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    Systems and methods for policy-based application management
    91.
    发明授权
    Systems and methods for policy-based application management 有权
    用于基于策略的应用程序管理的系统和方法

    公开(公告)号：US07328259B2

    公开(公告)日：2008-02-05

    申请号：US10703683

    申请日：2003-11-07

    申请人： Bhaskar Srinivasan ,  Matthias Eichstaedt ,  Swami Nathan

    发明人： Bhaskar Srinivasan ,  Matthias Eichstaedt ,  Swami Nathan

    IPC分类号： G06F15/173 ,  G06F15/16

    CPC分类号： G06F9/4856

    摘要： Systems and methods are provided for managing a plurality of applications comprising application instances running on a plurality of computer servers. A system for managing application includes an application scheduler. The application scheduler receives at least one policy for managing the applications over the computer servers. The application scheduler also receives usage information indicating performance of the applications and the computer servers. The application scheduler then applies the at least one policy to the usage information to determine whether policy violations exist. The application scheduler then determines and executes a modification action of the applications in response to the policy violation.

    摘要翻译： 提供了用于管理多个应用的​​系统和方法，所述应用包括在多个计算机服务器上运行的应用程序实例。 用于管理应用的系统包括应用调度器。 应用程序调度器通过计算机服务器接收至少一个用于管理应用程序的策略。 应用调度器还接收指示应用和计算机服务器的性能的使用信息。 应用调度器然后将至少一个策略应用于使用信息以确定是否存在策略违规。 然后，应用程序调度器响应于策略违例来确定并执行应用的修改动作。

    Hybrid localization in wireless networks
    93.
    发明申请
    Hybrid localization in wireless networks 有权
    无线网络中的混合本地化

    公开(公告)号：US20070111735A1

    公开(公告)日：2007-05-17

    申请号：US11274584

    申请日：2005-11-15

    申请人： Bhaskar Srinivasan ,  Sharmila Ravula

    发明人： Bhaskar Srinivasan ,  Sharmila Ravula

    IPC分类号： H04Q7/20

    CPC分类号： H04L41/12 ,  G01S5/0263 ,  G01S5/0289 ,  H04W64/00 ,  H04W84/18

    摘要： A hybrid localization method and a wireless network that performs the method are disclosed herein. In an embodiment of a hybrid localization technique, one or more sensor nodes in the network switch between different localization techniques depending on location area conditions. This technique chooses the most accurate localization technique for the given location area conditions, and thus potentially provides the best possible location accuracy for those conditions. A representative set of simulations and experiments verify the potential performance improvement realized with embodiments of the hybrid localization technique.

    摘要翻译： 本文公开了执行该方法的混合定位方法和无线网络。 在混合定位技术的实施例中，网络中的一个或多个传感器节点根据位置区域条件在不同的定位技术之间切换。 该技术为给定的位置区域条件选择最精确的定位技术，因此潜在地为这些条件提供最佳位置精度。 一组代表性的模拟和实验验证了利用混合定位技术的实施方案实现的潜在性能改进。

    Memory cells
    97.
    发明授权
    Memory cells 有权
    记忆单元

    公开(公告)号：US08581224B2

    公开(公告)日：2013-11-12

    申请号：US13355382

    申请日：2012-01-20

    申请人： Gurtej S. Sandhu ,  Bhaskar Srinivasan

    发明人： Gurtej S. Sandhu ,  Bhaskar Srinivasan

    IPC分类号： H01L45/00

    CPC分类号： H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/145 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1608

    摘要： Some embodiments include memory cells which contain, in order; a first electrode material, a first metal oxide material, a second metal oxide material, and a second electrode material. The first metal oxide material has at least two regions which differ in oxygen concentration relative to one another. One of the regions is a first region and another is a second region. The first region is closer to the first electrode material than the second region, and has a greater oxygen concentration than the second region. The second metal oxide material includes a different metal than the first metal oxide material. Some embodiments include methods of forming memory cells in which oxygen is substantially irreversibly transferred from a region of a metal oxide material to an oxygen-sink material. The oxygen transfer creates a difference in oxygen concentration within one region of the metal oxide material relative to another.

    摘要翻译： 一些实施例包括按顺序包含的存储器单元; 第一电极材料，第一金属氧化物材料，第二金属氧化物材料和第二电极材料。 第一金属氧化物材料具有至少两个相对于彼此的氧浓度不同的区域。 其中一个地区是第一个地区，另一个是第二个地区。 第一区域比第二区域更靠近第一电极材料，并且具有比第二区域更大的氧浓度。 第二金属氧化物材料包括与第一金属氧化物材料不同的金属。 一些实施例包括形成其中氧基本上不可逆地从金属氧化物材料的区域转移到氧沉降材料的存储单元的方法。 氧传递在金属氧化物材料的一个区域内的氧浓度相对于另一个产生差异。

    Memory cells, non-volatile memory arrays, methods of operating memory cells, methods of reading to and writing from a memory cell, and methods of programming a memory cell
    98.
    发明授权
    Memory cells, non-volatile memory arrays, methods of operating memory cells, methods of reading to and writing from a memory cell, and methods of programming a memory cell 有权
    存储器单元，非易失性存储器阵列，操作存储器单元的方法，从存储器单元读取和写入的方法，以及编程存储器单元的方法

    公开(公告)号：US08537599B2

    公开(公告)日：2013-09-17

    申请号：US13612513

    申请日：2012-09-12

    申请人： Bhaskar Srinivasan ,  Gurtej S. Sandhu

    发明人： Bhaskar Srinivasan ,  Gurtej S. Sandhu

    IPC分类号： G11C11/00

    CPC分类号： G11C13/0002 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0011 ,  G11C13/003 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069 ,  G11C2213/12 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/34 ,  G11C2213/52 ,  G11C2213/56 ,  G11C2213/77 ,  H01L27/101 ,  H01L45/08 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1206

    摘要： In one aspect, a method of operating a memory cell includes using different electrodes to change a programmed state of the memory cell than are used to read the programmed state of the memory cell. In one aspect, a memory cell includes first and second opposing electrodes having material received there-between. The material has first and second lateral regions of different composition relative one another. One of the first and second lateral regions is received along one of two laterally opposing edges of the material. Another of the first and second lateral regions is received along the other of said two laterally opposing edges of the material. At least one of the first and second lateral regions is capable of being repeatedly programmed to at least two different resistance states. Other aspects and implementations are disclosed.

    摘要翻译： 一方面，操作存储单元的方法包括使用不同的电极来改变存储器单元的编程状态，而不是用于读取存储器单元的编程状态。 在一个方面，存储单元包括第一和第二相对电极，其间具有接收在其间的材料。 该材料具有彼此不同组成的第一和第二横向区域。 第一和第二横向区域中的一个沿着材料的两个横向相对的边缘中的一个被接收。 第一和第二横向区域中的另一个沿着材料的所述两个横向相对的边缘中的另一个被容纳。 第一和第二横向区域中的至少一个能够被重复编程至至少两个不同的阻力状态。 公开了其他方面和实现。