公开(公告)号：US09401355B2

公开(公告)日：2016-07-26

申请号：US13328371

申请日：2011-12-16

申请人： Joachim Weyers ,  Anton Mauder ,  Franz Hirler ,  Andreas Meiser ,  Ulrich Glaser

发明人： Joachim Weyers ,  Anton Mauder ,  Franz Hirler ,  Andreas Meiser ,  Ulrich Glaser

IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L29/02 ,  H01L23/62 ,  H01L27/06 ,  H01L29/861 ,  H01L27/08 ,  H01L27/02

CPC分类号： H01L27/0255 ,  H01L27/06 ,  H01L27/0814 ,  H01L29/407 ,  H01L29/861 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/8725

摘要： One embodiment of an integrated circuit includes a semiconductor body. In the semiconductor body a first trench region extends into the semiconductor body from a first surface. The integrated circuit further includes a diode including an anode region and a cathode region. One of the anode region and the cathode region is at least partly arranged in the first trench region. The other one of the anode region and the cathode region includes a first semiconductor region adjoining the one of the anode region and the cathode region from outside of the first trench region.

摘要翻译： 集成电路的一个实施例包括半导体本体。 在半导体本体中，第一沟槽区域从第一表面延伸到半导体本体中。 集成电路还包括包括阳极区域和阴极区域的二极管。 阳极区域和阴极区域中的一个至少部分地布置在第一沟槽区域中。 阳极区域和阴极区域中的另一个包括从第一沟槽区域的外部邻接阳极区域和阴极区域中的一个的第一半导体区域。

公开(公告)号：US09396997B2

公开(公告)日：2016-07-19

申请号：US13288271

申请日：2011-11-03

申请人： Franz Hirler ,  Anton Mauder ,  Hermann Gruber ,  Hubert Rothleitner ,  Andreas Peter Meiser

发明人： Franz Hirler ,  Anton Mauder ,  Hermann Gruber ,  Hubert Rothleitner ,  Andreas Peter Meiser

IPC分类号： H01L21/76 ,  H01L21/768 ,  H01L23/48 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L21/762 ,  H01L21/8234 ,  H01L23/00 ,  H01L27/088 ,  H01L29/40 ,  H01L29/417 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66

CPC分类号： H01L29/407 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/823481 ,  H01L23/481 ,  H01L24/16 ,  H01L27/088 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/401 ,  H01L29/402 ,  H01L29/408 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7803 ,  H01L29/7804 ,  H01L29/7808 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/12035 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00

摘要： A method for producing a semiconductor component is provided. The method includes providing a semiconductor body with a first surface and a second surface opposite to the first surface, etching an insulation trench from the first surface partially into the semiconductor body, forming a first insulation layer on one or more sidewalls of the insulation trench, processing the second surface by at least one of grinding, polishing and a CMP-process to expose the first insulation layer, and depositing on the processed second surface a second insulation layer which extends to the first insulation layer.

摘要翻译： 提供一种半导体元件的制造方法。 该方法包括：提供具有与第一表面相对的第一表面和第二表面的半导体本体，将绝缘沟槽从第一表面部分地蚀刻到半导体本体中，在绝缘沟槽的一个或多个侧壁上形成第一绝缘层， 通过研磨，抛光和CMP工艺中的至少一个来处理第二表面以暴露第一绝缘层，以及在经处理的第二表面上沉积延伸到第一绝缘层的第二绝缘层。

公开(公告)号：US20140027879A1

公开(公告)日：2014-01-30

申请号：US13560626

申请日：2012-07-27

申请人： Joachim Weyers ,  Kevni Bueyuektas ,  Franz Hirler ,  Anton Mauder

发明人： Joachim Weyers ,  Kevni Bueyuektas ,  Franz Hirler ,  Anton Mauder

IPC分类号： H01L49/02

CPC分类号： H01L28/10 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： One aspect of the invention relates to a semiconductor component with a semiconductor body with a top side and with a bottom side. A first coil that is monolithically integrated with the semiconductor body is arranged distant from the bottom side and comprises N first windings, wherein N≧1. The first coil has a first coil axis that extends in a direction different from a surface normal of the bottom side.

