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    Deposition processes for tungsten-containing barrier layers
    72.
    发明授权
    Deposition processes for tungsten-containing barrier layers 有权
    含钨阻挡层的沉积工艺

    公开(公告)号：US07507660B2

    公开(公告)日：2009-03-24

    申请号：US11844125

    申请日：2007-08-23

    申请人： Ling Chen ,  Mei Chang

    发明人： Ling Chen ,  Mei Chang

    IPC分类号： H01L21/44

    CPC分类号： H01L21/76849 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45525 ,  H01L21/28562 ,  Y10T29/49124 ,  Y10T29/49126 ,  Y10T29/49155

    摘要： In one embodiment, a method for forming a barrier material on a substrate is provided which includes exposing a dielectric layer on the substrate to a plasma during a preclean process, wherein the dielectric layer contains a feature having sidewalls and a bottom surface, and depositing a tungsten-containing barrier material containing tungsten nitride on the sidewalls and the bottom surface of the feature during a cyclic layer deposition process. The method further provides depositing a metal-containing seed layer on the tungsten-containing barrier material and depositing a metal-containing layer over the metal-containing seed layer to fill the feature. In another embodiment, the method provides conducting the cyclic layer deposition process within a process chamber having an expanding channel centralized above a substrate support and having a bottom surface sized and shaped to substantially cover the substrate, and sequentially exposing the substrate to precursor gases flowing from the expanding channel during the cyclic layer deposition process.

    摘要翻译： 在一个实施例中，提供了一种在衬底上形成阻挡材料的方法，其包括在预清洗工艺期间将衬底上的电介质层暴露于等离子体，其中介电层包含具有侧壁和底表面的特征， 在循环层沉积工艺期间在该特征的侧壁和底表面上含有氮化钨的含钨阻挡材料。 该方法进一步提供在含钨屏障材料上沉积含金属种子层并在含金属种子层上沉积含金属层以填充该特征。 在另一个实施例中，该方法提供了在处理室内进行循环层沉积工艺，其具有集中在衬底支撑件上方的扩展通道，并具有大小和形状以基本上覆盖衬底的底表面，并且将衬底依次暴露于从 在循环层沉积过程中的扩展通道。

    Noble metal layer formation for copper film deposition
    73.
    发明申请
    Noble metal layer formation for copper film deposition 失效
    贵金属层形成铜膜沉积

    公开(公告)号：US20050220998A1

    公开(公告)日：2005-10-06

    申请号：US10443648

    申请日：2003-05-22

    申请人： Mei Chang ,  Ling Chen

    发明人： Mei Chang ,  Ling Chen

    IPC分类号： C23C16/18 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  H01L21/285 ,  H01L21/768 ,  C23C16/00

    CPC分类号： C23C16/18 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76874

    摘要： A method of noble metal layer formation for high aspect ratio interconnect features is described. The noble metal layer is formed using a cyclical deposition process. The cyclical deposition process comprises alternately adsorbing a noble metal-containing precursor and a reducing gas on a substrate structure. The adsorbed noble metal-containing precursor reacts with the adsorbed reducing gas to form the noble metal layer on the substrate. Suitable noble metals may include, for example, palladium (Pd), platinum (Pt) cobalt (Co), nickel (Ni) and rhodium (Rh).

    摘要翻译： 描述了用于高纵横比互连特征的贵金属层形成方法。 使用循环沉积工艺形成贵金属层。 循环沉积方法包括在基底结构上交替地吸附含贵金属的前体和还原气体。 吸附的含贵金属前体与吸附的还原气体反应，以在衬底上形成贵金属层。 合适的贵金属可以包括例如钯（Pd），铂（Pt）钴（Co），镍（Ni）和铑（Rh）。

    Enhancement of copper line reliability using thin ALD tan film to cap the copper line
    74.
    发明授权
    Enhancement of copper line reliability using thin ALD tan film to cap the copper line 失效
    铜线可靠性的提高使用薄型ALD薄膜来覆盖铜线

    公开(公告)号：US07262133B2

    公开(公告)日：2007-08-28

    申请号：US10741824

    申请日：2003-12-19

    申请人： Ling Chen ,  Mei Chang

    发明人： Ling Chen ,  Mei Chang

    IPC分类号： H01L21/44

    CPC分类号： H01L21/76849 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45525 ,  H01L21/28562 ,  Y10T29/49124 ,  Y10T29/49126 ,  Y10T29/49155

    摘要： A method for depositing a cap layer over a metal-containing interconnect is provided. In one aspect, the cap layer is formed by introducing a pulse of a metal-containing compound followed by a pulse of a nitrogen-containing compound. In one aspect, the cap layer comprises tantalum nitride. The cap layer provides good barrier and adhesive properties, thereby enhancing the electrical performance and reliability of the interconnect.

