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公开(公告)号：TW201539595A
公开(公告)日：2015-10-16
申请号：TW103145150
申请日：2014-12-24
发明人： 繆佳君 , MIAO, CHIA CHUN , 梁世緯 , LIANG, SHIH WEI , 王彥評 , WANG, YEN PING , 吳凱強 , WU, KAI CHIANG , 劉明凱 , LIU, MING KAI
IPC分类号： H01L21/58 , H01L21/60 , H01L23/50 , H01L23/522
CPC分类号： H01L24/13 , H01L21/565 , H01L24/02 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L2224/0231 , H01L2224/02331 , H01L2224/02375 , H01L2224/0239 , H01L2224/0345 , H01L2224/03462 , H01L2224/0401 , H01L2224/05124 , H01L2224/05139 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05164 , H01L2224/05184 , H01L2224/05552 , H01L2224/05553 , H01L2224/05555 , H01L2224/05569 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/05684 , H01L2224/11005 , H01L2224/11015 , H01L2224/111 , H01L2224/11334 , H01L2224/13005 , H01L2224/13014 , H01L2224/1302 , H01L2224/13024 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13116 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13294 , H01L2224/133 , H01L2224/1401 , H01L2224/73204 , H01L2224/81121 , H01L2224/81815 , H01L2924/181 , H01L2924/37001 , H01L2924/00 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2924/01079 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2924/01028 , H01L2924/01074 , H01L2924/01013 , H01L2924/01046 , H01L2924/00012
摘要： 半導體結構包含位於基板上方的傳導凸塊，以及被該傳導凸塊環繞的延伸鐵磁件，該延伸鐵磁件包含第一端與第二端並且從該第一端延伸至該第二端，該延伸鐵磁件係實質垂直於該基板，以使該傳導凸塊位於該基板的預定位向與預定位置。再者，製造半導體結構的方法包含提供基板、在該基板內形成傳導凸塊、施加電流流經該導電跡線以產生電磁場，以及響應該導電跡線產生的該電磁場，使含有延伸鐵磁件的傳導凸塊位於基板上方的預定位向與預定位置。
简体摘要： 半导体结构包含位于基板上方的传导凸块，以及被该传导凸块环绕的延伸铁磁件，该延伸铁磁件包含第一端与第二端并且从该第一端延伸至该第二端，该延伸铁磁件系实质垂直于该基板，以使该传导凸块位于该基板的预定位向与预定位置。再者，制造半导体结构的方法包含提供基板、在该基板内形成传导凸块、施加电流流经该导电迹线以产生电磁场，以及响应该导电迹线产生的该电磁场，使含有延伸铁磁件的传导凸块位于基板上方的预定位向与预定位置。
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公开(公告)号：TWI529889B
公开(公告)日：2016-04-11
申请号：TW103114632
申请日：2014-04-23
发明人： 呂俊麟 , LU, CHUN LIN , 吳凱強 , WU, KAI CHIANG , 劉明凱 , LIU, MING KAI , 王彥評 , WANG, YEN PING , 梁世緯 , LIANG, SHIH WEI , 楊青峰 , YANG, CHING FENG , 繆佳君 , MIAO, CHIA CHUN , 蔡豪益 , TSAI, HAO YI
IPC分类号： H01L23/488 , H01L21/60
CPC分类号： H01L24/13 , H01L23/49811 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/11 , H01L24/14 , H01L24/81 , H01L2224/0345 , H01L2224/03462 , H01L2224/0401 , H01L2224/05552 , H01L2224/05555 , H01L2224/05568 , H01L2224/05569 , H01L2224/05573 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05666 , H01L2224/05671 , H01L2224/05684 , H01L2224/06051 , H01L2224/1134 , H01L2224/13012 , H01L2224/13026 , H01L2224/13124 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13166 , H01L2224/13169 , H01L2224/13551 , H01L2224/13562 , H01L2224/13565 , H01L2224/1357 , H01L2224/13611 , H01L2224/13616 , H01L2224/14051 , H01L2224/16058 , H01L2224/81191 , H01L2224/81411 , H01L2224/81416 , H01L2224/81444 , H01L2224/81447 , H01L2224/81455 , H01L2224/81815 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/3512
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公开(公告)号：TW201519390A
公开(公告)日：2015-05-16
申请号：TW103116031
申请日：2014-05-06
发明人： 史朝文 , SHIH, CHAO WEN , 吳凱強 , WU, KAI CHIANG , 楊青峰 , YANG, CHING FENG , 劉明凱 , LIU, MING KAI , 梁世緯 , LIANG, SHIH WEI , 王彥評 , WANG, YEN PING
IPC分类号： H01L23/488 , H01L21/60
