公开(公告)号：US06275980B1

公开(公告)日：2001-08-14

申请号：US09112006

申请日：1998-07-08

申请人： Naoshi Uchihira ,  Shinichi Honiden ,  Akihiko Ohsuga ,  Toshibumi Seki ,  Yasuo Nagai ,  Keiichi Handa ,  Satoshi Ito ,  Nobuyuki Sawashima ,  Yasuyuki Tahara ,  Hideaki Shiotani

发明人： Naoshi Uchihira ,  Shinichi Honiden ,  Akihiko Ohsuga ,  Toshibumi Seki ,  Yasuo Nagai ,  Keiichi Handa ,  Satoshi Ito ,  Nobuyuki Sawashima ,  Yasuyuki Tahara ,  Hideaki Shiotani

IPC分类号： G06F945

CPC分类号： G06F11/3664 ,  G06F8/30 ,  G06F8/45 ,  G06F11/362 ,  G06F11/3696

摘要： An apparatus for supporting parallelization according to the invention is characterized by comprising a serialization unit for converting a first concurrent program having a concurrent structure into a sequential program capable of being sequentially executed, a debugging unit for debugging the sequential program and forming debugging information, and a concurrent program programming unit for performing parallelization of the debugged sequential program on the basis of the debugging information to convert the sequential program into a second concurrent program. With above configuration, the debugging unit includes a unit for introducing information associated with concurrency to the sequential program.

摘要翻译： 根据本发明的用于支持并行化的装置的特征在于包括：串行化单元，用于将具有并行结构的第一并发程序转换成能够被顺序执行的顺序程序;调试单元，用于调试顺序程序并形成调试信息，以及 并行程序编程单元，用于根据调试信息执行调试顺序程序的并行化，以将顺序程序转换为第二并发程序。 通过上述配置，调试单元包括用于将与并发相关联的信息引入到顺序程序的单元。

公开(公告)号：US06171738B2

公开(公告)日：2001-01-09

申请号：US09052728

申请日：1998-03-31

申请人： Hiroshi Takada ,  Sadayasu Ishikawa ,  Satoshi Ito

发明人： Hiroshi Takada ,  Sadayasu Ishikawa ,  Satoshi Ito

IPC分类号： G03C1015

CPC分类号： G03C1/015 ,  G03C1/0051

摘要： A method for preparing a silver halide emulsion is disclosed, wherein the method controls a mean intergrain distance in the process of growing silver halide grains contained in a silver halide emulsion, as defined below, over a period of from the start of growing silver halide grains to completion thereof: Mean intergrain distance=(Volume of the reaction mixture solution/number of grains in the reaction mixture solution)⅓.

摘要翻译： 公开了一种制备卤化银乳剂的方法，其中该方法控制如下定义的卤化银乳剂中所含的卤化银颗粒的生长过程中卤化银颗粒生长的时间段内的平均颗粒间距离 完成：

公开(公告)号：US6163799A

公开(公告)日：2000-12-19

申请号：US50073

申请日：1998-03-30

申请人： Toru Kambayashi ,  Ichiro Tomoda ,  Yasuhiko Shimomura ,  Takashi Ida ,  Hirofumi Muratani ,  Toshiya Takahashi ,  Masafumi Kondo ,  Satoshi Ito ,  Shuichi Tsujimoto ,  Akira Morishita ,  Yoshihiro Ohmori

发明人： Toru Kambayashi ,  Ichiro Tomoda ,  Yasuhiko Shimomura ,  Takashi Ida ,  Hirofumi Muratani ,  Toshiya Takahashi ,  Masafumi Kondo ,  Satoshi Ito ,  Shuichi Tsujimoto ,  Akira Morishita ,  Yoshihiro Ohmori

IPC分类号： G06F17/30 ,  G06F15/16

CPC分类号： G06F17/30899 ,  G06F17/30067

摘要： A navigation communication system in which a plurality of clients access information stored in a server via a network, having a personal information control section provided in the server and controls the personal information of the users of the clients which access the same information and a personal information display section provided in the client and displays the personal information controlled by the personal information control section, a selector for selecting one of the personal information displayed, and a communication application section for communicating with a client corresponding to the selected personal information.

