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    Immersion nozzle
    13.
    发明申请
    Immersion nozzle 审中-公开
    浸入式喷嘴

    公开(公告)号：US20010040322A1

    公开(公告)日：2001-11-15

    申请号：US09819890

    申请日：2001-03-29

    申请人： TOSHIBA CERAMICS CO., LTD.

    发明人： Hiroshi Ohtsuka ,  Etuhiro Hasebe ,  Kouji Enomoto

    IPC分类号： B22D041/50

    CPC分类号： B22D41/54

    摘要： The invention presents an immersion nozzle having corrosion resistance to steel of high oxygen content or type of steel treated with calcium, and capable of preventing adheres and deposits of molten steel and oxide inclusions on the nozzle inner wall, in which at least a part of its portion contacting with molten steel is composed of a refractory material containing 50 wt. % or more of a principal component including one or more types of magnesia, alumina, spinel, zirconia, mullite, and silica, and also 0.3 to 15 wt. % of boron nitride, and an organic binder.

    摘要翻译： 本发明提供了一种具有对氧含量高的钢或具有钙处理的钢的耐蚀性的浸渍喷嘴，并且能够防止钢水和氧化物夹杂物在喷嘴内壁上的粘附和沉积，其中至少部分 与钢水接触的部分由含有50重量％ 包括一种或多种类型的氧化镁，氧化铝，尖晶石，氧化锆，莫来石和二氧化硅的主要成分的％以上，以及0.3〜15重量％ ％的氮化硼和有机粘合剂。

    Silicon wafer cleaning method
    15.
    发明申请
    Silicon wafer cleaning method 有权
    硅片清洗方法

    公开(公告)号：US20040045580A1

    公开(公告)日：2004-03-11

    申请号：US10645911

    申请日：2003-08-22

    申请人： TOSHIBA CERAMICS CO.,LTD.

    发明人： Hisatsugu Kurita ,  Manabu Hirasawa ,  Hiromi Nagahama ,  Koji Izumome ,  Takao Ino ,  Jyunsei Yamabe ,  Naoya Hayamizu ,  Naoaki Sakurai

    IPC分类号： C23G001/02

    CPC分类号： H01L21/02052 ,  B08B3/08 ,  B08B2203/005 ,  C11D7/02 ,  C11D7/08 ,  C11D11/0047 ,  Y10S438/906

    摘要： This invention provides a cleaning method of silicon wafer for obtaining a silicon wafer in which micro roughness thereof under spatial frequency of 20/nullm is 0.3 to 1.5 nm3 in terms of power spectrum density, by passing a process of oxidizing the silicon wafer with ozonized water and a process of cleaning said oxidized silicon wafer with hydrofluoric acid. Consequently, it is possible to remove surface adhering pollutant such as particles and metallic foreign matter with the surface structure of silicon wafer flattened up to atomic level by annealing maintained.

    摘要翻译： 本发明提供了一种用于获得硅晶片的硅晶片的清洁方法，其中在功率谱密度方面，其空间频率为20 /μm的微观粗糙度为0.3至1.5nm 3，通过氧化硅晶片 用臭氧化水和用氢氟酸清洗所述氧化的硅晶片的方法。 因此，通过退火维持，将硅晶片的表面结构平坦化为原子级，可以除去表面附着污染物如颗粒和金属异物。

    Wafer inspection apparatus
    17.
    发明申请
    Wafer inspection apparatus 失效
    晶圆检查仪

    公开(公告)号：US20030169916A1

    公开(公告)日：2003-09-11

    申请号：US10361857

    申请日：2003-02-11

    申请人： TOSHIBA CERAMICS CO., LTD.

    发明人： Yoshinori Hayashi ,  Hiroyuki Naraidate ,  Hiroaki Yuda ,  Atsushi Tanabe ,  Hiromichi Isogai ,  Koji Izunome

    IPC分类号： G06K009/00

    CPC分类号： G01N21/9503

    摘要： A wafer inspection apparatus has a supporting means (10) for rotatably supporting a wafer (W) formed of a disk, a circumferential edge imaging means (40) for imaging a circumferential edge (S) of the wafer (W) that is supported by the supporting means for rotation, a notch imaging means (50) for imaging a notch (N), a notch illumination part (52) for illuminating the notch (N), and a control means (70) for processing image data imaged by the circumferential edge imaging means (40) and the notch imaging means (50). The circumferential edge imaging means (40) has a plurality of imaging cameras (41) for imaging a plurality of different parts in a thickness direction of the circumferential edge of the wafer (W). The different parts of the circumferential edge (S) of the wafer (W) include an apex at right angles to a surface of the wafer (W) and a front side bevel and a back side bevel inclined relative to the apex. The notch imaging means (50) for the wafer (W) having the notch (N) has a plurality of imaging cameras (51) for imaging different parts in the thickness direction of the notch (N).

