公开(公告)号：US07217669B2

公开(公告)日：2007-05-15

申请号：US10888838

申请日：2004-07-12

申请人： Han-mei Choi ,  Sung-tae Kim ,  Young-wook Park ,  Young-sun Kim ,  Ki-chul Kim ,  In-sung Park

发明人： Han-mei Choi ,  Sung-tae Kim ,  Young-wook Park ,  Young-sun Kim ,  Ki-chul Kim ,  In-sung Park

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： H01L21/02356 ,  C23C16/405 ,  C23C16/452 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/31604

摘要： A method of forming a dielectric film composed of metal oxide under an atmosphere of activated vapor containing oxygen. In the method of forming the dielectric film, a metal oxide film is formed on a semiconductor substrate using a metal organic precursor and O2 gas while the semiconductor substrate is exposed under activated vapor atmosphere containing oxygen, and then, the metal oxide film is annealed while the semiconductor substrate is exposed under activated vapor containing oxygen. The annealing may take place in situ with the formation of the metal oxide film, at the same or substantially the same temperature as the metal oxide forming, and/or at least one of a different pressure, oxygen concentration, or oxygen flow rate as the metal oxide forming.

摘要翻译： 在含氧活性蒸气气氛下形成由金属氧化物构成的电介质膜的方法。 在形成电介质膜的方法中，使用金属有机前体和O 2 O 2气体在半导体衬底上形成金属氧化物膜，同时半导体衬底在含有氧的活性气氛下暴露，然后 在半导体衬底在含有氧气的活性蒸气下暴露的同时对金属氧化物膜进行退火。 退火可以在与形成金属氧化物相同或基本上相同的温度下形成金属氧化物膜，和/或至少一种不同的压力，氧浓度或氧气流速的情况下进行，如 金属氧化物形成。

公开(公告)号：US06800570B2

公开(公告)日：2004-10-05

申请号：US10131473

申请日：2002-04-25

申请人： Han-mei Choi ,  Sung-tae Kim ,  Young-wook Park ,  Young-sun Kim ,  Ki-chul Kim ,  In-sung Park

发明人： Han-mei Choi ,  Sung-tae Kim ,  Young-wook Park ,  Young-sun Kim ,  Ki-chul Kim ,  In-sung Park

IPC分类号： H01L2131

CPC分类号： H01L21/02356 ,  C23C16/405 ,  C23C16/452 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/31604

摘要： A method of forming a dielectric film composed of metal oxide under an atmosphere of activated vapor containing oxygen. In the method of forming the dielectric film, a metal oxide film is formed on a semiconductor substrate using a metal organic precursor and O2 gas while the semiconductor substrate is exposed under activated vapor atmosphere containing oxygen, and then, the metal oxide film is annealed while the semiconductor substrate is exposed under activated vapor containing oxygen. The annealing may take place in situ with the formation of the metal oxide film, at the same or substantially the same temperature as the metal oxide forming, and/or at at least one of a different pressure, oxygen concentration, or oxygen flow rate as the metal oxide forming.

公开(公告)号：US06893501B2

公开(公告)日：2005-05-17

申请号：US10320407

申请日：2002-12-17

申请人： Ki-chul Kim ,  Sung-tae Kim ,  Young-sun Kim ,  Jeong-hee Chung ,  Wan-don Kim ,  Yun-jung Lee ,  Han-mei Choi

发明人： Ki-chul Kim ,  Sung-tae Kim ,  Young-sun Kim ,  Jeong-hee Chung ,  Wan-don Kim ,  Yun-jung Lee ,  Han-mei Choi

IPC分类号： H01L27/04 ,  H01L21/02 ,  H01L21/316 ,  H01L21/8242 ,  C30B25/04

CPC分类号： H01L28/57 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02356 ,  H01L21/31637 ,  H01L27/1085 ,  H01L28/65

摘要： A method for manufacturing a capping layer covering a capacitor of a semiconductor memory device, preferably a metal-insulator-metal (MIM) capacitor, wherein the method includes forming a capacitor having a lower electrode, a dielectric layer and an upper electrode on a semiconductor substrate, forming a capping layer on the capacitor, and crystallizing the dielectric layer. Here, forming the capping layer includes stabilizing for deposition of the capping layer without providing oxygen gas, depositing the capping layer by providing a reaction source for the capping layer; and purging an inside of a reactor for forming the capping layer.

