公开(公告)号：US20120220116A1

公开(公告)日：2012-08-30

申请号：US13192034

申请日：2011-07-27

申请人： Atif Noori ,  Maitreyee Mahajani ,  Patricia M. Liu ,  Steven Hung ,  Tatsuya E. Sato ,  Mei Chang

发明人： Atif Noori ,  Maitreyee Mahajani ,  Patricia M. Liu ,  Steven Hung ,  Tatsuya E. Sato ,  Mei Chang

IPC分类号： H01L21/28

CPC分类号： H01L21/28194 ,  C23C16/0245 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/02046 ,  H01L21/02301 ,  H01L21/28238 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67207 ,  H01L29/517

摘要： A deposition process including a dry etch process, followed by a deposition process of a high-k dielectric is disclosed. The dry etch process involves placing a substrate to be cleaned into a processing chamber to remove surface oxides. A gas mixture is energized to form a plasma of reactive gas which reacts with an oxide on the substrate, forming a thin film. The substrate is heated to vaporize the thin film and expose a substrate surface. The substrate surface is substantially free of oxides. Deposition is then used to form a layer on the substrate surface.

摘要翻译： 公开了一种沉积工艺，其包括干蚀刻工艺，随后是高k电介质的沉积工艺。 干蚀刻工艺涉及将要清洗的基底放置在处理室中以去除表面氧化物。 气体混合物通电以形成反应性气体的等离子体，其与衬底上的氧化物反应，形成薄膜。 将衬底加热以蒸发薄膜并暴露衬底表面。 基底表面基本上不含氧化物。 然后沉积在衬底表面上形成一层。

公开(公告)号：US08004033B2

公开(公告)日：2011-08-23

申请号：US12477216

申请日：2009-06-03

申请人： S. Brad Herner ,  Maitreyee Mahajani

发明人： S. Brad Herner ,  Maitreyee Mahajani

IPC分类号： H01L29/788

CPC分类号： G11C5/02 ,  H01L21/8238 ,  H01L23/48 ,  H01L27/1021 ,  H01L27/148 ,  H01L29/94 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Nonvolatile memory cells and methods of forming the same are provided, the methods including forming a first conductor at a first height above a substrate; forming a first pillar-shaped semiconductor element above the first conductor, wherein the first pillar-shaped semiconductor element comprises a first heavily doped layer of a first conductivity type, a second lightly doped layer above and in contact with the first heavily doped layer, and a third heavily doped layer of a second conductivity type above and in contact with the second lightly doped layer, the second conductivity type opposite the first conductivity type; forming a first dielectric antifuse above the third heavily doped layer of the first pillar-shaped semiconductor element; and forming a second conductor above the first dielectric antifuse.

摘要翻译： 提供了非易失存储器单元及其形成方法，所述方法包括在衬底上方的第一高度处形成第一导体; 在所述第一导体上形成第一柱状半导体元件，其中所述第一柱状半导体元件包括第一导电类型的第一重掺杂层，在所述第一重掺杂层上方并与其接触的第二轻掺杂层，以及 第二导电类型的第三重掺杂层在第二轻掺杂层上方并与第二轻掺杂层接触，第二导电类型与第一导电类型相反; 在所述第一柱状半导体元件的所述第三重掺杂层的上方形成第一介电反熔丝; 以及在所述第一介电反熔丝之上形成第二导体。

公开(公告)号：US07897208B2

公开(公告)日：2011-03-01

申请号：US12788131

申请日：2010-05-26

申请人： Maitreyee Mahajani ,  Yi-Chiau Huang ,  Brendan McDougall

发明人： Maitreyee Mahajani ,  Yi-Chiau Huang ,  Brendan McDougall

IPC分类号： C23C16/00 ,  H05H1/24

CPC分类号： C23C16/402 ,  C23C16/45534

摘要： The present invention generally comprises a silicon dioxide atomic layer deposition method. By providing pyridine as a catalyst, water may be utilized as the oxidization source while depositing at a low temperature. Prior to exposing the substrate to the water, the substrate may be exposed to a pyridine soak process. Additionally, the water may be co-flowed to the chamber with the pyridine through separate conduits to reduce interaction prior to entering the chamber. Alternatively, the pyridine may be co-flowed with a silicon precursor that does not react with pyridine.

