公开(公告)号：US08466552B2

公开(公告)日：2013-06-18

申请号：US13165689

申请日：2011-06-21

申请人： Masanori Onodera ,  Kouichi Meguro

发明人： Masanori Onodera ,  Kouichi Meguro

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L21/563 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/12 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/94 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73207 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1052 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/1532 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： A manufacturing method of a semiconductor device includes: forming a columnar electrode on a semiconductor wafer; flip-chip bonding a second semiconductor chip onto the semiconductor wafer; forming a molding portion on the semiconductor wafer, the molding portion covering and molding the columnar electrode and the second semiconductor chip; grinding or polishing the molding portion and the second semiconductor chip so that an upper face of the columnar electrode and an upper face of the semiconductor chip are exposed; and cutting the molding portion and the semiconductor wafer so that a first semiconductor chip, where the second semiconductor chip is flip-chip bonded and the columnar electrode is formed, is formed.

摘要翻译： 半导体器件的制造方法包括：在半导体晶片上形成柱状电极; 将第二半导体芯片倒装成半导体晶片; 在所述半导体晶片上形成模制部分，所述模制部分覆盖并模制所述柱状电极和所述第二半导体芯片; 研磨或抛光模制部分和第二半导体芯片，使得柱状电极的上表面和半导体芯片的上表面露出; 并且切割成型部和半导体晶片，从而形成第二半导体芯片倒装芯片接合的第一半导体芯片和柱状电极。

公开(公告)号：US07884630B2

公开(公告)日：2011-02-08

申请号：US11886139

申请日：2005-03-11

申请人： Eichi Osato ,  Junichi Kasai ,  Kouichi Meguro ,  Masanori Onodera

发明人： Eichi Osato ,  Junichi Kasai ,  Kouichi Meguro ,  Masanori Onodera

IPC分类号： G01R31/02

CPC分类号： G01R1/0483 ,  G01R1/0466

摘要： An IC device (10) held on an IC carrier (24) is a double-sided electrode type BGA IC device (10) provided with bump electrodes (14) on a first surface of a package. The IC device has, on a second surface opposite the first surface, (a) a central protrusion (30), (b) a peripheral portion (32) lower than the protrusion by one step, and (c) upper electrodes (18) formed on the peripheral portion of the IC device. The IC carrier is provided with a frame (36), a cover (40), and a holding means (42). The frame forms a device reception space (38) for receiving the IC device. The cover can cover the upper electrodes while in contact with the periphery of the IC device held on the IC carrier. The holding means can hold the IC device on the IC carrier with the cover covering the upper electrodes of the IC device. The IC device can be set in an IC socket while being mounted on the IC carrier.

摘要翻译： 保持在IC载体（24）上的IC器件（10）是在封装的第一表面上设置有凸块电极（14）的双面电极型BGA IC器件（10）。 IC器件在与第一表面相对的第二表面上具有（a）中心突起（30），（b）比突起低一级的周边部分（32），（c）上电极（18） 形成在IC器件的周边部分上。 IC载体设有框架（36），盖（40）和保持装置（42）。 该帧形成用于接收IC设备的设备接收空间（38）。 盖可以覆盖上电极，同时与保持在IC载体上的IC器件的周边接触。 保持装置可以将IC器件保持在IC载体上，盖子覆盖IC器件的上部电极。 该IC器件可以安装在IC载体上而设置在IC插座中。

公开(公告)号：US20090121361A1

公开(公告)日：2009-05-14

申请号：US12165331

申请日：2008-06-30

申请人： Naomi Masuda ,  Kouichi Meguro

发明人： Naomi Masuda ,  Kouichi Meguro

IPC分类号： H01L23/12 ,  H01L21/50

CPC分类号： H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3107 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48475 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/85051 ,  H01L2224/85951 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/18165 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/05599

摘要： A semiconductor device has a first semiconductor chip 10 molded with a resin 12, a first metal 14 provided in the resin 12 in a circumference of the first semiconductor chip 10, and being exposed on a lower surface of the resin 12, a second metal 16 provided in the resin 12 over the first metal 14, and being exposed on an upper surface of the resin 12, and a first wire 18 coupling the first semiconductor chip 10 to the first metal 14 and the second metal 16. The first wire 18 is coupled to the first metal 14 and the second metal 16 so as to be sandwiched therebetween.

摘要翻译： 半导体器件具有由树脂12成型的第一半导体芯片10，在第一半导体芯片10的周围设置在树脂12中的第一金属14，露出在树脂12的下表面上，第二金属16 设置在第一金属14上的树脂12中并暴露在树脂12的上表面上，以及将第一半导体芯片10连接到第一金属14和第二金属16的第一布线18。 耦合到第一金属14和第二金属16以便夹在其间。

公开(公告)号：US20060220208A1

公开(公告)日：2006-10-05

申请号：US11394986

申请日：2006-03-30

申请人： Masanori Onodera ,  Kouichi Meguro ,  Junichi Kasai

发明人： Masanori Onodera ,  Kouichi Meguro ,  Junichi Kasai

IPC分类号： H01L23/02

CPC分类号： H01L23/3135 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/03 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48471 ,  H01L2224/48479 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1052 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/4554

摘要： A semiconductor device of a stacked type includes a semiconductor chip (1) that is mounted on a substrate (4), a first sealing resin (12) that seals the semiconductor chip (1), a built-in semiconductor device (9) that is placed on the first sealing resin (12), and a second sealing resin (13) that is formed on the substrate (4) and seals the semiconductor chip (1) and the built-in semiconductor device (9). In this semiconductor device, the semiconductor chip (1) and the built-in semiconductor device (9) are electrically connected to the substrate by bonding wires (3).

摘要翻译： 叠层型半导体器件包括安装在基板（4）上的半导体芯片（1），密封半导体芯片（1）的第一密封树脂（12），内置的半导体器件（9） 放置在第一密封树脂（12）和形成在基板（4）上并密封半导体芯片（1）和内置半导体器件（9）的第二密封树脂（13）。 在该半导体器件中，半导体芯片（1）和内置半导体器件（9）通过接合线（3）与基板电连接。