公开(公告)号：US20120051380A1

公开(公告)日：2012-03-01

申请号：US13255632

申请日：2010-04-22

申请人： Marc Schillgalies ,  Stephan Lutgen ,  Uwe Strauss

发明人： Marc Schillgalies ,  Stephan Lutgen ,  Uwe Strauss

IPC分类号： H01S3/063 ,  H01S5/10

CPC分类号： B82Y20/00 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01S5/02212 ,  H01S5/028 ,  H01S5/0281 ,  H01S5/0683 ,  H01S5/2031 ,  H01S5/32341 ,  H01S5/34 ,  H01S2301/185 ,  H01L2924/00014

摘要： The invention relates to an edge-emitting semiconductor laser comprising a semiconductor body (10), which comprises a waveguide region (4), wherein the waveguide region (4) comprises a first waveguide layer (2A), a second waveguide layer (2B) and an active layer (3) arranged between the first waveguide layer (2A) and the second waveguide layer (2B) and serving for generating laser radiation (5), and the waveguide region (4) is arranged between a first cladding layer (1A) and a second cladding layer (1B) disposed downstream of the waveguide region (4) in the growth direction of the semiconductor body (10). The waveguide region (4) has a thickness d of 400 nm or less, and an emission angle of the laser radiation (5) emerging from the semiconductor body (10) in a direction parallel to the layer plane of the active layer (3) and the emission angle of the laser radiation (5) emerging from the semiconductor body (10) in a direction perpendicular to the layer plane of the active layer (3) differ from one another by less than a factor of 3.

摘要翻译： 本发明涉及一种包括半导体本体（10）的边缘发射半导体激光器，其包括波导区域（4），其中波导区域（4）包括第一波导层（2A），第二波导层（2B） 以及布置在所述第一波导层（2A）和所述第二波导层（2B）之间并用于产生激光辐射（5）的有源层（3），并且所述波导区域（4）布置在第一包层 ）和在半导体本体（10）的生长方向上设置在波导区域（4）的下游的第二包覆层（1B）。 波导区域（4）的厚度d为400nm以下，从与半导体本体（10）平行的方向与激活层（3）的层面平行的方向的激光辐射（5）的发射角度， 并且在垂直于有源层（3）的层平面的方向上从半导体本体（10）出射的激光辐射（5）的发射角彼此相差小于3倍。

公开(公告)号：US20110051771A1

公开(公告)日：2011-03-03

申请号：US12920312

申请日：2009-01-28

申请人： Adrian Stefan Avramescu ,  Christoph Eichler ,  Uwe Strauss ,  Volke Härle

发明人： Adrian Stefan Avramescu ,  Christoph Eichler ,  Uwe Strauss ,  Volke Härle

IPC分类号： H01S5/026 ,  H01L33/32

CPC分类号： H01L33/0075 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/10 ,  H01L2924/0002 ,  H01S5/0217 ,  H01S5/0424 ,  H01S5/12 ,  H01S5/18308 ,  H01S5/22 ,  H01S5/32341 ,  H01L2924/00

摘要： An optoelectronic component contains an epitaxial layer sequence (6) based on a nitride compound semiconductor having an active layer (4) and, wherein the epitaxial growth substrate (1) comprises Al1-xGaxN, where 0

摘要翻译： 光电子部件包含基于具有有源层（4）的氮化物半导体的外延层序列（6），并且其中外延生长衬底（1）包括Al 1-x Ga x N，其中0

公开(公告)号：US20100295438A1

公开(公告)日：2010-11-25

申请号：US12680626

申请日：2008-09-11

申请人： Hubert Ott ,  Alfred Lell ,  Sönke Tautz ,  Uwe Strauss ,  Frank Baumann ,  Kirstin Petersen

发明人： Hubert Ott ,  Alfred Lell ,  Sönke Tautz ,  Uwe Strauss ,  Frank Baumann ,  Kirstin Petersen