摘要翻译： 一种覆盖半导体存储器件的电容器，优选金属 - 绝缘体 - 金属（MIM）电容器的覆盖层的方法，其中所述方法包括在半导体上形成具有下电极，电介质层和上电极的电容器 衬底，在电容器上形成覆盖层，并使介电层结晶。 这里，形成覆盖层包括在不提供氧气的情况下沉积封盖层的稳定性，通过为封盖层提供反应源沉积覆盖层; 并且清洗用于形成覆盖层的反应器的内部。

公开(公告)号：US07396719B2

公开(公告)日：2008-07-08

申请号：US10873256

申请日：2004-06-23

申请人： Kyoung-seok Kim ,  Hong-bae Park ,  Bong-hyun Kim ,  Sung-tae Kim ,  Jong-wan Kwon ,  Jung-hyun Lee ,  Ki-chul Kim ,  Jae-soon Lim ,  Gab-jin Nam ,  Young-sun Kim

发明人： Kyoung-seok Kim ,  Hong-bae Park ,  Bong-hyun Kim ,  Sung-tae Kim ,  Jong-wan Kwon ,  Jung-hyun Lee ,  Ki-chul Kim ,  Jae-soon Lim ,  Gab-jin Nam ,  Young-sun Kim

IPC分类号： H01L21/471

CPC分类号： H01L21/0228 ,  C23C16/308 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3142 ,  H01L21/3143 ,  H01L21/31645

摘要： A method of forming a high dielectric film using atomic layer deposition (ALD), and a method of manufacturing a capacitor having the high dielectric film, include supplying a precursor containing a metal element to a semiconductor substrate and purging a reactor; supplying an oxidizer and purging the reactor; and supplying a reaction source containing nitrogen and purging the reactor.

摘要翻译： 使用原子层沉积（ALD）形成高电介质膜的方法以及制造具有高电介质膜的电容器的方法包括将含有金属元素的前体供应到半导体衬底并清洗反应器; 供应氧化剂并清洗反应器; 并供应含氮的反应源并清洗反应器。

公开(公告)号：US07144771B2

公开(公告)日：2006-12-05

申请号：US10616056

申请日：2003-07-09

申请人： Gab-jin Nam ,  Seung-hwan Lee ,  Ki-chul Kim ,  Jae-soon Lim ,  Sung-tae Kim ,  Young-sun Kim

发明人： Gab-jin Nam ,  Seung-hwan Lee ,  Ki-chul Kim ,  Jae-soon Lim ,  Sung-tae Kim ,  Young-sun Kim

IPC分类号： H01L21/8242

CPC分类号： H01L21/02186 ,  C23C16/405 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/31604 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

摘要： Methods of forming an electronic device include providing a fist electrode, providing a dielectric oxide layer on the first electrode, and providing a second electrode on the dielectric oxide layer so that the dielectric oxide layer is between the first and second electrodes. More particularly, a first portion of the dielectric oxide layer adjacent the first electrode can have a first density of titanium, and a second portion of the dielectric oxide layer opposite the first electrode can have a second density of titanium different than the first density. Related structures are also discussed.

摘要翻译： 形成电子器件的方法包括提供第一电极，在第一电极上提供电介质氧化物层，并在电介质氧化物层上提供第二电极，使得电介质氧化物层位于第一和第二电极之间。 更具体地，与第一电极相邻的电介质氧化物层的第一部分可以具有第一密度的钛，并且与第一电极相对的电介质氧化物层的第二部分可具有不同于第一密度的钛的第二密度。 还讨论了相关结构。

公开(公告)号：US20070040207A1

公开(公告)日：2007-02-22

申请号：US11586291

申请日：2006-10-25

申请人： Gab-jin Nam ,  Seung-hwan Lee ,  Ki-chul Kim ,  Jae-soon Lim ,  Sung-tae Kim ,  Young-sun Kim

发明人： Gab-jin Nam ,  Seung-hwan Lee ,  Ki-chul Kim ,  Jae-soon Lim ,  Sung-tae Kim ,  Young-sun Kim

IPC分类号： H01L29/00

CPC分类号： H01L21/02186 ,  C23C16/405 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/31604 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

摘要： Methods of forming an electronic device include providing a fist electrode, providing a dielectric oxide layer on the first electrode, and providing a second electrode on the dielectric oxide layer so that the dielectric oxide layer is between the first and second electrodes. More particularly, a first portion of the dielectric oxide layer adjacent the first electrode can have a first density of titanium, and a second portion of the dielectric oxide layer opposite the first electrode can have a second density of titanium different than the first density. Related structures are also discussed.