摘要翻译： 本发明通常包括二氧化硅原子层沉积方法。 通过提供吡啶作为催化剂，可以在低温下沉积时使用水作为氧化源。 在将基底暴露于水之前，可以将底物暴露于吡啶浸泡过程。 此外，水可以通过单独的导管与吡啶共同流到室中，以减少进入室之前的相互作用。 或者，吡啶可以与不与吡啶反应的硅前体共流。

公开(公告)号：US07749574B2

公开(公告)日：2010-07-06

申请号：US11559491

申请日：2006-11-14

申请人： Maitreyee Mahajani ,  Yi-Chiau Huang ,  Brendan McDougall

发明人： Maitreyee Mahajani ,  Yi-Chiau Huang ,  Brendan McDougall

IPC分类号： H05H1/24 ,  C23C16/00

CPC分类号： C23C16/402 ,  C23C16/45534

摘要： The present invention generally comprises a silicon dioxide atomic layer deposition method. By providing pyridine as a catalyst, water may be utilized as the oxidization source while depositing at a low temperature. Prior to exposing the substrate to the water, the substrate may be exposed to a pyridine soak process. Additionally, the water may be co-flowed to the chamber with the pyridine through separate conduits to reduce interaction prior to entering the chamber. Alternatively, the pyridine may be co-flowed with a silicon precursor that does not react with pyridine.

摘要翻译： 本发明通常包括二氧化硅原子层沉积方法。 通过提供吡啶作为催化剂，可以在低温下沉积时使用水作为氧化源。 在将基底暴露于水之前，可以将底物暴露于吡啶浸泡过程。 此外，水可以通过单独的导管与吡啶共同流到室中，以减少进入室之前的相互作用。 或者，吡啶可以与不与吡啶反应的硅前体共流。

公开(公告)号：US07402534B2

公开(公告)日：2008-07-22

申请号：US11213161

申请日：2005-08-26

申请人： Maitreyee Mahajani

发明人： Maitreyee Mahajani

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC分类号： H01L21/3141 ,  C23C16/0218 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45546 ,  H01L21/3142

摘要： Embodiments of the invention provide methods for forming a material on a substrate which includes exposing a plurality of substrates within a batch process chamber to a first oxidizing gas during a pretreatment process, exposing the substrates sequentially to a precursor and a second oxidizing gas during an ALD cycle and repeating the ALD cycle to form a material on the substrates. In a preferred example, a hafnium precursor is used during the ALD process to form a hafnium-containing material, such as hafnium oxide. In one example, the first and second oxidizing gases are the same oxidizing gases. In a preferred example, the first and second oxidizing gases are different oxidizing gases, such that the pretreatment process contains ozone and the ALD process contains water vapor.

摘要翻译： 本发明的实施例提供了在衬底上形成材料的方法，其包括在预处理过程中将批处理室内的多个衬底暴露于第一氧化气体，在ALD期间将衬底依次暴露于前体和第二氧化气体 循环并重复ALD循环以在基底上形成材料。 在优选的实施例中，在ALD工艺期间使用铪前体以形成含铪的材料，例如氧化铪。 在一个实例中，第一和第二氧化气体是相同的氧化气体。 在优选的实施例中，第一和第二氧化气体是不同的氧化气体，使得预处理过程含有臭氧，并且ALD工艺含有水蒸气。

公开(公告)号：US20080113097A1

公开(公告)日：2008-05-15

申请号：US11559491

申请日：2006-11-14

申请人： Maitreyee Mahajani ,  Yi-Chiau Huang ,  Brendan McDougall

发明人： Maitreyee Mahajani ,  Yi-Chiau Huang ,  Brendan McDougall

IPC分类号： C23C16/40

CPC分类号： C23C16/402 ,  C23C16/45534

摘要： The present invention generally comprises a silicon dioxide atomic layer deposition method. By providing pyridine as a catalyst, water may be utilized as the oxidization source while depositing at a low temperature. Prior to exposing the substrate to the water, the substrate may be exposed to a pyridine soak process. Additionally, the water may be co-flowed to the chamber with the pyridine through separate conduits to reduce interaction prior to entering the chamber. Alternatively, the pyridine may be co-flowed with a silicon precursor that does not react with pyridine.

摘要翻译： 本发明通常包括二氧化硅原子层沉积方法。 通过提供吡啶作为催化剂，可以在低温下沉积时使用水作为氧化源。 在将基底暴露于水之前，可以将底物暴露于吡啶浸泡过程。 此外，水可以通过单独的导管与吡啶共同流到室中，以减少进入室之前的相互作用。 或者，吡啶可以与不与吡啶反应的硅前体共流。

公开(公告)号：US06271129B1

公开(公告)日：2001-08-07

申请号：US08984438

申请日：1997-12-03

申请人： Steve Ghanayem ,  Maitreyee Mahajani

发明人： Steve Ghanayem ,  Maitreyee Mahajani

IPC分类号： H01L2144

CPC分类号： H01J37/32743 ,  C23C16/14 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32788 ,  H01J2237/3321 ,  H01J2237/3328 ,  H01L21/28556

摘要： A method for forming a refractory metal layer that features two-stage nucleation prior to bulk deposition of the same. The method includes placing a substrate in a deposition zone, flowing, into the deposition zone during a first deposition stage, a silicon source, such as a silane gas, and a tungsten source, such as tungsten-hexafluoride gas, so as to obtain a predetermined ratio of the two gases therein. During a second deposition stage, subsequent to the first deposition stage, the ratio of the two gases is varied. Specifically, in the first deposition stage there is a greater quantity of silane gas than tungsten-hexafluoride gas. In the second deposition stage there may be a greater quantity of tungsten-hexafluoride than silane.

