 一种半导体结构包含：一第一晶粒；一第一模塑物，其囊封该第一晶粒；一第二晶粒，其放置于该第一模塑物上方且包含一第一表面、与该第一表面对置之一第二表面及介于该第一表面与该第二表面之间的一侧壁；及一第二模塑物，其放置于该第一模塑物上方且环绕该第二晶粒，其中该第二晶粒之该第一表面面向该第一模塑物，且该第二晶粒至少部分地由该第二模塑物覆盖。
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公开(公告)号：TW201727850A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW105134161
申请日：2016-10-21
发明人： 楊青峰 , YANG, CHING-FENG , 呂俊麟 , LU, CHUN-LIN , 吳凱強 , WU, KAI-CHIANG , 陳頡彥 , CHEN, CHIEH-YEN
IPC分类号： H01L23/31 , H01L23/498 , H01L23/552
CPC分类号： H01L23/552 , H01L23/3107 , H01L23/3142 , H01L23/3157 , H01L23/49811 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L23/5383 , H01L23/5384 , H01L23/562 , H01L23/585 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/19 , H01L24/81 , H01L24/96 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/131 , H01L2224/16227 , H01L2224/81024 , H01L2224/81815 , H01L2224/81911 , H01L2924/18162 , H01L2924/3025 , H01L2924/014 , H01L2924/00014
摘要： 本發明實施例揭露一種半導體裝置，其包含一半導體晶粒，該半導體晶粒具有安置於該半導體晶粒之一周邊中之一保護環。該半導體裝置亦包含位於該保護環上方之一導電襯墊。該半導體裝置進一步具有：一鈍化層，其部分覆蓋該導電襯墊且包含用於暴露該導電襯墊之一部分之一凹槽；及一鈍化後互連件(PPI)，其位於該鈍化層上方。在該半導體裝置中，一導體自該凹槽向上延伸且連接至該PPI之一部分。
简体摘要： 本发明实施例揭露一种半导体设备，其包含一半导体晶粒，该半导体晶粒具有安置于该半导体晶粒之一周边中之一保护环。该半导体设备亦包含位于该保护环上方之一导电衬垫。该半导体设备进一步具有：一钝化层，其部分覆盖该导电衬垫且包含用于暴露该导电衬垫之一部分之一凹槽；及一钝化后互连件(PPI)，其位于该钝化层上方。在该半导体设备中，一导体自该凹槽向上延伸且连接至该PPI之一部分。
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公开(公告)号：TWI564976B
公开(公告)日：2017-01-01
申请号：TW103145150
申请日：2014-12-24
发明人： 繆佳君 , MIAO, CHIA CHUN , 梁世緯 , LIANG, SHIH WEI , 王彥評 , WANG, YEN PING , 吳凱強 , WU, KAI CHIANG , 劉明凱 , LIU, MING KAI
IPC分类号： H01L21/58 , H01L21/60 , H01L23/50 , H01L23/522
CPC分类号： H01L24/13 , H01L21/565 , H01L24/02 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L2224/0231 , H01L2224/02331 , H01L2224/02375 , H01L2224/0239 , H01L2224/0345 , H01L2224/03462 , H01L2224/0401 , H01L2224/05124 , H01L2224/05139 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05164 , H01L2224/05184 , H01L2224/05552 , H01L2224/05553 , H01L2224/05555 , H01L2224/05569 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/05684 , H01L2224/11005 , H01L2224/11015 , H01L2224/111 , H01L2224/11334 , H01L2224/13005 , H01L2224/13014 , H01L2224/1302 , H01L2224/13024 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13116 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13294 , H01L2224/133 , H01L2224/1401 , H01L2224/73204 , H01L2224/81121 , H01L2224/81815 , H01L2924/181 , H01L2924/37001 , H01L2924/00 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2924/01079 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2924/01028 , H01L2924/01074 , H01L2924/01013 , H01L2924/01046 , H01L2924/00012
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公开(公告)号：TWI544594B
公开(公告)日：2016-08-01
申请号：TW103116031
申请日：2014-05-06
发明人： 史朝文 , SHIH, CHAO WEN , 吳凱強 , WU, KAI CHIANG , 楊青峰 , YANG, CHING FENG , 劉明凱 , LIU, MING KAI , 梁世緯 , LIANG, SHIH WEI , 王彥評 , WANG, YEN PING
IPC分类号： H01L23/488 , H01L21/60
CPC分类号： H01L24/11 , H01L21/56 , H01L21/565 , H01L23/291 , H01L23/3114 , H01L23/3157 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L2224/02175 , H01L2224/03828 , H01L2224/0401 , H01L2224/05548 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05684 , H01L2224/10145 , H01L2224/1134 , H01L2224/11849 , H01L2224/13007 , H01L2224/13023 , H01L2224/13111 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/81191 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029
