公开(公告)号：US20120269967A1

公开(公告)日：2012-10-25

申请号：US13437567

申请日：2012-04-02

申请人： Joseph Yudovsky ,  Garry K. Kwong ,  Dieter Haas ,  Steven D. Marcus ,  Timothy W. Weidman

发明人： Joseph Yudovsky ,  Garry K. Kwong ,  Dieter Haas ,  Steven D. Marcus ,  Timothy W. Weidman

IPC分类号： C23C16/455 ,  B05B1/14

CPC分类号： C23C16/45551 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45544

摘要： Provided are gas distribution plates for atomic layer deposition apparatus including a hot wire or hot wire unit which can be heated to excite gaseous species while processing a substrate. Methods of processing substrates using a hot wire to excite gaseous precursor species are also described.

摘要翻译： 提供了用于原子层沉积设备的气体分配板，其包括热线或热丝单元，其可以在加工基板的同时被加热以激发气态物质。 还描述了使用热丝处理衬底以激发气态前体物质的方法。

公开(公告)号：US20100255655A1

公开(公告)日：2010-10-07

申请号：US12817840

申请日：2010-06-17

申请人： Abhijit Basu Mallick ,  Srinivas D. Nemani ,  Timothy W. Weidman

发明人： Abhijit Basu Mallick ,  Srinivas D. Nemani ,  Timothy W. Weidman

IPC分类号： H01L21/762

CPC分类号： H01L21/31633 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31608

摘要： Methods of curing a silicon oxide layer on a substrate are provided. The methods may include the processes of providing a semiconductor processing chamber and a substrate and forming an silicon oxide layer filling a portion of a trench on the substrate, the silicon oxide layer including carbon species as a byproduct of formation. The methods also include introducing an acidic vapor into the semiconductor processing chamber, the acidic vapor reacting with the silicon oxide layer to remove the carbon species from the silicon oxide layer. The methods may further include depositing additional silicon oxide over the cured silicon oxide to fill the trench. The methods may also include removing the acidic vapor from the semiconductor processing chamber.

摘要翻译： 提供了在基板上固化氧化硅层的方法。 所述方法可以包括提供半导体处理室和衬底并形成填充衬底上的沟槽的一部分的氧化硅层的过程，所述氧化硅层包括作为形成副产物的碳物质。 所述方法还包括将酸性蒸汽引入半导体处理室，酸性蒸气与氧化硅层反应以从氧化硅层除去碳物质。 所述方法还可以包括在固化的氧化硅上沉积额外的氧化硅以填充沟槽。 所述方法还可以包括从半导体处理室去除酸性蒸汽。

公开(公告)号：US20100051085A1

公开(公告)日：2010-03-04

申请号：US12549291

申请日：2009-08-27

申请人： Timothy W. Weidman ,  Charles Gay ,  Hsiu-Wu (Jason) Guo ,  Rohit Mishra ,  Kapila P. Wijekoon ,  Hemant Mungekar

发明人： Timothy W. Weidman ,  Charles Gay ,  Hsiu-Wu (Jason) Guo ,  Rohit Mishra ,  Kapila P. Wijekoon ,  Hemant Mungekar

IPC分类号： H01L31/042 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/022441 ,  H01L31/02245 ,  H01L31/0516 ,  H01L31/0682 ,  Y02E10/547

摘要： Embodiments of the invention contemplate the formation of a high efficiency solar cell using a novel processing sequence to form a solar cell device. Methods of forming the high efficiency solar cell may include the use of a prefabricated back plane that is bonded to the metalized solar cell device to form an interconnected solar cell module. Solar cells most likely to benefit from the invention including those having active regions comprising single or multicrystalline silicon with both positive and negative contacts on the rear side of the cell.