IPC分类号： F21V9/16

CPC分类号： F21K9/64 ,  F21V9/30 ,  F21Y2115/10 ,  H01L33/507 ,  H01L33/58 ,  H01L33/60

摘要： A semiconductor light source is provided, the semiconductor light source having a primary radiation source (1) which, when the semiconductor light source is operated, emits electromagnetic primary radiation (5) in a first wavelength range, and having a luminescence conversion module (2) into which primary radiation (5) emitted by the primary radiation source (1) is fed. The luminescence conversion module (2) contains a luminescence conversion element (6) which, by means of a luminescent material, absorbs primary radiation (5) from the first wavelength range and emits electromagnetic secondary radiation (15) in a second wavelength range. The luminescence conversion element (6) is arranged on a heat sink (3) at a distance from the primary radiation source (1). It has a reflector surface (7, 71, 72) which reflects back into the luminescence conversion element (6) primary radiation (5) which passes through the luminescence conversion element (6) and is not absorbed thereby and/or reflects secondary radiation (15) in the direction of a light coupling-out surface (601) of the luminescence conversion element (6).

摘要翻译： 提供半导体光源，所述半导体光源具有主辐射源（1），当所述半导体光源被操作时，所述主辐射源（1）在第一波长范围内发射电磁主辐射（5），并且具有发光转换模块 ），其中馈送由主辐射源（1）发射的初级辐射（5）。 发光转换模块（2）包含发光转换元件（6），其通过发光材料从第一波长范围吸收主辐射（5）并在第二波长范围内发射电磁次级辐射（15）。 发光转换元件（6）被布置在距离主辐射源（1）一定距离处的散热器（3）上。 它具有反射到发光转换元件（6）的反射器表面（7,71,72），初级辐射（5）通过发光转换元件（6）并且不被其吸收和/或反射次级辐射 15）在发光转换元件（6）的光耦合表面（601）的方向上。

公开(公告)号：US07742677B2

公开(公告)日：2010-06-22

申请号：US11810326

申请日：2007-06-04

申请人： Franz Eberhard ,  Uwe Strauss ,  Ulrich Zehnder ,  Andreas Weimar ,  Raimund Oberschmid

发明人： Franz Eberhard ,  Uwe Strauss ,  Ulrich Zehnder ,  Andreas Weimar ,  Raimund Oberschmid

IPC分类号： G02B6/00

CPC分类号： H01L33/40 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  Y10S438/947

摘要： A method for producing an optoelectronic component is disclosed. The method includes the steps of providing a substrate, applying a semiconductor layer sequence to the substrate, applying at least two current expansion layers to the semiconductor layer sequence, applying and patterning a mask layer, patterning the second current expansion layer by means of an etching process during which sidewalls of the mask layer are undercut, patterning the first current expansion layer by means of an etching process during which the sidewalls of the mask layer are undercut at least to a lesser extent than during the patterning of the second current expansion layer, and removing the mask layer.

摘要翻译： 公开了一种用于制造光电子部件的方法。 该方法包括以下步骤：提供衬底，向衬底施加半导体层序列，向半导体层序列施加至少两个电流扩展层，施加和图案化掩模层，通过蚀刻图案化第二电流膨胀层 在掩模层的侧壁被切下的过程中，通过蚀刻工艺来对第一电流膨胀层进行图案化，在该过程期间，掩模层的侧壁至少比在第二电流膨胀层的图案化期间底切的程度更小， 并去除掩模层。

公开(公告)号：US20090296018A1

公开(公告)日：2009-12-03

申请号：US12306919

申请日：2007-05-31

申请人： Volker Harle ,  Alfred Lell ,  Hubert Ott ,  Norbert Stath ,  Uwe Strauss

发明人： Volker Harle ,  Alfred Lell ,  Hubert Ott ,  Norbert Stath ,  Uwe Strauss

IPC分类号： G02F1/1335 ,  G02F1/35 ,  H01S3/10 ,  G01N21/00 ,  B60Q1/26

CPC分类号： G02B6/0003 ,  F21S41/13 ,  F21S41/135 ,  F21S41/14 ,  F21S41/141 ,  F21S41/16 ,  F21S41/24 ,  F21S45/46 ,  G01M11/062 ,  G01M11/088 ,  G01M11/31 ,  G01M11/33 ,  G02B6/4469 ,  G02B6/447

摘要： A light-emitting device, comprising: a radiation source (5), which emits radiation having a first wavelength, an optical waveguide (10), into which the radiation emitted by the radiation source is coupled, and a converter material (15), which converts the radiation transported through the optical waveguide (10) into light (20) having a second, longer wavelength. A light-emitting device of this type can have an improved light conversion efficiency.