CPC分类号： H01L24/11 , H01L21/56 , H01L21/565 , H01L23/291 , H01L23/3114 , H01L23/3157 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L2224/02175 , H01L2224/03828 , H01L2224/0401 , H01L2224/05548 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05684 , H01L2224/10145 , H01L2224/1134 , H01L2224/11849 , H01L2224/13007 , H01L2224/13023 , H01L2224/13111 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/81191 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029
摘要： 本揭露提供一種半導體封裝，其包含一基板，一保護層，具有一頂表面之一後鈍化互連(post-passivation interconnect,PPI)；及一導電結構。該PPI之該頂表面包含接收該導電結構之一第一區域及一環繞該第一區域之一第二區域。該第二區域包含金屬衍生物，其由該第一區域之材料所轉變。本揭露提供一種製造一半導體封裝之方法，其包含形成覆蓋一PPI之一頂表面之一部分之一第一助焊層；轉變未被該第一助焊層所覆蓋之該PPI之該頂表面之一部分成一金屬衍生物層；移除該第一助焊層；在該PPI之該第一區域上形成一第二助焊層；在該助焊層上置放一焊接球；及在該焊接球與該PPI之間形成電連接。
简体摘要： 本揭露提供一种半导体封装，其包含一基板，一保护层，具有一顶表面之一后钝化互连(post-passivation interconnect,PPI)；及一导电结构。该PPI之该顶表面包含接收该导电结构之一第一区域及一环绕该第一区域之一第二区域。该第二区域包含金属衍生物，其由该第一区域之材料所转变。本揭露提供一种制造一半导体封装之方法，其包含形成覆盖一PPI之一顶表面之一部分之一第一助焊层；转变未被该第一助焊层所覆盖之该PPI之该顶表面之一部分成一金属衍生物层；移除该第一助焊层；在该PPI之该第一区域上形成一第二助焊层；在该助焊层上置放一焊接球；及在该焊接球与该PPI之间形成电连接。
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公开(公告)号：TWI564976B
公开(公告)日：2017-01-01
申请号：TW103145150
申请日：2014-12-24
发明人： 繆佳君 , MIAO, CHIA CHUN , 梁世緯 , LIANG, SHIH WEI , 王彥評 , WANG, YEN PING , 吳凱強 , WU, KAI CHIANG , 劉明凱 , LIU, MING KAI
IPC分类号： H01L21/58 , H01L21/60 , H01L23/50 , H01L23/522
CPC分类号： H01L24/13 , H01L21/565 , H01L24/02 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L2224/0231 , H01L2224/02331 , H01L2224/02375 , H01L2224/0239 , H01L2224/0345 , H01L2224/03462 , H01L2224/0401 , H01L2224/05124 , H01L2224/05139 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05164 , H01L2224/05184 , H01L2224/05552 , H01L2224/05553 , H01L2224/05555 , H01L2224/05569 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/05684 , H01L2224/11005 , H01L2224/11015 , H01L2224/111 , H01L2224/11334 , H01L2224/13005 , H01L2224/13014 , H01L2224/1302 , H01L2224/13024 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13116 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13294 , H01L2224/133 , H01L2224/1401 , H01L2224/73204 , H01L2224/81121 , H01L2224/81815 , H01L2924/181 , H01L2924/37001 , H01L2924/00 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2924/01079 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2924/01028 , H01L2924/01074 , H01L2924/01013 , H01L2924/01046 , H01L2924/00012
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公开(公告)号：TWI544594B
公开(公告)日：2016-08-01
申请号：TW103116031
申请日：2014-05-06
发明人： 史朝文 , SHIH, CHAO WEN , 吳凱強 , WU, KAI CHIANG , 楊青峰 , YANG, CHING FENG , 劉明凱 , LIU, MING KAI , 梁世緯 , LIANG, SHIH WEI , 王彥評 , WANG, YEN PING
IPC分类号： H01L23/488 , H01L21/60
CPC分类号： H01L24/11 , H01L21/56 , H01L21/565 , H01L23/291 , H01L23/3114 , H01L23/3157 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L2224/02175 , H01L2224/03828 , H01L2224/0401 , H01L2224/05548 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05684 , H01L2224/10145 , H01L2224/1134 , H01L2224/11849 , H01L2224/13007 , H01L2224/13023 , H01L2224/13111 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/81191 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029
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公开(公告)号：TW201508885A
公开(公告)日：2015-03-01
申请号：TW103114632
申请日：2014-04-23
发明人： 呂俊麟 , LU, CHUN LIN , 吳凱強 , WU, KAI CHIANG , 劉明凱 , LIU, MING KAI , 王彥評 , WANG, YEN PING , 梁世緯 , LIANG, SHIH WEI , 楊青峰 , YANG, CHING FENG , 繆佳君 , MIAO, CHIA CHUN , 蔡豪益 , TSAI, HAO YI
IPC分类号： H01L23/488 , H01L21/60