    摘要翻译： 提供了一种用于在含金属互连上沉积覆盖层的方法。 在一个方面，通过引入含金属化合物的脉冲，接着是含氮化合物的脉冲来形成盖层。 在一个方面，盖层包括氮化钽。 盖层提供良好的阻隔性和粘合性，从而增强互连的电性能和可靠性。

    Cyclical deposition of refractory metal silicon nitride
    78.
    发明授权
    Cyclical deposition of refractory metal silicon nitride 有权
    难熔金属氮化硅的循环沉积

    公开(公告)号：US07892602B2

    公开(公告)日：2011-02-22

    申请号：US11422826

    申请日：2006-06-07

    申请人： Hua Chung ,  Ling Chen ,  Barry L. Chin

    发明人： Hua Chung ,  Ling Chen ,  Barry L. Chin

    IPC分类号： C23C16/34

    CPC分类号： C23C16/45531 ,  C23C16/34 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843

    摘要： Methods for depositing a metal silicon nitride layer on a substrate during an atomic layer deposition (ALD) process. The methods provide positioning a substrate within a process chamber containing a centralized expanding channel that conically tapers towards and substantially covers the substrate, flowing a process gas into the centralized expanding channel to form a circular flow pattern, exposing the substrate to the process gas having the circular flow pattern, and exposing the substrate sequentially to chemical precursors during an ALD process to form a metal silicon nitride material. In one example, the ALD process provides sequentially pulsing a metal precursor, a nitrogen precursor, and a silicon precursor into the process gas having the circular flow pattern. The metal silicon nitride material may contain tantalum or titanium. In other examples, the process gas or the substrate may be exposed to a plasma.

    摘要翻译： 在原子层沉积（ALD）工艺中在衬底上沉积金属氮化硅层的方法。 该方法提供了将处理室中的衬底定位在处理室内，该处理室包含集中的扩展通道，该通道朝向并基本上覆盖衬底呈锥形锥形，将工艺气体流入集中扩展通道以形成圆形流动图案，将衬底暴露于具有 圆形流动图案，并且在ALD工艺期间将衬底依次暴露于化学前体以形成金属氮化硅材料。 在一个实例中，ALD工艺顺序地将金属前体，氮前体和硅前体顺序地引入到具有圆形流动图案的工艺气体中。 金属氮化硅材料可以包含钽或钛。 在其它实例中，工艺气体或衬底可以暴露于等离子体。

    SEQUENTIAL DEPOSITION OF TANTALUM NITRIDE USING A TANTALUM-CONTAINING PRECURSOR AND A NITROGEN-CONTAINING PRECURSOR
    79.
    发明申请
    SEQUENTIAL DEPOSITION OF TANTALUM NITRIDE USING A TANTALUM-CONTAINING PRECURSOR AND A NITROGEN-CONTAINING PRECURSOR 有权
    使用含TANTALUM的前驱体和含氮的前驱体的氮化钛的顺序沉积

    公开(公告)号：US20090197406A1

    公开(公告)日：2009-08-06

    申请号：US12417439

    申请日：2009-04-02

    申请人： Wei Cao ,  Hua Chung ,  Vincent Ku ,  Ling Chen

    发明人： Wei Cao ,  Hua Chung ,  Vincent Ku ,  Ling Chen

    IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/3205

    CPC分类号： C23C16/4408 ,  C23C16/045 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45557 ,  H01L21/28562

    摘要： Embodiments of the invention provide a method for forming tantalum nitride materials on a substrate by employing an atomic layer deposition (ALD) process. The method includes heating a tantalum precursor within an ampoule to a predetermined temperature to form a tantalum precursor gas and sequentially exposing a substrate to the tantalum precursor gas and a nitrogen precursor to form a tantalum nitride material. Thereafter, a nucleation layer and a bulk layer may be deposited on the substrate. In one example, a radical nitrogen compound may be formed from the nitrogen precursor during a plasma-enhanced ALD process. A nitrogen precursor may include nitrogen or ammonia. In another example, a metal-organic tantalum precursor may be used during the deposition process.

    摘要翻译： 本发明的实施例提供了一种通过采用原子层沉积（ALD）工艺在衬底上形成氮化钽材料的方法。 该方法包括将安瓿内的钽前体加热至预定温度以形成钽前体气体，并将基底依次暴露于钽前体气体和氮气前体以形成氮化钽材料。 此后，可以在基板上沉积成核层和体层。 在一个实例中，在等离子体增强的ALD工艺期间可以由氮前体形成自由基氮化合物。 氮前体可以包括氮或氨。 在另一个实例中，在沉积过程中可以使用金属 - 有机钽前体。