摘要翻译： 本发明的一个方面涉及具有顶侧和底侧的半导体本体的半导体部件。 与半导体本体一体地集成的第一线圈被布置成远离底侧并且包括N个第一绕组，其中N> = 1。 第一线圈具有沿与底侧的表面法线不同的方向延伸的第一线圈轴线。

公开(公告)号：US20130248993A1

公开(公告)日：2013-09-26

申请号：US13429525

申请日：2012-03-26

申请人： Stefan Sedlmaier ,  Markus Zundel ,  Franz Hirler ,  Johannes Baumgartl ,  Anton Mauder ,  Ralf Siemieniec ,  Oliver Blank ,  Michael Hutzler

发明人： Stefan Sedlmaier ,  Markus Zundel ,  Franz Hirler ,  Johannes Baumgartl ,  Anton Mauder ,  Ralf Siemieniec ,  Oliver Blank ,  Michael Hutzler

IPC分类号： H01L27/088 ,  H01L21/283 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/407 ,  H01L21/765 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/401 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/515 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7804 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7843

摘要： A field-effect semiconductor device is provided. The field-effect semiconductor device includes a semiconductor body with a first surface defining a vertical direction. In a vertical cross-section the field-effect semiconductor device further includes a vertical trench extending from the first surface into the semiconductor body. The vertical trench includes a field electrode, a cavity at least partly surrounded by the field electrode, and an insulation structure substantially surrounding at least the field electrode. Further, a method for producing a field-effect semiconductor device is provided.

摘要翻译： 提供场效应半导体器件。 场效应半导体器件包括具有限定垂直方向的第一表面的半导体本体。 在垂直截面中，场效应半导体器件还包括从第一表面延伸到半导体本体中的垂直沟槽。 垂直沟槽包括场电极，至少部分地被场电极包围的空腔以及至少基本上围绕场电极的绝缘结构。 此外，提供了一种用于制造场效应半导体器件的方法。

公开(公告)号：US08530300B2

公开(公告)日：2013-09-10

申请号：US12842488

申请日：2010-07-23

申请人： Joachim Weyers ,  Armin Willmeroth ,  Anton Mauder ,  Franz Hirler

发明人： Joachim Weyers ,  Armin Willmeroth ,  Anton Mauder ,  Franz Hirler

IPC分类号： H01L21/8238

CPC分类号： H01L29/7802 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/8613 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Disclosed is a method of forming a semiconductor device with drift regions of a first doping type and compensation regions of a second doping type, and a semiconductor device with drift regions of a first doping type and compensation regions of a second doping type.

摘要翻译： 公开了一种形成具有第一掺杂类型的漂移区和第二掺杂型的补偿区的半导体器件的方法，以及具有第一掺杂类型的漂移区和第二掺杂类型的补偿区的半导体器件。

公开(公告)号：US20130221427A1

公开(公告)日：2013-08-29

申请号：US13404161

申请日：2012-02-24

申请人： Ralf Siemieniec ,  Oliver Blank ,  Anton Mauder ,  Franz Hirler

发明人： Ralf Siemieniec ,  Oliver Blank ,  Anton Mauder ,  Franz Hirler

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/04

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7811

摘要： A semiconductor device includes a first contact in low Ohmic contact with a source region of the device and a first portion of a body region of the device formed in an active area of the device, and a second contact in low Ohmic contact with a second portion of the body region formed in a peripheral area of the device. The minimum width of the second contact at a first surface of the device is larger than the minimum width of the first contact at the first surface so that maximum current density during commutating the semiconductor device is reduced and thus the risk of device damage during hard commutating is also reduced.

摘要翻译： 半导体器件包括与器件的源极区域的低欧姆接触的第一接触和形成在器件的有源区域中的器件的体区的第一部分，以及与第二部分的低欧姆接触的第二接触 形成在装置的周边区域中的身体区域。 器件第一表面处的第二触点的最小宽度大于第一表面处的第一接触的最小宽度，使得在半导体器件的整流期间的最大电流密度降低，并且因此在硬整流期间器件损坏的风险 也减少了。

公开(公告)号：US20130005099A1

公开(公告)日：2013-01-03

申请号：US13537374

申请日：2012-06-29

申请人： Hans Weber ,  Franz Hirler ,  Andreas Meiser ,  Anton Mauder ,  Kurt Sorschag ,  Stefan Gamerith ,  Roman Knoefler

发明人： Hans Weber ,  Franz Hirler ,  Andreas Meiser ,  Anton Mauder ,  Kurt Sorschag ,  Stefan Gamerith ,  Roman Knoefler

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L29/7802 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/823487 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/407 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7828

摘要： A semiconductor device with a dielectric layer is produced by providing a semiconductor body with a first trench extending into the semiconductor body, the first trench having a bottom and a sidewall. A first dielectric layer is formed on the sidewall in a lower portion of the first trench and a first plug is formed in the lower portion of the first trench so as to cover the first dielectric layer. The first plug leaves an upper portion of the sidewall uncovered. A sacrificial layer is formed on the sidewall in the upper portion of the first trench and a second plug is formed in the upper portion of the first trench. The sacrificial layer is removed so as to form a second trench having sidewalls and a bottom. A second dielectric layer is formed in the second trench and extends to the first dielectric layer.

