公开(公告)号：US20050284844A1

公开(公告)日：2005-12-29

申请号：US11165278

申请日：2005-06-24

申请人： Masayuki Hattori ,  Yuji Namie ,  Nobuo Kawahashi

发明人： Masayuki Hattori ,  Yuji Namie ,  Nobuo Kawahashi

IPC分类号： C03C15/00 ,  C09K13/00 ,  C11D7/06 ,  C11D7/22 ,  C11D7/32 ,  C11D7/34 ,  C11D11/00 ,  C23F1/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/306

CPC分类号： H01L21/02074 ,  C11D3/3765 ,  C11D3/3773 ,  C11D7/06 ,  C11D7/3209 ,  C11D11/0047

摘要： A cleaning composition for semiconductor components comprises a water-soluble polymer (a) having a specific molecular weight and a compound (b) represented by the following formula (1): NR4OH  (1) wherein each R is independently a hydrogen atom or an alkyl group of 1 to 6 carbon atoms. A process for manufacturing a semiconductor device comprises chemical mechanical polishing a semiconductor component, and cleaning the semiconductor component with the cleaning composition for semiconductor components. The cleaning composition exerts a high cleaning effect on impurities remaining on a polished surface of a semiconductor component after chemical mechanical polishing, and becomes little burden on the environment.

摘要翻译： 用于半导体组件的清洁组合物包括具有特定分子量的水溶性聚合物（a）和由下式（1）表示的化合物（b）：<？在线公式描述=“在线配方” end =“lead”→NR 4 OH（1）<？in-line-formula description =“In-line Formulas”end =“tail”？>其中每个R独立地为氢原子 或1〜6个碳原子的烷基。 半导体器件的制造方法包括半导体部件的化学机械研磨，以及半导体部件用清洗组合物的半导体部件的清洗。 清洗组合物对化学机械抛光后残留在半导体组件的抛光表面上的杂质产生高清洁效果，并且对环境的负担很小。

公开(公告)号：US20050272631A1

公开(公告)日：2005-12-08

申请号：US11116775

申请日：2005-04-28

申请人： Gregory Miracle ,  Robert Dykstra ,  George Hiler

发明人： Gregory Miracle ,  Robert Dykstra ,  George Hiler

IPC分类号： C07C233/91 ,  C07C309/15 ,  C07C309/51 ,  C11D1/00 ,  C11D3/39 ,  C11D3/395 ,  C11D7/32 ,  C11D7/34

CPC分类号： C11D7/34 ,  C07C233/91 ,  C07C309/15 ,  C07C309/51 ,  C11D3/3947 ,  C11D7/3209

摘要： The present invention relates to organic activators having the following general formula: Wherein R1 is a substituted or unsubstituted alkyl or aryl moiety comprising at least five carbons, R2 is a substituted or unsubstituted alkyl moiety comprising less than five carbons, R3 is a suitable bridging moiety, R4 is a charged moiety, N is nitrogen, each G is, independently, an oxygen containing moiety and Z, when present, is a charge balancing counter ion. The present invention also relates to cleaning compositions comprising said organic activators, and processes for making and using the aforementioned organic activators and cleaning compositions.

摘要翻译： 本发明涉及具有以下通式的有机活化剂：其中R 1是取代或未取代的包含至少五个碳的烷基或芳基部分，R 2是取代的 或包含少于五个碳的未取代的烷基部分，R 3是合适的桥连部分，R 4是带电部分，N是氮，每个G独立地是 含氧部分和Z（当存在时）是电荷平衡反离子。 本发明还涉及包含所述有机活化剂的清洁组合物，以及制备和使用上述有机活化剂和清洁组合物的方法。

公开(公告)号：US20050239673A1

公开(公告)日：2005-10-27

申请号：US10515392

申请日：2003-05-27

申请人： Chien-Pin Hsu

发明人： Chien-Pin Hsu

IPC分类号： C11D1/00 ,  C11D3/20 ,  C11D3/24 ,  C11D3/28 ,  C11D3/33 ,  C11D3/34 ,  C11D3/39 ,  C11D7/06 ,  C11D7/26 ,  C11D7/28 ,  C11D7/32 ,  C11D7/34 ,  C11D7/50 ,  C11D11/00 ,  C23G1/06 ,  G03F7/42 ,  H01L21/02 ,  H01L21/027 ,  H01L21/304 ,  H01L21/311