CPC分类号： H01L24/13 , H01L23/49811 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/11 , H01L24/14 , H01L24/81 , H01L2224/0345 , H01L2224/03462 , H01L2224/0401 , H01L2224/05552 , H01L2224/05555 , H01L2224/05568 , H01L2224/05569 , H01L2224/05573 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05666 , H01L2224/05671 , H01L2224/05684 , H01L2224/06051 , H01L2224/1134 , H01L2224/13012 , H01L2224/13026 , H01L2224/13124 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13166 , H01L2224/13169 , H01L2224/13551 , H01L2224/13562 , H01L2224/13565 , H01L2224/1357 , H01L2224/13611 , H01L2224/13616 , H01L2224/14051 , H01L2224/16058 , H01L2224/81191 , H01L2224/81411 , H01L2224/81416 , H01L2224/81444 , H01L2224/81447 , H01L2224/81455 , H01L2224/81815 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/3512
摘要： 本揭露提供一種半導體裝置及其製造方法，半導體裝置包含有載體，球下冶金墊設置於載體上，以及支柱設置於球下冶金墊之表面上。於一些實施例當中，支柱之高度與球下冶金墊之最長長度之比率介於大約0.25~0.7之間。於半導體裝置製造方法，包含有提供載體，設置球下冶金墊於載體上，以及形成支柱於球下冶金墊上。
简体摘要： 本揭露提供一种半导体设备及其制造方法，半导体设备包含有载体，球下冶金垫设置于载体上，以及支柱设置于球下冶金垫之表面上。于一些实施例当中，支柱之高度与球下冶金垫之最长长度之比率介于大约0.25~0.7之间。于半导体设备制造方法，包含有提供载体，设置球下冶金垫于载体上，以及形成支柱于球下冶金垫上。
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公开(公告)号：TW201806090A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：TW105136457
申请日：2016-11-09
发明人： 王垂堂 , WANG, CHUEI TANG , 吳凱強 , WU, KAI CHIANG , 陳頡彥 , CHEN, CHIEH YEN , 王彥評 , WANG, YEN PING , 張守仁 , CHANG, SHOU ZEN
CPC分类号： H01L25/0652 , H01L21/565 , H01L21/568 , H01L23/3128 , H01L23/5389 , H01L23/552 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L25/03 , H01L25/50 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/16227 , H01L2224/24137 , H01L2224/73267 , H01L2224/81005 , H01L2224/92244 , H01L2224/97 , H01L2225/06517 , H01L2225/06537 , H01L2225/06548 , H01L2225/06558 , H01L2225/06572 , H01L2225/06582 , H01L2924/15311 , H01L2924/1815 , H01L2924/3025 , H01L2224/81
摘要： 一種封裝結構包含封裝、至少一第一模制材料與至少一第二半導體元件。封裝包含至少一第一半導體元件於其中，封裝具有頂表面。第一模制材料位於封裝之頂表面，並具有至少一開口於其中。封裝之頂表面之至少一區域被第一模制材料之開口所暴露。第二半導體元件位於封裝之頂表面，並被第一模制材料所模制。
简体摘要： 一种封装结构包含封装、至少一第一模制材料与至少一第二半导体组件。封装包含至少一第一半导体组件于其中，封装具有顶表面。第一模制材料位于封装之顶表面，并具有至少一开口于其中。封装之顶表面之至少一区域被第一模制材料之开口所暴露。第二半导体组件位于封装之顶表面，并被第一模制材料所模制。
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公开(公告)号：TW201503306A
公开(公告)日：2015-01-16
申请号：TW103103108
申请日：2014-01-28
发明人： 劉明凱 , LIU, MING KAI , 呂俊麟 , LU, CHUN LIN , 吳凱強 , WU, KAI CHIANG , 梁世緯 , LIANG, SHIH WEI , 楊青峰 , YANG, CHING FENG , 王彥評 , WANG, YEN PING , 繆佳君 , MIAO, CHIA CHUN
IPC分类号： H01L23/488 , H01L21/60
CPC分类号： H01L24/81 , H01L24/06 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L2224/02375 , H01L2224/0401 , H01L2224/05548 , H01L2224/05551 , H01L2224/06152 , H01L2224/06179 , H01L2224/13005 , H01L2224/13028 , H01L2224/13116 , H01L2224/1403 , H01L2224/14152 , H01L2224/14179 , H01L2224/14515 , H01L2224/1601 , H01L2224/16058 , H01L2224/16105 , H01L2224/16106 , H01L2224/1703 , H01L2224/17051 , H01L2224/17104 , H01L2224/17515 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/81191 , H01L2224/81192 , H01L2224/81815 , H01L2924/0105 , H01L2924/01322 , H01L2924/00014 , H01L2924/206 , H01L2924/207 , H01L2924/00
摘要： 一種表面固著半導體元件，包括一半導體裝置、一電路板、複數個第一焊錫凸塊及複數個第二焊錫凸塊。半導體裝置具有複數個晶粒墊。電路板具有複數個接觸墊。複數個第一焊錫凸塊係結合半導體裝置及電路板。每一第一焊錫凸塊係連接至少兩晶粒墊於對應之一接觸墊。每一第二焊錫凸塊係連接一晶粒墊於對應之一接觸墊。
简体摘要： 一种表面固着半导体组件，包括一半导体设备、一电路板、复数个第一焊锡凸块及复数个第二焊锡凸块。半导体设备具有复数个晶粒垫。电路板具有复数个接触垫。复数个第一焊锡凸块系结合半导体设备及电路板。每一第一焊锡凸块系连接至少两晶粒垫于对应之一接触垫。每一第二焊锡凸块系连接一晶粒垫于对应之一接触垫。
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