摘要翻译： 一种发光装置，包括：辐射源（5），其发射具有第一波长的辐射;辐射源发射的辐射被耦合到其中的光波导（10）;以及转换器材料（15）， 其将通过光波导（10）传输的辐射转换成具有第二较长波长的光（20）。 这种类型的发光装置可以具有改进的光转换效率。

公开(公告)号：US07592194B2

公开(公告)日：2009-09-22

申请号：US11120382

申请日：2005-05-02

申请人： Christoph Jonda ,  Ulrich Zehnder ,  Uwe Strauss

发明人： Christoph Jonda ,  Ulrich Zehnder ,  Uwe Strauss

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L33/44 ,  H01L33/38 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2924/00

摘要： A radiation-emitting and/or -receiving semiconductor component comprising a semiconductor body (1), which has an active zone (2) provided for radiation generation or for radiation reception, a lateral main direction of extent and a main area, and also a protective layer (6) arranged on the main area and a contact (5) arranged on the main area, the protective layer (6) being spaced apart from the contact in the lateral direction. A method for the application of a contact to a semiconductor body (1) is also disclosed.

摘要翻译： 一种辐射发射和/或接收半导体部件，包括半导体本体（1），其具有用于辐射生成或辐射接收的主动区域（2），横向主要方向和主要区域，以及 布置在主区域上的保护层（6）和布置在主区域上的触点（5），保护层（6）沿横向方向与接触件间隔开。 还公开了一种用于向半导体本体（1）施加触点的方法。

公开(公告)号：US20080179380A1

公开(公告)日：2008-07-31

申请号：US11567977

申请日：2006-12-07

申请人： Johannes Baur ,  Dominik Eisert ,  Michael Fehrer ,  Berthold Hahn ,  Volker Harle ,  Marianne Ortmann ,  Uwe Strauss ,  Johannes Volkl ,  Ulrich Zehnder

发明人： Johannes Baur ,  Dominik Eisert ,  Michael Fehrer ,  Berthold Hahn ,  Volker Harle ,  Marianne Ortmann ,  Uwe Strauss ,  Johannes Volkl ,  Ulrich Zehnder

IPC分类号： A47J36/02

CPC分类号： H01L33/20 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/02 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/10155 ,  H01L2924/00014

摘要： A radiation-emitting semiconductor component has an improved radiation efficiency. The semiconductor component has a multilayer structure with an active layer for generating radiation within the multilayer structure and also a window having a first and a second main surface. The multi-layer structure adjoins the first main surface of the window. At least one recess, such as a trench or a pit, is formed in the window from the second main surface for the purpose of increasing the radiation efficiency. The recess preferably has a trapezoidal cross section tapering toward the first main surface and can be produced for example by sawing into the window.

摘要翻译： 辐射发射半导体组件具有改进的辐射效率。 半导体部件具有多层结构，其具有用于在多层结构内产生辐射的有源层，以及具有第一和第二主表面的窗口。 多层结构邻接窗口的第一主表面。 为了提高辐射效率，至少一个凹槽（例如沟槽或凹坑）从第二主表面形成在窗口中。 凹部优选地具有朝向第一主表面渐缩的梯形横截面，并且可以例如通过锯入窗口来制造。

公开(公告)号：US20080049801A1

公开(公告)日：2008-02-28

申请号：US11824877

申请日：2007-07-02

申请人： Christoph Eichler ,  Volker Harle ,  Christian Rumbolz ,  Uwe Strauss

发明人： Christoph Eichler ,  Volker Harle ,  Christian Rumbolz ,  Uwe Strauss

IPC分类号： H01S5/00

CPC分类号： H01S5/0217 ,  H01S5/0216 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/2232 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/32341 ,  H01S2301/173

摘要： What is specified is an edge emitting semiconductor laser chip comprising a carrier substrate (1), an interlayer (2) promoting adhesion between the carrier substrate (1) and a component structure (50) of the edge emitting semiconductor laser chip, and the component structure (50) comprising an active zone (5) provided for generating radiation.