CPC分类号： C23G1/061 ,  C11D3/2068 ,  C11D3/245 ,  C11D3/28 ,  C11D3/33 ,  C11D3/3454 ,  C11D3/3947 ,  C11D7/06 ,  C11D7/261 ,  C11D7/28 ,  C11D7/3263 ,  C11D7/3281 ,  C11D7/34 ,  C11D7/5004 ,  C11D11/0047 ,  C23G1/18 ,  G03F7/423 ,  G03F7/425 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/31133

摘要： Cleaning compositions suitable for cleaning microelectronic structures having silicon dioxide, low-k or high-k dielectrics and copper or aluminum metallizations contain an oxidizing agent and a polar organic solvent selected from amides, sulfones, sulfolenes, selenones and saturated alcohols, and optionally other components.

摘要翻译： 适用于清洁具有二氧化硅，低k或高k电介质和铜或铝金属化物的微电子结构的清洁组合物含有氧化剂和选自酰胺，砜，环丁砜，硒酮和饱和醇的极性有机溶剂，以及任选的其它组分 。

公开(公告)号：US06943142B2

公开(公告)日：2005-09-13

申请号：US10042612

申请日：2002-01-09

申请人： Matthew I. Egbe ,  Darryl W. Peters

发明人： Matthew I. Egbe ,  Darryl W. Peters

IPC分类号： B08B3/08 ,  C09D9/00 ,  C11D1/14 ,  C11D1/22 ,  C11D3/34 ,  C11D3/43 ,  C11D7/26 ,  C11D7/32 ,  C11D7/34 ,  C11D7/50 ,  C11D11/00 ,  C23G5/02 ,  G03F7/42 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3213 ,  H05K3/26

CPC分类号： H01L21/02071 ,  B08B3/08 ,  C09D9/00 ,  C11D1/143 ,  C11D1/22 ,  C11D3/3409 ,  C11D3/3418 ,  C11D3/43 ,  C11D7/265 ,  C11D7/3218 ,  C11D7/3263 ,  C11D7/3281 ,  C11D7/34 ,  C11D7/5004 ,  C11D11/0047 ,  C23G5/02 ,  G03F7/426 ,  Y10S134/902

摘要： The present invention relates to aqueous compositions used to remove post etch organic and inorganic residue as well polymeric residues and contaminants from semiconductor substrates. The compositions are comprised of a water soluble organic solvent, a sulfonic acid and water.

摘要翻译： 本发明涉及用于从半导体衬底去除后蚀刻有机和无机残余物以及聚合物残余物和污染物的含水组合物。 组合物由水溶性有机溶剂，磺酸和水组成。

公开(公告)号：US06896826B2

公开(公告)日：2005-05-24

申请号：US10047554

申请日：2001-10-23

申请人： William A. Wojtczak ,  Ma. Fatima Seijo ,  David Bernhard ,  Long Nguyen

发明人： William A. Wojtczak ,  Ma. Fatima Seijo ,  David Bernhard ,  Long Nguyen

IPC分类号： C11D3/04 ,  C09K13/00 ,  C09K13/08 ,  C11D1/00 ,  C11D3/20 ,  C11D3/30 ,  C11D3/32 ,  C11D7/08 ,  C11D7/10 ,  C11D7/26 ,  C11D7/28 ,  C11D7/32 ,  C11D7/34 ,  C11D7/60 ,  C11D11/00 ,  C11D17/08 ,  C23F11/14 ,  C23G1/10 ,  G03F7/42 ,  H01L21/02 ,  H01L21/302 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/321 ,  H01L21/3213 ,  C09K13/04 ,  C09K13/06

CPC分类号： C11D3/30 ,  C09K13/00 ,  C09K13/08 ,  C11D3/32 ,  C11D3/33 ,  C11D7/10 ,  C11D7/264 ,  C11D7/265 ,  C11D7/266 ,  C11D7/28 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/3218 ,  C11D7/3245 ,  C11D7/3254 ,  C11D7/3263 ,  C11D7/3272 ,  C11D7/3281 ,  C11D7/34 ,  C11D11/0047 ,  C23F11/142 ,  C23F11/146 ,  C23G1/103 ,  C23G1/106 ,  G03F7/425 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/32136

摘要： A semiconductor wafer cleaning formulation, including 1-35% wt. fluoride source, 20-60% wt. organic amine(s), 0.1-40% wt. nitrogenous component, e.g., a nitrogen-containing carboxylic acid or an imine, 20-50% wt. water, and 0-21% wt. metal chelating agent(s). The formulations are useful to remove residue from wafers following a resist plasma ashing step, such as inorganic residue from semiconductor wafers containing delicate copper interconnecting structures.