摘要翻译： 具有电介质层的半导体器件通过向半导体本体提供延伸到半导体本体中的第一沟槽，第一沟槽具有底部和侧壁来制造。 第一电介质层形成在第一沟槽的下部的侧壁上，第一插塞形成在第一沟槽的下部，以覆盖第一电介质层。 第一个塞子留下未覆盖的侧壁的上部。 牺牲层形成在第一沟槽的上部的侧壁上，第二插塞形成在第一沟槽的上部。 除去牺牲层以形成具有侧壁和底部的第二沟槽。 第二介电层形成在第二沟槽中并延伸到第一介电层。

公开(公告)号：US07977737B2

公开(公告)日：2011-07-12

申请号：US12043429

申请日：2008-03-06

申请人： Armin Willmeroth ,  Winfried Kaindl ,  Carolin Tolksdorf ,  Anton Mauder ,  Holger Kapels ,  Gerald Deboy ,  Franz Hirler

发明人： Armin Willmeroth ,  Winfried Kaindl ,  Carolin Tolksdorf ,  Anton Mauder ,  Holger Kapels ,  Gerald Deboy ,  Franz Hirler

IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L21/337

CPC分类号： H01L27/0733 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/4813 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device with inherent capacitances and method for its production. The semiconductor device has an inherent feedback capacitance between a control electrode and a first electrode. In addition, the semiconductor device has an inherent drain-source capacitance between the first electrode and a second electrode. At least one monolithically integrated additional capacitance is connected in parallel to the inherent feedback capacitance or in parallel to the inherent drain-source capacitance. The additional capacitance comprises a first capacitor surface and a second capacitor surface opposite the first capacitor surface. The capacitor surfaces are structured conductive layers of the semiconductor device on a front side of the semiconductor body, between which a dielectric layer is located and which form at least one additional capacitor.

摘要翻译： 具有固有电容的半导体器件及其制造方法。 半导体器件在控制电极和第一电极之间具有固有的反馈电容。 此外，半导体器件在第一电极和第二电极之间具有固有的漏极 - 源极电容。 至少一个单片集成附加电容与固有反馈电容并联连接，或与固有漏 - 源电容并联连接。 附加电容包括与第一电容器表面相对的第一电容器表面和第二电容器表面。 电容器表面是半导体器件的前侧上的半导体器件的结构化导电层，介电层位于其之间，并形成至少一个附加电容器。

公开(公告)号：US07943449B2

公开(公告)日：2011-05-17

申请号：US12241828

申请日：2008-09-30

申请人： Anton Mauder ,  Stefan Sedlmaier ,  Ralf Erichsen ,  Hans Weber ,  Oliver Haeberlen ,  Franz Hirler

发明人： Anton Mauder ,  Stefan Sedlmaier ,  Ralf Erichsen ,  Hans Weber ,  Oliver Haeberlen ,  Franz Hirler

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/8234

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L21/76224 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/0646 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/407 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7804

摘要： A method for producing a semiconductor structure and a semiconductor component are described.

摘要翻译： 对半导体结构体及半导体部件的制造方法进行说明。

公开(公告)号：US20100258801A1

公开(公告)日：2010-10-14

申请号：US12421346

申请日：2009-04-09

申请人： Joachim Weyers ,  Anton Mauder ,  Franz Hirler ,  Paul Kuepper

发明人： Joachim Weyers ,  Anton Mauder ,  Franz Hirler ,  Paul Kuepper

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/872 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/402 ,  H01L29/405 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/7817 ,  H01L29/7824 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/78624 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78648

摘要： A semiconductor component including a lateral transistor component is disclosed. One embodiment provides an electrically insulating carrier layer. On the carrier layer a first and a second semiconductor layer are arranged on above another and are separated from another by a dielectric layer and from which at least the first semiconductor layer includes a polycrystalline semiconductor material, an amorphous semiconductor material or an organic semiconductor material. In the first semiconductor layer: a source zone, a body zone, a drift zone and a drain zone are provided. In the second semiconductor layer; a drift control zone is arranged adjacent to the drift zone, including a control terminal at a first lateral end for applying a control potential, and is coupled to the drain zone via a rectifying element at a second lateral end. A gate electrode is arranged adjacent to the body zone and is dielectrically insulated from the body zone by a gate dielectric layer.

摘要翻译： 公开了一种包括横向晶体管元件的半导体元件。 一个实施例提供电绝缘载体层。 在载体层上，第一和第二半导体层被布置在另一个之上，并且通过电介质层与另一个隔离，并且至少第一半导体层至少包括多晶半导体材料，非晶半导体材料或有机半导体材料。 在第一半导体层中提供源极区，体区，漂移区和漏区。 在第二半导体层中; 漂移控制区被布置成与漂移区相邻，包括用于施加控制电位的第一横向端的控制端，并且在第二横向端通过整流元件耦合到排水区。 栅极电极被布置成与身体区域相邻并且通过栅极介电层与身体区域介电绝缘。