摘要翻译： 形成电子器件的方法包括提供第一电极，在第一电极上提供电介质氧化物层，并在电介质氧化物层上提供第二电极，使得电介质氧化物层位于第一和第二电极之间。 更具体地，与第一电极相邻的电介质氧化物层的第一部分可以具有第一密度的钛，并且与第一电极相对的电介质氧化物层的第二部分可具有不同于第一密度的钛的第二密度。 还讨论了相关结构。

公开(公告)号：US20050227432A1

公开(公告)日：2005-10-13

申请号：US11097404

申请日：2005-04-01

申请人： Jae-hyoung Choi ,  Sung-tae Kim ,  Ki-chul Kim ,  Cha-young Yoo ,  Jeong-hee Chung ,  Se-hoon Oh ,  Jeong-sik Choi

发明人： Jae-hyoung Choi ,  Sung-tae Kim ,  Ki-chul Kim ,  Cha-young Yoo ,  Jeong-hee Chung ,  Se-hoon Oh ,  Jeong-sik Choi

IPC分类号： H01L27/108 ,  H01L21/311 ,  H01L21/8242

CPC分类号： H01L21/31122

摘要： A metal-oxy-nitride seed dielectric layer can be formed on a metal-nitride lower electrode of a meta-insulator-metal (MIM) type capacitor. The metal-oxy-nitride seed dielectric layer can act as a barrier layer to reduce a reaction with the metal-nitride lower electrode during, for example, backend processing used to form upper levels of metallization/structures in an integrated circuit including the MIM type capacitor. Nitrogen included in the metal-oxy-nitride seed dielectric layer can reduce the type of reaction, which may occur in conventional type MIM capacitors. A metal-oxide main dielectric layer can be formed on the metal-oxy-nitride seed dielectric layer and can remain separate from the metal-oxy-nitride seed dielectric layer in the MIM type capacitor. The metal-oxide main dielectric layer can be stabilized (using, for example, a thermal or plasma treatment) to remove defects (such as carbon) therefrom and to adjust the stoichiometry of the metal-oxide main dielectric layer.

摘要翻译： 可以在间绝缘子金属（MIM）型电容器的金属氮化物下电极上形成金属 - 氮氧化物种子电介质层。 金属 - 氮化物种子电介质层可以用作阻挡层，以在例如用于在包括MIM型的集成电路中形成上层金属化/结构的后端处理中减少与金属氮化物下电极的反应 电容器。 包含在金属 - 氮氧化物种子电介质层中的氮可以减少在常规型MIM电容器中可能发生的反应类型。 可以在金属 - 氮化物种子介电层上形成金属氧化物主介电层，并且可以与MIM型电容器中的金属 - 氮化物种子电介质层保持分离。 金属氧化物主电介质层可以被稳定（使用例如热或等离子体处理）以从其中去除缺陷（例如碳）并调整金属氧化物主介电层的化学计量。

公开(公告)号：US07314806B2

公开(公告)日：2008-01-01

申请号：US11097404

申请日：2005-04-01

申请人： Jae-hyoung Choi ,  Sung-tae Kim ,  Ki-chul Kim ,  Cha-young Yoo ,  Jeong-hee Chung ,  Se-hoon Oh ,  Jeong-sik Choi

发明人： Jae-hyoung Choi ,  Sung-tae Kim ,  Ki-chul Kim ,  Cha-young Yoo ,  Jeong-hee Chung ,  Se-hoon Oh ,  Jeong-sik Choi

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L21/31122

摘要： A metal-oxy-nitride seed dielectric layer can be formed on a metal-nitride lower electrode of a metal-insulator-metal (MIM) type capacitor. The metal-oxy-nitride seed dielectric layer can act as a barrier layer to reduce a reaction with the metal-nitride lower electrode during, for example, backend processing used to form upper levels of metallization/structures in an integrated circuit including the MIM type capacitor. Nitrogen included in the metal-oxy-nitride seed dielectric layer can reduce the type of reaction, which may occur in conventional type MIM capacitors. A metal-oxide main dielectric layer can be formed on the metal-oxy-nitride seed dielectric layer and can remain separate from the metal-oxy-nitride seed dielectric layer in the MIM type capacitor. The metal-oxide main dielectric layer can be stabilized (using, for example, a thermal or plasma treatment) to remove defects (such as carbon) therefrom and to adjust the stoichiometry of the metal-oxide main dielectric layer.

