公开(公告)号：US20090302281A1

公开(公告)日：2009-12-10

申请号：US12478513

申请日：2009-06-04

申请人： Peter L. Kellerman ,  Frank Sinclair ,  Frederick Carlson ,  Nicholas P.T. Bateman ,  Robert J. Mitchell

发明人： Peter L. Kellerman ,  Frank Sinclair ,  Frederick Carlson ,  Nicholas P.T. Bateman ,  Robert J. Mitchell

IPC分类号： H01B1/02 ,  C01B33/02 ,  B29C55/02 ,  B29C61/00

CPC分类号： C30B11/003 ,  C30B11/001 ,  C30B28/06 ,  C30B29/06 ,  C30B29/60

摘要： A dislocation-free sheet may be formed from a melt. A sheet of material with a first width is formed on a melt of the material using a cooling plate. This sheet has dislocations. The sheet is transported with respect to the cooling plate and the dislocations migrate to an edge of the sheet. The first width of the sheet is increased to a second width by the cooling plate. The sheet does not have dislocations at the second width. The cooling plate may have a shape with two different widths in one instance. The cooling plate may have segments that operate at different temperatures to increase the width of the sheet in another instance. The sheet may be pulled or flowed with respect to the cooling plate.

摘要翻译： 可以由熔体形成无位错的片材。 使用冷却板在材料的熔体上形成具有第一宽度的材料片。 这张纸有位错。 片材相对于冷却板输送，并且位错迁移到片材的边缘。 片材的第一宽度通过冷却板增加到第二宽度。 片材在第二个宽度上不具有位错。 在一种情况下，冷却板可以具有两种不同宽度的形状。 冷却板可以具有在不同温度下操作的段，以在另一种情况下增加片材的宽度。 片材可以相对于冷却板拉动或流动。

公开(公告)号：US20090166554A1

公开(公告)日：2009-07-02

申请号：US11966312

申请日：2007-12-28

申请人： Svetlana Radovanov ,  Bon Woong Koo ,  Frank Sinclair ,  Victor M. Benveniste

发明人： Svetlana Radovanov ,  Bon Woong Koo ,  Frank Sinclair ,  Victor M. Benveniste

IPC分类号： H01J27/00

CPC分类号： H01J27/08 ,  H01J27/16 ,  H01J37/08 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/061 ,  H01J2237/0817 ,  H01J2237/082

摘要： Techniques for providing a multimode ion source are disclosed. In one particular exemplary embodiment, the techniques may be realized as an apparatus for ion implantation, the apparatus including an ion source having a hot cathode and a high frequency plasma generator, wherein the ion source has multiple modes of operation.

摘要翻译： 公开了提供多模离子源的技术。 在一个特定的示例性实施例中，可以将技术实现为用于离子注入的装置，该装置包括具有热阴极和高频等离子体发生器的离子源，其中离子源具有多种操作模式。

公开(公告)号：US20090121149A1

公开(公告)日：2009-05-14

申请号：US11937849

申请日：2007-11-09

申请人： Svetlana Radovanov ,  Frank Sinclair ,  Peter L. Kellerman ,  Victor M. Benveniste ,  Robert Lindberg

发明人： Svetlana Radovanov ,  Frank Sinclair ,  Peter L. Kellerman ,  Victor M. Benveniste ,  Robert Lindberg

IPC分类号： H01J3/18

CPC分类号： H01J37/1477 ,  H01J37/12 ,  H01J37/1475 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/083 ,  H01J2237/0835 ,  H01J2237/24542 ,  H01J2237/31701

摘要： Techniques for shaping an ion beam are disclosed. In one particular exemplary embodiment, the techniques may be realized as an apparatus for shaping an ion beam. The apparatus may comprise an entrance electrode biased at a first voltage potential, wherein an ion beam enters the entrance electrode, an exit electrode biased at a second voltage potential, wherein the ion beam exits the exit electrode, and a first suppression electrode and a second suppression electrode positioned between the entrance electrode and the exit electrode, wherein the first suppression electrode and the second suppression electrode are independently biased to variably focus the ion beam.

摘要翻译： 公开了用于成形离子束的技术。 在一个特定的示例性实施例中，可以将技术实现为用于成形离子束的装置。 该装置可以包括偏置在第一电压电位的入口电极，其中离子束进入入口电极，偏置在第二电压电位的出射电极，其中离子束离开出射电极，并且第一抑制电极和第二抑制电极 位于所述入射电极和所述出射电极之间的抑制电极，其中所述第一抑制电极和所述第二抑制电极被独立地偏置以可变地聚焦所述离子束。