摘要翻译： 本发明的实施例考虑使用新颖的处理顺序形成高效太阳能电池来形成太阳能电池装置。 形成高效率太阳能电池的方法可以包括使用结合到金属化太阳能电池器件的预制背板来形成互连的太阳能电池模块。 最有可能受益于本发明的太阳能电池，包括那些具有活性区域的太阳能电池，所述活性区域包括在电池背面具有正触点和负极的单晶硅或多晶硅。

公开(公告)号：US20090142880A1

公开(公告)日：2009-06-04

申请号：US12274023

申请日：2008-11-19

申请人： Timothy W. Weidman ,  Rohit Mishra

发明人： Timothy W. Weidman ,  Rohit Mishra

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/022425 ,  Y02E10/50

摘要： Embodiments of the invention contemplate the formation of a high efficiency solar cell using novel methods to form the active region(s) and the metal contact structure of a solar cell device. In one embodiment, the methods include the use of various etching and patterning processes that are used to define point contacts through a blanket dielectric layer covering a surface of a solar cell substrate. The method generally includes depositing an etchant material that enables formation of a desired pattern in a dielectric layer through which electrical contacts to the solar cell device can be formed.

摘要翻译： 本发明的实施例考虑使用新的方法形成高效太阳能电池来形成太阳能电池器件的有源区和金属接触结构。 在一个实施例中，所述方法包括使用各种蚀刻和图案化工艺，所述蚀刻和图案化工艺用于通过覆盖太阳能电池基板的表面的覆盖介电层限定点接触。 该方法通常包括沉积能够在可以形成与太阳能电池器件的电接触的电介质层中形成所需图案的蚀刻剂材料。

公开(公告)号：US07465358B2

公开(公告)日：2008-12-16

申请号：US10794592

申请日：2004-03-05

申请人： Timothy W. Weidman ,  Dmitry Lubomirsky

发明人： Timothy W. Weidman ,  Dmitry Lubomirsky

IPC分类号： B05C11/00

CPC分类号： H01L21/76838 ,  C23C18/1601 ,  C23C18/1619 ,  C23C18/1628 ,  C23C18/1678 ,  C23C18/1682 ,  C23C18/1872 ,  C23C18/28 ,  H01L21/288 ,  Y10S134/902

摘要： Embodiments of the invention generally provide a fluid processing chamber, sensors and a controller and method for using the same. The fluid processing chamber includes an inlet region, a processing region and an outlet region. The inlet region generally contains one or more sensors and an external controller to monitor the characteristics of the processing fluid at the inlet to the processing region. The outlet region generally contains one or more sensors and an external controller to monitor the characteristics of the processing fluid leaving the processing region of the chamber. In one embodiment the processing region contains one or more sensors and an external controller to monitor the characteristics of the processing fluid in the processing region. The sensors may include, for example, an ORP probe, a temperature sensor, a conductivity sensor, a dissolved hydrogen sensor, a dissolved oxygen sensor, and a pH sensor. The fluid processing chamber is generally useful for all process steps done to deposit an electroless deposited film on a substrate including, for example, all pre-clean process steps (substrate preparation steps), all electroless activation process steps, all electroless deposition steps, and all post electroless deposition cleaning steps.

摘要翻译： 本发明的实施例通常提供流体处理室，传感器以及使用该流体处理室的控制器和方法。 流体处理室包括入口区域，处理区域和出口区域。 入口区域通常包含一个或多个传感器和外部控制器，以监控处理区域入口处的处理流体的特性。 出口区域通常包含一个或多个传感器和外部控制器，以监测离开室的处理区域的处理流体的特性。 在一个实施例中，处理区域包含一个或多个传感器和外部控制器，用于监视处理区域中处理流体的特性。 传感器可以包括例如ORP探针，温度传感器，电导率传感器，溶解氢传感器，溶解氧传感器和pH传感器。 流体处理室通常可用于在基底上沉积无电沉积膜的所有工艺步骤，包括例如所有预清洁工艺步骤（衬底制备步骤），所有无电解激活工艺步骤，所有无电沉积步骤和 所有后期无电沉积清洗步骤。

公开(公告)号：US07438949B2

公开(公告)日：2008-10-21

申请号：US11228649

申请日：2005-09-15

申请人： Timothy W. Weidman

发明人： Timothy W. Weidman

IPC分类号： C23C16/06

CPC分类号： C23C16/45536 ,  C23C16/06 ,  C23C16/4488 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/5096