    摘要翻译： 晶片检查装置具有用于可旋转地支撑由盘形成的晶片（W）的支撑装置（10），用于对晶片（W）的周缘（S）进行成像的周边成像装置（40），所述周边边缘（S）由 用于旋转的支撑装置，用于对凹口（N）成像的凹口成像装置（50），用于照亮凹口（N）的凹口照明部分（52），以及用于处理由凹槽（N）成像的图像数据的控制装置 周缘成像装置（40）和切口成像装置（50）。 圆周边缘成像装置（40）具有多个成像摄像机（41），用于对晶片（W）的周缘的厚度方向上的多个不同部分进行成像。 晶片（W）的圆周边缘（S）的不同部分包括与晶片（W）的表面成直角的顶点和相对于顶点倾斜的前侧斜面和后侧斜面。 用于具有凹口（N）的晶片（W）的凹口成像装置（50）具有用于对凹口（N）的厚度方向上的不同部分成像的多个成像照相机（51）。

    Viscoelasticity measuring device
    18.
    发明申请
    Viscoelasticity measuring device 失效
    粘弹性测量装置

    公开(公告)号：US20020178795A1

    公开(公告)日：2002-12-05

    申请号：US10055893

    申请日：2002-01-28

    申请人： TOSHIBA CERAMICS CO., LTD.

    发明人： Hiromichi Isogai ,  Katsuyoshi Kojima ,  Takayuki Masunaga

    IPC分类号： G01N011/10

    CPC分类号： G01N3/56 ,  G01N2203/0071 ,  G01N2203/0085 ,  G01N2203/0094

    摘要： The invention provides a viscoelasticity measuring device which is capable of imparting a desired displacement profile to a sample under conditions close to that of actual use. The viscoelasticity measuring device is composed of a presser to impart displacements to a sample; a rod to convey said displacements to said presser; a control jig kept in contact with an upper end portion of said rod and adapted to move to impart a desired displacement to said rod; a load cell which detects a load exerted to the sample to detect a stress generated in the sample; and a displacement sensor to detect the displacement in said sample; said displacements imparted of the sample being defined in accordance with a configuration and a moving speed of said control jig.

    摘要翻译： 本发明提供了一种粘弹性测量装置，该装置能够在接近于实际使用的条件下将样品赋予期望的位移曲线。 粘弹性测量装置由将压力赋予样品的压头构成; 用于将所述位移传送到所述压脚的杆; 控制夹具与所述杆的上端部分保持接触并且适于移动以赋予所述杆所需的位移; 负载传感器，其检测施加到样品的负载以检测在样品中产生的应力; 以及位移传感器，用于检测所述样品中的位移; 所述根据所述控制夹具的构造和移动速度限定样品的位移。

    Fluid heating apparatus
    19.
    发明申请
    Fluid heating apparatus 有权
    流体加热装置

    公开(公告)号：US20020023919A1

    公开(公告)日：2002-02-28

    申请号：US09819702

    申请日：2001-03-29

    申请人： TOSHIBA CERAMICS CO., LTD.

    发明人： Eiichi Toya ,  Tomio Konn ,  Tomohiro Nagata ,  Sunao Seko ,  Takanori Saito ,  Kazutoshi Miura ,  Harunari Hasegawa ,  Joji Hoshi ,  Katsutoshi Ishii

    IPC分类号： F24H001/10 ,  H05B003/44

    CPC分类号： H05B3/44 ,  H05B3/42 ,  H05B3/46 ,  H05B2203/022

    摘要： The fluid heating apparatus, in accordance with the present invention, developed to solve the technological problems described above is characterized by comprising at least a heating tube heating fluid to be supplied from fluid supply source, a heater section spirally formed on an outer periphery of the heating tube and a housing accommodating the heating tube and the heater section, wherein the heater section comprises a carbon wire heating element and a quartz glass tube in which the carbon wire heating element is enclosed.

    摘要翻译： 根据本发明开发的用于解决上述技术问题的流体加热装置的特征在于至少包括从流体供应源供应的加热管加热流体，螺旋地形成在流体供应源的外周上的加热器部分 加热管和容纳加热管和加热器部分的壳体，其中加热器部分包括碳丝加热元件和封闭碳丝加热元件的石英玻璃管。

    Single crystal pulling apparatus and pulling method
    20.
    发明申请
    Single crystal pulling apparatus and pulling method 有权
    单晶拉拔装置及拉拔方法

    公开(公告)号：US20010054376A1

    公开(公告)日：2001-12-27

    申请号：US09883955

    申请日：2001-06-20

    申请人： TOSHIBA CERAMICS CO., LTD.

    发明人： Hiroyuki Miura ,  Yasuyuki Iwata ,  Shinsuke Kondoh

    IPC分类号： C30B015/00 ,  C30B021/06 ,  C30B027/02 ,  C30B028/10 ,  C30B030/04

    CPC分类号： C30B15/20

    摘要： A single crystal pulling apparatus comprising, a laser unit 46 emitting a beam with a wavelength of 550 nm or less to form a spot on the surface of said melt, a spot camera 47 capturing the spot to produce electrical image signals corresponding thereto, an image processor 50 processing the electrical image signals to produce image data, and a control unit 49 receiving the image data and calculating a current melt level so that a crucible shaft lift 8 moves a crucible shaft up and down to adjust the melt level in accordance with the predetermined melt level.

    摘要翻译： 一种单晶拉制装置，包括：发射波长为550nm以下的光束的激光单元46，以在所述熔体的表面上形成点;拍摄所述光斑以产生与其对应的电图像信号的光点照相机47;图像 处理器50处理电图像信号以产生图像数据，以及控制单元49，其接收图像数据并计算当前的熔融水平，使得坩埚轴升降机8上下移动坩埚轴，以根据 预定熔融度。