公开(公告)号：US5814819A

公开(公告)日：1998-09-29

申请号：US891688

申请日：1997-07-11

申请人： Frank Sinclair ,  Victor Benveniste ,  Jiong Chen

发明人： Frank Sinclair ,  Victor Benveniste ,  Jiong Chen

IPC分类号： H01J37/317 ,  C23C14/48 ,  G21K1/14 ,  H01J37/02 ,  H01J27/02

CPC分类号： H01J37/026 ,  H01J2237/31701

摘要： An improved ion beam neutralizer (22) is provided for neutralizing the electrical charge of an ion beam (28) output from an extraction aperture (50). The neutralizer comprises a source of water (52); a vaporizer (54) connected to the source of water; a mass flow controller (56) connected to the vaporizer; and an inlet (60) connected to the mass flow controller. The vaporizer (54) converts water from the source (52) from a liquid state to a vapor state. The mass flow controller (56) receives water vapor from the vaporizer (54) and meters the volume of water vapor output by a mass flow controller outlet (66). The inlet (60) is provided with an injection port (68) located proximate the ion beam extraction aperture (50) and receives the metered volume from the outlet (66). The injection port (68) is positioned near the extraction aperture so that the ion beam and the water vapor interact to neutralize the ion beam. The improved ion beam neutralizer (22) is especially effective in low energy (less than ten kilo-electron volts (10 KeV)) beam applications.

摘要翻译： 提供改进的离子束中和器（22），用于中和从提取孔（50）输出的离子束（28）的电荷。 中和器包括水源（52）; 连接到水源的蒸发器（54）; 连接到蒸发器的质量流量控制器（56） 以及连接到质量流量控制器的入口（60）。 蒸发器（54）将来自源（52）的水从液态转换为蒸汽状态。 质量流量控制器（56）接收来自蒸发器（54）的水蒸汽并且测量由质量流量控制器出口（66）输出的水蒸汽的体积。 入口（60）设置有靠近离子束提取孔（50）定位并从出口（66）接收计量体积的注射口（68）。 注入口（68）位于提取孔附近，使得离子束和水蒸气相互作用以中和离子束。 改进的离子束中和器（22）在低能量（小于十千伏电压（10KeV）））的应用中特别有效。

公开(公告)号：US08709533B2

公开(公告)日：2014-04-29

申请号：US13228426

申请日：2011-09-08

申请人： Frank Sinclair ,  Julian G. Blake

发明人： Frank Sinclair ,  Julian G. Blake

IPC分类号： G11B5/708

CPC分类号： G11B5/855

摘要： A technique for manufacturing hit pattern media is disclosed. In one particular exemplary embodiment, the technique may be realized as a method for manufacturing bit pattern media. The method may comprise forming an intermediate layer comprising a modified region and a first region adjacent to one another, where the modified region and the first region may have at least one different property; depositing magnetic species on the first region of the intermediate layer to form an active region; and depositing non-ferromagnetic species on the modified region of the intermediate layer to form a separator.

摘要翻译： 公开了一种制造命中图形介质的技术。 在一个特定的示例性实施例中，该技术可以被实现为用于制造钻头图案介质的方法。 该方法可以包括形成包括相邻的修饰区域和第一区域的中间层，其中改质区域和第一区域可具有至少一个不同的性质; 在所述中间层的第一区域上沉积磁性物质以形成活性区域; 并将非铁磁物质沉积在中间层的改性区上以形成隔膜。

公开(公告)号：US08679356B2

公开(公告)日：2014-03-25

申请号：US13111657

申请日：2011-05-19

申请人： Alexander C. Kontos ,  Frank Sinclair ,  Anthony Renau

发明人： Alexander C. Kontos ,  Frank Sinclair ,  Anthony Renau

IPC分类号： B44C1/22

CPC分类号： G11B5/855

摘要： A method of patterning a substrate, comprises patterning a photoresist layer disposed on the substrate using imprint lithography and etching exposed portions of a hard mask layer disposed between the patterned photoresist layer and the substrate. The method may also comprise implanting ions into a magnetic layer in the substrate while the etched hard mask layer is disposed thereon.

摘要翻译： 图案化衬底的方法包括使用压印光刻图案化设置在衬底上的光致抗蚀剂层，并蚀刻设置在图案化的光致抗蚀剂层和衬底之间的硬掩模层的暴露部分。 该方法还可以包括将离子注入到衬底中的磁性层中，同时将蚀刻的硬掩模层设置在其上。

公开(公告)号：US08604443B2

公开(公告)日：2013-12-10

申请号：US12944537

申请日：2010-11-11

申请人： Frank Sinclair ,  Victor M. Benveniste ,  Svetlana Radovanov ,  James S. Buff

发明人： Frank Sinclair ,  Victor M. Benveniste ,  Svetlana Radovanov ,  James S. Buff

IPC分类号： H01J1/50

CPC分类号： H01J37/3171 ,  H01J37/153 ,  H01J2237/1532

摘要： A system for manipulating an ion beam having a principal axis includes an upper member having a first and a second coil generally disposed in different regions of the upper member and configured to conduct, independently of each other, a first and a second current, respectively. A lower member includes a third and a fourth coil that are generally disposed opposite to respective first and second coils and are configured to conduct, independently of each other, a third and a fourth current, respectively. A lens gap is defined between the upper and lower members, and configured to transmit the ion beam, wherein the first through fourth currents produce a 45 degree quadrupole field that exerts a rotational force on the ion beam about its principal axis.