摘要翻译： 可以在金属 - 绝缘体 - 金属（MIM）型电容器的金属氮化物下电极上形成金属 - 氮化物种子电介质层。 金属 - 氮化物种子电介质层可以用作阻挡层，以在例如用于在包括MIM型的集成电路中形成上层金属化/结构的后端处理中减少与金属氮化物下电极的反应 电容器。 包含在金属 - 氮氧化物种子电介质层中的氮可以减少在常规型MIM电容器中可能发生的反应类型。 可以在金属 - 氮化物种子介电层上形成金属氧化物主介电层，并且可以与MIM型电容器中的金属 - 氮化物种子电介质层保持分离。 金属氧化物主电介质层可以被稳定（使用例如热或等离子体处理）以从其中去除缺陷（例如碳）并调整金属氧化物主介电层的化学计量。

公开(公告)号：US07781819B2

公开(公告)日：2010-08-24

申请号：US12270286

申请日：2008-11-13

申请人： Wan-don Kim ,  Jin-yong Kim ,  Yong-suk Tak ,  Jung-hee Chung ,  Ki-chul Kim ,  Oh-seong Kwon

发明人： Wan-don Kim ,  Jin-yong Kim ,  Yong-suk Tak ,  Jung-hee Chung ,  Ki-chul Kim ,  Oh-seong Kwon

IPC分类号： H01L29/92

CPC分类号： H01L28/91 ,  H01L27/10855 ,  H01L28/60

摘要： Provided are a semiconductor device and a method of fabricating the same. The semiconductor device includes an insulating layer that is formed on a supporting layer and has a contact hole. A first contact plug is formed on an inner wall and bottom of the contact hole. A second contact plug buries the contact hole and is formed on the first contact plug. A conductive layer is connected to the first contact plug and the second contact plug. The bottom thickness of the first contact plug formed on the bottom of the contact hole is thicker than the inner wall thickness of the first contact plug formed on the inner wall of the contact hole.

摘要翻译： 提供半导体器件及其制造方法。 半导体器件包括形成在支撑层上并具有接触孔的绝缘层。 第一接触塞形成在接触孔的内壁和底部上。 第二接触插塞将接触孔埋入并形成在第一接触插塞上。 导电层连接到第一接触插塞和第二接触插塞。 形成在接触孔底部的第一接触塞的底部厚度比形成在接触孔的内壁上的第一接触塞的内壁厚度大。

公开(公告)号：US07642148B2

公开(公告)日：2010-01-05

申请号：US11851500

申请日：2007-09-07

申请人： Seo-woo Nam ,  Ki-chul Kim ,  Young-joon Moon ,  Jae-ouk Choo ,  Hong-jae Shin ,  Nae-in Lee

发明人： Seo-woo Nam ,  Ki-chul Kim ,  Young-joon Moon ,  Jae-ouk Choo ,  Hong-jae Shin ,  Nae-in Lee

IPC分类号： H01L21/8238

CPC分类号： H01L21/823412 ,  H01L21/823807 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7843 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor substrate includes a first transistor area having a first gate electrode and first source/drain areas, a second transistor area having a second gate electrode and second source/drain areas, and an interface area provided at an interface of the first transistor area and the second transistor area and having a third gate electrode. A first stress film is on the first gate electrode and the first source/drain areas of the first transistor area and at least a portion of the third gate electrode of the interface area. A second stress film is on the second gate electrode and the second source/drain areas of the second transistor area and not overlapping the first stress film on the third gate electrode of the interface area or overlapping at least a portion of the first stress film. The second stress film overlapping at least the portion of the first stress film is thinner than the second stress film in the second transistor area. Related methods are also described.

摘要翻译： 半导体衬底包括具有第一栅极电极和第一源极/漏极区域的第一晶体管区域，具有第二栅极电极和第二源极/漏极区域的第二晶体管区域，以及设置在第一晶体管区域和 第二晶体管区域并具有第三栅电极。 第一应力膜位于第一栅极电极和第一晶体管区域的第一源极/漏极区域和界面区域的第三栅极电极的至少一部分之间。 第二应力膜位于第二晶体管区域的第二栅极电极和第二源极/漏极区域上，并且不与界面区域的第三栅电极上的第一应力膜重叠或与第一应力膜的至少一部分重叠。 与第一应力膜的至少部分重叠的第二应力膜比第二晶体管区域中的第二应力膜更薄。 还描述了相关方法。