摘要翻译： 一种形成难熔金属层的方法，其特征在于在其沉积之前具有两级成核。 该方法包括在第一沉积阶段将衬底放置在沉积区中流动到沉积区中，将诸如硅烷气体的硅源和诸如六氟化钨气体的钨源放置在基底上，以获得 其中两种气体的预定比例。 在第二沉积阶段期间，在第一沉积阶段之后，改变两种气体的比例。 具体地说，在第一沉积阶段，比六氟化钨气体有大量的硅烷气体。 在第二沉积阶段，可能比硅烷有更多的六氟化钨。

公开(公告)号：US5709772A

公开(公告)日：1998-01-20

申请号：US625485

申请日：1996-03-29

申请人： Steve Ghanayem ,  Moris Kori ,  Maitreyee Mahajani ,  Ravi Rajagopalan

发明人： Steve Ghanayem ,  Moris Kori ,  Maitreyee Mahajani ,  Ravi Rajagopalan

IPC分类号： C23C16/02 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/306 ,  C23F1/00

CPC分类号： C23C16/52 ,  C23C16/02 ,  C23C16/4405

摘要： An apparatus and process for limiting residue remaining after the etching of metal in a semiconductor manufacturing process by injecting a halogen-containing gas without a plasma into a processing chamber. The wafer is then exposed to the remnants of the halogen-containing gas in the chamber before the metal is deposited on the wafer. The exposure can occur in the same chamber as the metal deposition, or a different chamber. The wafer can remain in the chamber or be moved to another chamber for etching after exposure and deposition.

摘要翻译： 一种用于限制半导体制造工艺中的金属蚀刻后剩余残留物的装置和方法，其中将不含等离子体的含卤素气体注入到处理室中。 然后在金属沉积在晶片上之前，将晶片暴露于腔室中的含卤素气体的残留物。 曝光可能发生在与金属沉积相同的室中，或者在不同的室中。 晶片可以保留在腔室中，或者在曝光和沉积之后移动到另一个腔室进行蚀刻。

公开(公告)号：US20120289063A1

公开(公告)日：2012-11-15

申请号：US13189982

申请日：2011-07-25

申请人： Tatsuya E. Sato ,  Maitreyee Mahajani

发明人： Tatsuya E. Sato ,  Maitreyee Mahajani

IPC分类号： H01L21/314

CPC分类号： H01L21/0228 ,  H01L21/02046 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02301 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/324 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/78

摘要： Provided are methods for depositing a high-k dielectric film on a substrate. The methods comprise annealing a substrate after cleaning the surface to create dangling bonds and depositing the high-k dielectric film on the annealed surface.

摘要翻译： 提供了在基底上沉积高k电介质膜的方法。 这些方法包括在清洁表面之后退火衬底以产生悬挂键并将高k电介质膜沉积在退火表面上。

公开(公告)号：US20120202357A1

公开(公告)日：2012-08-09

申请号：US13192041

申请日：2011-07-27

申请人： Tatsuya E. Sato ,  David Thompson ,  Jeffrey W. Anthis ,  Vladimir Zubkov ,  Steven Verhaverbeke ,  Roman Gouk ,  Maitreyee Mahajani ,  Patricia M. Liu ,  Malcolm J. Bevan

发明人： Tatsuya E. Sato ,  David Thompson ,  Jeffrey W. Anthis ,  Vladimir Zubkov ,  Steven Verhaverbeke ,  Roman Gouk ,  Maitreyee Mahajani ,  Patricia M. Liu ,  Malcolm J. Bevan

IPC分类号： H01L21/31 ,  B05D3/10

CPC分类号： H01L21/3105 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45525 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02312

摘要： Methods for preparing a substrate for a subsequent film formation process are described. Methods for preparing a substrate for a subsequent film formation process, without immersion in an aqueous solution, are also described. A process is described that includes disposing a substrate into a process chamber, the substrate having a thermal oxide surface with substantially no reactive surface terminations. The thermal oxide surface is exposed to a partial pressure of water above the saturated vapor pressure at a temperature of the substrate to convert the dense thermal oxide with substantially no reactive surface terminations to a surface with hydroxyl surface terminations. This can occur in the presence of a Lewis base such as ammonia.

摘要翻译： 描述制备用于后续成膜工艺的基材的方法。 还描述了不浸没在水溶液中制备用于后续成膜工艺的基材的方法。 描述了一种方法，其包括将衬底设置到处理室中，所述衬底具有基本上没有反应性表面终止的热氧化物表面。 热氧化物表面在基板的温度下暴露于高于饱和蒸气压的水分压，以将基本上没有反应性表面终止的致密热氧化物转变成具有羟基表面终止的表面。 这可以在诸如氨的路易斯碱存在下进行。