摘要： An exemplary apparatus and method of forming a ruthenium tetroxide containing gas to form a ruthenium containing layer on a surface of a substrate is described herein. The method and apparatus described herein may be especially useful for fabricating electronic devices that are formed on a surface of the substrate or wafer. Generally, the method includes exposing a surface of a substrate to a ruthenium tetroxide vapor to form a catalytic layer on the surface of a substrate and then filling the device structures by an electroless, electroplating, physical vapor deposition (PVD), chemical vapor deposition (CVD), plasma enhanced CVD (PECVD), atomic layer deposition (ALD) or plasma enhanced ALD (PE-ALD) processes. In one embodiment, the ruthenium containing layer is formed on a surface of a substrate by creating ruthenium tetroxide in an external vessel and then delivering the generated ruthenium tetroxide gas to a surface of a temperature controlled substrate positioned in a processing chamber. In one embodiment, a ruthenium tetroxide containing solvent formation process is used to form ruthenium tetroxide using a ruthenium tetroxide containing source material. In one embodiment, of a ruthenium containing layer is formed on a surface of a substrate, using the ruthenium tetroxide containing solvent. In another embodiment, the solvent is separated from the ruthenium tetroxide containing solvent mixture and the remaining ruthenium tetroxide is used to form a ruthenium containing layer on the surface of a substrate.

摘要翻译： 本文描述了在基底表面上形成含钌四氧化物以形成含钌层的示例性装置和方法。 本文描述的方法和装置可能特别适用于制造形成在基板或晶片表面上的电子器件。 通常，该方法包括将衬底的表面暴露于四氧化钌蒸气以在衬底的表面上形成催化剂层，然后通过化学镀，电镀，物理气相沉积（PVD），化学气相沉积 CVD），等离子体增强CVD（PECVD），原子层沉积（ALD）或等离子体增强ALD（PE-ALD）工艺。 在一个实施方案中，通过在外部容器中产生四氧化钌，然后将所产生的四氧化钌气体输送到位于处理室中的温度受控衬底的表面，在衬底的表面上形成含钌层。 在一个实施方案中，使用含有四氧化钌的源材料来形成含有溶剂形成方法的四氧化钌以形成四氧化钌。 在一个实施方案中，使用含有钌四氧化物的溶剂在基材的表面上形成含钌层。 在另一个实施方案中，将溶剂与含有四氧化钌的溶剂混合物分离，并且剩余的四氧化钌用于在基材的表面上形成含钌层。

公开(公告)号：US08821986B2

公开(公告)日：2014-09-02

申请号：US13609551

申请日：2012-09-11

申请人： Timothy W. Weidman ,  Todd Schroeder ,  David Thompson ,  Jeffrey W. Anthis

发明人： Timothy W. Weidman ,  Todd Schroeder ,  David Thompson ,  Jeffrey W. Anthis

IPC分类号： C23C16/50 ,  C23C16/34 ,  C23C16/505 ,  C23C16/36

CPC分类号： C23C16/50 ,  C23C16/36 ,  C23C16/505

摘要： Provided are processes for the low temperature deposition of silicon-containing films using activated SiH-containing precursors. The SiH-containing precursors may have reactive functionality such as halogen or cyano moieties. Described are processes in which halogenated or cyanated silanes are used to deposit SiN films. Plasma processing conditions can be used to adjust the carbon, hydrogen and/or nitrogen content of the films.

摘要翻译： 提供了使用活化的含SiH的前体来低温沉积含硅膜的方法。 含SiH的前体可以具有反应性官能团，例如卤素或氰基部分。 描述了使用卤化或氰化硅烷沉积SiN膜的方法。 可以使用等离子体处理条件来调节膜的碳，氢和/或氮含量。

公开(公告)号：US20140231930A1

公开(公告)日：2014-08-21

申请号：US14183826

申请日：2014-02-19

申请人： Timothy W. Weidman ,  Timothy Michaelson ,  Paul F. Ma ,  Paul Deaton

发明人： Timothy W. Weidman ,  Timothy Michaelson ,  Paul F. Ma ,  Paul Deaton

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/78 ,  C23C16/18 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76841 ,  H01L21/76871 ,  H01L29/4966

摘要： Provided are methods of depositing hafnium or zirconium containing metal alloy films. Certain methods comprise sequentially exposing a substrate surface to alternating flows of an organometallic precursor and a reductant comprising M(BH4)4 to produce a metal alloy film on the substrate surface, wherein M is selected from hafnium and zirconium, and the organometallic precursor contains a metal N. Gate stacks are described comprising a copper barrier layer comprising boron, a first metal M selected from Hf and Zr, and a second metal N selected from tantalum, tungsten, copper, ruthenium, rhodium, cobalt and nickel; and a copper layer overlying the copper barrier seed layer.