摘要翻译： 指定的是边缘发射半导体激光器芯片，其包括载体衬底（1），促进载体衬底（1）和边缘发射半导体激光器芯片的部件结构（50）之间的粘合的中间层（2） 结构（50）包括用于产生辐射的活动区（5）。

公开(公告)号：US07227191B2

公开(公告)日：2007-06-05

申请号：US11120514

申请日：2005-05-02

申请人： Franz Eberhard ,  Uwe Strauss ,  Ulrich Zehnder ,  Andreas Weimar ,  Raimund Oberschmid

发明人： Franz Eberhard ,  Uwe Strauss ,  Ulrich Zehnder ,  Andreas Weimar ,  Raimund Oberschmid

IPC分类号： H01L27/15 ,  H01L27/148 ,  H01L27/14 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L33/40 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  Y10S438/947

摘要： An optoelectronic component having a semiconductor chip containing a semiconductor layer sequence (6) with a radiation-emitting active zone (4), the semiconductor layer sequence (6) having sidewalls (10). A connection contact (9) is provided for impressing current into the active zone. A first current expansion layer (7) adjoins a semiconductor layer (5) of the semiconductor layer sequence (6) and a second current expansion layer (8) is provided between the semiconductor layer sequence (6) and the connection contact (9). The first current expansion layer (7) has a larger sheet resistance than the second current expansion layer (8) and forms an ohmic contact with the adjoining semiconductor layer (5). The second current expansion layer (8) is applied to a partial region of the first current expansion layer (7) which is at a distance from the sidewalls (10).

摘要翻译： 一种具有半导体芯片的光电子部件，该半导体芯片包含具有辐射发射有源区（4）的半导体层序列（6），该半导体层序列（6）具有侧壁（10）。 提供连接触点（9），用于将电流施加到活动区域中。 第一电流膨胀层（7）邻接半导体层序列（6）的半导体层（5），并且在半导体层序列（6）和连接触头（9）之间设置第二电流扩展层（8）。 第一电流膨胀层（7）具有比第二电流膨胀层（8）更大的薄层电阻，并与邻接的半导体层（5）形成欧姆接触。 第二电流膨胀层（8）被施加到距离侧壁（10）一定距离的第一电流膨胀层（7）的部分区域。

公开(公告)号：US20060289854A1

公开(公告)日：2006-12-28

申请号：US11463633

申请日：2006-08-10

申请人： Volker Harle ,  Berthold Hahn ,  Hans-Jurgen Lugauer ,  Helmut Bolay ,  Stefan Bader ,  Dominik Eisert ,  Uwe Strauss ,  Johannes Volkl ,  Ulrich Zehnder ,  Alfred Lell ,  Andreas Weimer

发明人： Volker Harle ,  Berthold Hahn ,  Hans-Jurgen Lugauer ,  Helmut Bolay ,  Stefan Bader ,  Dominik Eisert ,  Uwe Strauss ,  Johannes Volkl ,  Ulrich Zehnder ,  Alfred Lell ,  Andreas Weimer

IPC分类号： H01L31/00

CPC分类号： H01L33/32 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/06 ,  H01S5/3407 ,  H01S5/3408 ,  H01S5/34333

摘要： An optical semiconductor device with a multiple quantum well structure, in which well layers and barrier layers comprising various types of semiconductor layers are alternately layered, in which device well layers (6a) of a first composition based on a nitride semiconductor material with a first electron energy and barrier layers (6b) of a second composition of a nitride semiconductor material with electron energy which is higher in comparison with the first electron energy are provided, followed, seen in the direction of growth, by a radiation-active quantum well layer (6c), for which the essentially non-radiating well layers (6a) and the barrier layers (6b) arranged in front form a superlattice.

摘要翻译： 具有多量子阱结构的光半导体器件，其中包括各种类型的半导体层的阱层和阻挡层交替层叠，其中基于氮化物半导体材料的第一组合物的器件阱层（6a）具有第一 提供具有与第一电子能量相比较高的电子能量的氮化物半导体材料的第二组合物的电子能量和阻挡层（6b），然后在生长方向上通过辐射活性量子阱 层（6c），其中布置在前面的基本上不辐射的阱层（6a）和阻挡层（6b）形成超晶格。