摘要翻译： 用于操纵具有主轴的离子束的系统包括具有通常设置在上部构件的不同区域中的第一和第二线圈的上部构件，并且被配置为分别彼此独立地导通第一和第二电流。 下部构件包括通常与相应的第一和第二线圈相对设置的第三和第四线圈，并且被配置为分别彼此导通第三和第四电流。 在上部和下部构件之间限定透镜间隙，并且构造成透射离子束，其中第一至第四电流产生45度的四极场，其在离子束的主轴上施加旋转力。

公开(公告)号：US08475591B2

公开(公告)日：2013-07-02

申请号：US12539125

申请日：2009-08-11

申请人： Peter L. Kellerman ,  Fredrick Carlson ,  Frank Sinclair

发明人： Peter L. Kellerman ,  Fredrick Carlson ,  Frank Sinclair

IPC分类号： C30B15/20

CPC分类号： C30B29/06 ,  C30B11/001 ,  C30B11/003 ,  C30B28/06 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  C30B29/52 ,  C30B29/64 ,  H01L31/182 ,  Y02E10/546 ,  Y02P70/521 ,  Y10T117/1024

摘要： A method and apparatus for forming a sheet are disclosed. A melt is cooled and a sheet is formed on the melt. This sheet has a first thickness. The sheet is then thinned from the first thickness to a second thickness using, for example, a heater or the melt. The cooling may be configured to allow solutes to be trapped in a region of the sheet and this particular sheet may be thinned and the solutes removed. The melt may be, for example, silicon, silicon and germanium, gallium, or gallium nitride.

摘要翻译： 公开了一种用于形成片材的方法和装置。 将熔体冷却并在熔体上形成片材。 该片材具有第一厚度。 然后使用例如加热器或熔体将片材从第一厚度变薄至第二厚度。 冷却可以被配置为允许溶质被捕获在片材的区域中，并且该特定片材可以变薄并且去除溶质。 熔体可以是例如硅，硅和锗，镓或氮化镓。

公开(公告)号：US08357912B2

公开(公告)日：2013-01-22

申请号：US12708216

申请日：2010-02-18

申请人： Svetlana Radovanov ,  Bon-Woong Koo ,  Frank Sinclair ,  Victor Benveniste

发明人： Svetlana Radovanov ,  Bon-Woong Koo ,  Frank Sinclair ,  Victor Benveniste

IPC分类号： H01J37/08

CPC分类号： H01J27/08 ,  H01J27/16 ,  H01J37/08 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/061 ,  H01J2237/0817 ,  H01J2237/082

摘要： Techniques for providing a multimode ion source are disclosed. In one particular exemplary embodiment, the techniques may be realized as an apparatus for ion implantation, the apparatus including an ion source having a hot cathode and a high frequency plasma generator, wherein the ion source has multiple modes of operation.

摘要翻译： 公开了提供多模离子源的技术。 在一个特定的示例性实施例中，可以将技术实现为用于离子注入的装置，该装置包括具有热阴极和高频等离子体发生器的离子源，其中离子源具有多种操作模式。

公开(公告)号：US08309935B2

公开(公告)日：2012-11-13

申请号：US12418053

申请日：2009-04-03

申请人： Frank Sinclair ,  Svetlana B. Radovanov ,  Kenneth H. Purser

发明人： Frank Sinclair ,  Svetlana B. Radovanov ,  Kenneth H. Purser

IPC分类号： H01J3/14

CPC分类号： H01J37/3171 ,  H01J37/04 ,  H01J2237/036 ,  H01J2237/15

摘要： An ion implantation system includes an electrostatic lens. The electrostatic lens includes a terminal electrode, a ground electrode and a suppression electrode disposed therebetween. An ion beam enters the electrostatic lens through the terminal electrode and exits through the ground electrode. The electrodes have associated electrostatic equipotentials. An end plate is disposed between a top and bottom portion of the suppression electrode and/or the top and bottom portion of the ground electrode. The respective end plate has a shape which corresponds to the electrostatic equipotential associated with the particular electrode in order to maintain uniformity of the beam as it passes through the electrostatic lens.

摘要翻译： 离子注入系统包括静电透镜。 静电透镜包括端子电极，接地电极和设置在它们之间的抑制电极。 离子束通过端子电极进入静电透镜并通过接地电极离开。 电极具有相关的静电等电位。 端板设置在抑制电极的顶部和底部之间和/或接地电极的顶部和底部之间。 相应的端板具有对应于与特定电极相关联的静电等电位的形状，以便在光束通过静电透镜时保持光束的均匀性。