摘要翻译： 提供了沉积含铪或锆的金属合金膜的方法。 某些方法包括将衬底表面依次暴露于有机金属前体和包含M（BH 4）4的还原剂的交替流，以在衬底表面上产生金属合金膜，其中M选自铪和锆，并且有机金属前体含有 描述了包括包含硼的铜阻挡层，选自Hf和Zr的第一金属M和选自钽，钨，铜，钌，铑，钴和镍的第二金属N的栅叠层。 以及覆盖在铜屏障种子层上的铜层。

公开(公告)号：US20140038427A1

公开(公告)日：2014-02-06

申请号：US14048166

申请日：2013-10-08

申请人： Timothy W. Weidman ,  Todd Schroeder

发明人： Timothy W. Weidman ,  Todd Schroeder

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/02167 ,  C23C16/325 ,  C23C16/36 ,  C23C16/4554 ,  C23C16/5096 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0262

摘要： Provided are processes for the low temperature deposition of silicon-containing films using carbosilane precursors containing a carbon atom bridging at least two silicon atoms. Certain methods comprise providing a substrate; in a PECVD process, exposing the substrate surface to a carbosilane precursor containing at least one carbon atom bridging at least two silicon atoms; exposing the carbosilane precursor to a low-powered energy sourcedirect plasma to provide a carbosilane at the substrate surface; and densifying the carbosilanestripping away at least some of the hydrogen atoms to provide a film comprising SiC. The SiC film may be exposed to the carbosilane surface to a nitrogen source to provide a film comprising SiCN.

摘要翻译： 提供了使用含有桥连至少两个硅原子的碳原子的碳硅烷前体来低温沉积含硅膜的方法。 某些方法包括提供基底; 在PECVD工艺中，将衬底表面暴露于含有至少一个桥连至少两个硅原子的碳原子的碳硅烷前体; 将碳硅烷前体暴露于低功率能量源直流等离子体，以在基底表面提供碳硅烷; 并致密化至少一些氢原子的碳硅烷取代以提供包含SiC的膜。 可以将SiC膜暴露于碳硅烷表面至氮源，以提供包含SiCN的膜。

公开(公告)号：US20130113085A1

公开(公告)日：2013-05-09

申请号：US13289657

申请日：2011-11-04

申请人： Timothy Michaelson ,  Timothy W. Weidman ,  Paul Deaton

发明人： Timothy Michaelson ,  Timothy W. Weidman ,  Paul Deaton

IPC分类号： H01L21/314 ,  H01L29/00

CPC分类号： H01L21/0228 ,  C23C16/38 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0337

摘要： Provided are low temperature methods of depositing hafnium or zirconium containing films using a Hf(BH4)4 precursor, or Zr(BH4)4 precursor, respectively, as well as a co-reactant. The co-reactant can be selected to obtain certain film compositions. Co-reactants comprising an oxidant can be used to deposit oxygen into the film. Accordingly, also provided are films comprising a metal, boron and oxygen, wherein the metal comprises hafnium where a Hf(BH4)4 precursor is used, or zirconium, where a Zr(BH4)4 precursor is used.

摘要翻译： 提供了分别使用Hf（BH4）4前体或Zr（BH4）4前体以及共反应物沉积含铪或含锆膜的低温方法。 可以选择共反应物以获得某些膜组合物。 可以使用包含氧化剂的共反应物将氧沉积到膜中。 因此，还提供了包含金属，硼和氧的膜，其中金属包括使用Hf（BH4）4前体的铪或使用Zr（BH4）4前体的锆）。