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公开(公告)号：TW201508885A
公开(公告)日：2015-03-01
申请号：TW103114632
申请日：2014-04-23
发明人： 呂俊麟 , LU, CHUN LIN , 吳凱強 , WU, KAI CHIANG , 劉明凱 , LIU, MING KAI , 王彥評 , WANG, YEN PING , 梁世緯 , LIANG, SHIH WEI , 楊青峰 , YANG, CHING FENG , 繆佳君 , MIAO, CHIA CHUN , 蔡豪益 , TSAI, HAO YI
IPC分类号： H01L23/488 , H01L21/60
CPC分类号： H01L24/13 , H01L23/49811 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/11 , H01L24/14 , H01L24/81 , H01L2224/0345 , H01L2224/03462 , H01L2224/0401 , H01L2224/05552 , H01L2224/05555 , H01L2224/05568 , H01L2224/05569 , H01L2224/05573 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05666 , H01L2224/05671 , H01L2224/05684 , H01L2224/06051 , H01L2224/1134 , H01L2224/13012 , H01L2224/13026 , H01L2224/13124 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13166 , H01L2224/13169 , H01L2224/13551 , H01L2224/13562 , H01L2224/13565 , H01L2224/1357 , H01L2224/13611 , H01L2224/13616 , H01L2224/14051 , H01L2224/16058 , H01L2224/81191 , H01L2224/81411 , H01L2224/81416 , H01L2224/81444 , H01L2224/81447 , H01L2224/81455 , H01L2224/81815 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/3512
摘要： 本揭露提供一種半導體裝置及其製造方法，半導體裝置包含有載體，球下冶金墊設置於載體上，以及支柱設置於球下冶金墊之表面上。於一些實施例當中，支柱之高度與球下冶金墊之最長長度之比率介於大約0.25~0.7之間。於半導體裝置製造方法，包含有提供載體，設置球下冶金墊於載體上，以及形成支柱於球下冶金墊上。
简体摘要： 本揭露提供一种半导体设备及其制造方法，半导体设备包含有载体，球下冶金垫设置于载体上，以及支柱设置于球下冶金垫之表面上。于一些实施例当中，支柱之高度与球下冶金垫之最长长度之比率介于大约0.25~0.7之间。于半导体设备制造方法，包含有提供载体，设置球下冶金垫于载体上，以及形成支柱于球下冶金垫上。
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公开(公告)号：TW201620102A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：TW105102818
申请日：2012-05-09
发明人： 陳玉芬 , CHEN, YU FENG , 林俊宏 , LIN, CHUN HUNG , 普翰屏 , PU, HAN PING , 鄭明達 , CHENG, MING DA , 吳凱強 , WU, KAI CHIANG
IPC分类号： H01L23/488 , H01L23/31 , H01L25/10 , H01L21/60 , H01L21/56
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L21/565 , H01L23/3107 , H01L23/49816 , H01L23/562 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2224/03334 , H01L2224/0384 , H01L2224/0391 , H01L2224/0401 , H01L2224/05075 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166 , H01L2224/05181 , H01L2224/05571 , H01L2224/06181 , H01L2224/11334 , H01L2224/1184 , H01L2224/1191 , H01L2224/13005 , H01L2224/13012 , H01L2224/13013 , H01L2224/13014 , H01L2224/13022 , H01L2224/13023 , H01L2224/13078 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2224/13116 , H01L2224/13139 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/16145 , H01L2224/16147 , H01L2224/16225 , H01L2224/17181 , H01L2224/32145 , H01L2224/73204 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2224/81815 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2225/1088 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/12042 , H01L2924/1305 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/207 , H01L2924/206 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
摘要： 本發明提供封裝上封裝的連接物之形成方法，可減少連接物的尺寸與間距，進而縮減封裝尺寸並增加連接數目。一封裝上的導電單元係部份埋置於封裝的模塑化合物中，以接合至另一封裝上的接觸物或金屬墊。藉由埋置導電單元，可縮小導電單元，並使導電單元與模塑化合物之間無溝槽。連接物之間的間距取決於連接物的最大寬度與外增邊區。其他封裝上的多種接觸物可接合至導電單元。
简体摘要： 本发明提供封装上封装的连接物之形成方法，可减少连接物的尺寸与间距，进而缩减封装尺寸并增加连接数目。一封装上的导电单元系部份埋置于封装的模塑化合物中，以接合至另一封装上的接触物或金属垫。借由埋置导电单元，可缩小导电单元，并使导电单元与模塑化合物之间无沟槽。连接物之间的间距取决于连接物的最大宽度与外增边区。其他封装上的多种接触物可接合至导电单元。
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