公开(公告)号：US20050090109A1

公开(公告)日：2005-04-28

申请号：US10690623

申请日：2003-10-23

申请人： Melvin Carter ,  Robert Small ,  Xiaowei Shang ,  Donald Frey

发明人： Melvin Carter ,  Robert Small ,  Xiaowei Shang ,  Donald Frey

IPC分类号： C09G1/02 ,  C11D7/34 ,  C11D11/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/306 ,  H01L21/321 ,  H01L21/302 ,  H01L21/461

CPC分类号： H01L21/02074 ,  C09G1/02 ,  C11D7/34 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/32125

摘要： The invention relates to chemical mechanical polishing of substrates using an abrasive and a fluid composition, wherein certain organosulfonic acid compounds are used as oxidizers, and particularly relates to a method of polishing substrates comprising copper, tungsten, titanium, and/or polysilicon using a chemical-mechanical polishing system comprising organosulfonic acids having an electrochemical oxidation potential greater than 0.2V as an oxidizer.

摘要翻译： 本发明涉及使用研磨剂和流体组合物的基材的化学机械抛光，其中某些有机磺酸化合物用作氧化剂，并且特别涉及使用化学品抛光含有铜，钨，钛和/或多晶硅的基材的方法 - 机电抛光系统，其包含电化学氧化电位大于0.2V的有机磺酸作为氧化剂。

公开(公告)号：US20050048397A1

公开(公告)日：2005-03-03

申请号：US10924841

申请日：2004-08-25

申请人： Gyoo-Chul Jo ,  Geo-Sung Chae ,  Oh-Nam Kwon ,  Kyoung-Mook Lee ,  Yong-Sup Hwang ,  Seong-Bae Kim ,  Suk-Chang Jang ,  Suk-Il Yoon

发明人： Gyoo-Chul Jo ,  Geo-Sung Chae ,  Oh-Nam Kwon ,  Kyoung-Mook Lee ,  Yong-Sup Hwang ,  Seong-Bae Kim ,  Suk-Chang Jang ,  Suk-Il Yoon

IPC分类号： G03F7/42 ,  C11D3/00 ,  C11D7/26 ,  C11D7/32 ,  C11D7/34 ,  C11D11/00 ,  G02F1/133 ,  G02F1/136 ,  G03C11/12 ,  H01L21/027

CPC分类号： C11D3/0073 ,  C11D7/263 ,  C11D7/3218 ,  C11D7/3263 ,  C11D7/3281 ,  C11D7/34 ,  C11D11/0047 ,  G03F7/425

摘要： A composition for removing a copper-compatible resist includes about 10 to 30% by weight of an amine compound solvent, the amine compound solvent including an alkanol amine, about 10 to 80% by weight of a glycol group solvent, about 9.5 to 80% by weight of a polar solvent, and about 0.5 to 10% by weight of a corrosion inhibitor.

摘要翻译： 用于除去铜相容抗蚀剂的组合物包括约10至30重量％的胺化合物溶剂，包括烷醇胺的胺化合物溶剂，约10至80重量％的二醇基溶剂，约9.5至80重量％ 的极性溶剂和约0.5-10重量％的腐蚀抑制剂。

公开(公告)号：US6140287A

公开(公告)日：2000-10-31

申请号：US133698

申请日：1998-08-13

申请人： Wai Mun Lee

发明人： Wai Mun Lee

IPC分类号： B24B37/04 ,  C09D9/00 ,  C11D3/20 ,  C11D3/30 ,  C11D3/33 ,  C11D3/34 ,  C11D3/43 ,  C11D7/26 ,  C11D7/32 ,  C11D7/34 ,  C11D7/50 ,  C11D11/00 ,  C23G1/10 ,  C23G1/20 ,  G03F7/42 ,  H01L21/02 ,  H01L21/027 ,  H01L21/30 ,  H01L21/306 ,  H01L21/311 ,  H01L21/321 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/02071 ,  B24B37/042 ,  C09D9/00 ,  C11D11/0047 ,  C11D11/0052 ,  C11D3/2058 ,  C11D3/2065 ,  C11D3/2086 ,  C11D3/30 ,  C11D3/3427 ,  C11D3/3472 ,  C11D3/43 ,  C11D7/261 ,  C11D7/262 ,  C11D7/263 ,  C11D7/265 ,  C11D7/267 ,  C11D7/32 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/3218 ,  C11D7/3227 ,  C11D7/3245 ,  C11D7/3254 ,  C11D7/3263 ,  C11D7/3272 ,  C11D7/3281 ,  C11D7/34 ,  C11D7/5013 ,  C23G1/103 ,  C23G1/205 ,  G03F7/42 ,  G03F7/423 ,  G03F7/425 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76885 ,  H01L21/02052

摘要： An etching residue remover for cleaning etching residue from a substrate, derived from a mixture of at least hydroxylamine, an alkanolamine which is miscible with said hydroxylamine, water, and, optionally, a chelating agent, wherein the hydroxylamine and the alkanolamine are present in amounts sufficient to clean etching residue from the substrate.

摘要翻译： 一种蚀刻残渣去除剂，用于清洗从底物蚀刻残留物，其衍生自至少羟胺，可与所述羟胺混合的链烷醇胺，水和任选的螯合剂的混合物，其中羟胺和链烷醇胺的量以 足以清除基板上的蚀刻残留物。

公开(公告)号：US6066609A

公开(公告)日：2000-05-23

申请号：US243298

申请日：1999-02-02

申请人： Andreas Martin ,  Walter Hub ,  Bernd Kolbesen

发明人： Andreas Martin ,  Walter Hub ,  Bernd Kolbesen

IPC分类号： C11D3/39 ,  C11D7/26 ,  C11D7/34 ,  C11D11/00 ,  H01L21/306 ,  C11D7/50

CPC分类号： H01L21/02052 ,  C11D11/0047 ,  C11D3/3947 ,  C11D7/267 ,  C11D7/34

摘要： Aqueous solutions for cleaning semiconductor substrates are formed primarily of a base, hydrogen peroxide and a complexing agent. The complexing agent is a heterocyclic hydrocarbon having a ring size of at least 9 and at most 18 atoms and at least 3 heteroatoms, for example nitrogen, oxygen or sulfur. In the case of nitrogen-containing cryptands, these may additionally be formed with functional reactive groups and/or aliphatic bridges between the nitrogen atoms (cage structures).

摘要翻译： 用于清洁半导体衬底的水溶液主要由碱，过氧化氢和络合​​剂形成。 络合剂是具有至少9个且至多18个原子和至少3个杂原子（例如氮，氧或硫）的环尺寸的杂环烃。 在含氮穴状物的情况下，还可以在氮原子（笼状结构）之间形成功能性反应性基团和/或脂肪族桥。

公开(公告)号：US5929005A

公开(公告)日：1999-07-27

申请号：US205802

申请日：1998-12-04

申请人： John Ralph Smith

发明人： John Ralph Smith

IPC分类号： C09D9/00 ,  C11D1/04 ,  C11D1/52 ,  C11D3/02 ,  C11D3/08 ,  C11D3/10 ,  C11D3/12 ,  C11D7/20 ,  C11D7/26 ,  C11D7/32 ,  C11D7/34 ,  C11D7/50 ,  C11D9/04 ,  B08B7/00

CPC分类号： C11D3/128 ,  C09D9/00 ,  C11D3/046 ,  C11D3/122 ,  C11D3/1233 ,  C11D3/124 ,  C11D3/1266 ,  C11D3/1293 ,  C11D7/20 ,  C11D7/261 ,  C11D7/5009 ,  C11D1/04 ,  C11D1/521 ,  C11D7/266 ,  C11D7/32 ,  C11D7/34

摘要： This invention provides graffiti removers for removing permanent ink stains from painted surfaces. The graffiti removers include an active solvent for dissolving the stains, which are organic in nature, an optional secondary solvent for concentrated attack on the stain without being adversely affected by dilution with water, an emollient for maintaining a uniform dispersion of particulates in the remover and on the graffiti-stained painted surfaces, and an amorphous, particulate, mildly abrasive filler for imbibing the solvents, the filler being selected to permit the slow release of the active solvent.

摘要翻译： 本发明提供了用于从涂漆表面去除永久性油墨污迹的涂鸦去除剂。 涂鸦去除剂包括用于溶解本质上是有机物的污渍的活性溶剂，用于对污渍进行浓缩攻击的任选的二次溶剂，而不会受到用水稀释的不利影响，用于保持除去剂中颗粒的均匀分散的润肤剂和 在涂鸦染色的表面上，以及用于吸收溶剂的无定形，微粒，温和磨料填料，选择填料以允许活性溶剂的缓慢释放。