摘要翻译： 一种导航通信系统，其中多个客户端经由网络访问存储在服务器中的信息，具有设置在服务器中的个人信息控制部分，并且控制访问相同信息的客户端的用户的个人信息和个人信息 显示由个人信息控制部分控制的个人信息，用于选择显示的个人信息之一的选择器和用于与所选择的个人信息相对应的客户端进行通信的通信应用部分。

公开(公告)号：US5976916A

公开(公告)日：1999-11-02

申请号：US737137

申请日：1996-11-07

申请人： Makoto Kuwamura ,  Kazuhiro Ikemura ,  Shinya Akizuki ,  Takashi Fukushima ,  Shinichiro Sudo ,  Satoshi Ito

发明人： Makoto Kuwamura ,  Kazuhiro Ikemura ,  Shinya Akizuki ,  Takashi Fukushima ,  Shinichiro Sudo ,  Satoshi Ito

IPC分类号： H01L21/54 ,  H01L23/13 ,  H01L23/24 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L23/13 ,  H01L21/54 ,  H01L23/24 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49109 ,  H01L2224/73265 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/1532 ,  H01L2924/181

摘要： A method of production of a semiconductor device such as a plastic pin grid array (PPGA) and a plastic ball grid array (PBGA) having a cavity-fill form. In this method, first, a semiconductor element (3) is placed in a cavity (6) formed in a multiple step-like substrate (2). Under this state, a pellet (7), which is in a solid state at a normal temperature, made of an encapsulating resin composition containing specific components, and has specific characteristics, is placed on the semiconductor element (3). Next, the semiconductor device is heated so that the pellet can melt to fill the cavity (6) with the composition, thereby encapsulating the semiconductor device (3). According to the present invention, a semiconductor device having low stress performance and excellent moisture-proof reliability can be efficiently produced.

摘要翻译： PCT No.PCT / JP96 / 00523 Sec。 371日期：1996年11月7日 102（e）1996年11月7日PCT PCT 1996年3月5日PCT公布。 第WO96 / 27900号公报 日期1996年9月12日制造具有空穴填充形式的诸如塑料针栅格阵列（PPGA）和塑料球栅阵列（PBGA）的半导体器件的制造方法。 在该方法中，首先，将半导体元件（3）放置在形成于多台阶状基板（2）中的空腔（6）中。 在这种状态下，在半导体元件（3）上放置由常规温度为固态的由具有特定成分的包封树脂组合物形成的具有特定特性的颗粒（7）。 接下来，加热半导体器件，使得颗粒可以熔化以用组合物填充空腔（6），从而封装半导体器件（3）。 根据本发明，可以有效地制造具有低应力性能和优异的防湿可靠性的半导体器件。

公开(公告)号：US5865897A

公开(公告)日：1999-02-02

申请号：US596384

申请日：1996-02-09

申请人： Satoshi Ito ,  Satoshi Taniguchi ,  Masao Ikeda ,  Hiroyuki Okuyama ,  Hironori Tsukamoto ,  Masaharu Nagai ,  Koshi Tamamura

发明人： Satoshi Ito ,  Satoshi Taniguchi ,  Masao Ikeda ,  Hiroyuki Okuyama ,  Hironori Tsukamoto ,  Masaharu Nagai ,  Koshi Tamamura

IPC分类号： C23C14/00 ,  C23C14/06 ,  C30B23/02 ,  H01L21/363 ,  H01L21/365 ,  H01L33/00 ,  H01L33/28 ,  H05H13/00

CPC分类号： H01L33/285 ,  C23C14/0026 ,  C23C14/0629 ,  C30B23/02 ,  C30B29/48 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02474 ,  H01L21/02477 ,  H01L21/02551 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02631 ,  H01L33/0087

摘要： A film of a II-VI group compound semiconductor of at least one of elements belonging to the II group of the periodic table and at least one of elements belonging to the VI group of the periodic table is deposited on a substrate. When the film is deposited on the substrate, a plasma of nitrogen in an excited state is applied to the substrate while removing charged particles from said plasma by a charged particle removing means. The deposited film of a nitrogen-doped II-VI group compound semiconductor has an increased percentage of activated nitrogen atoms and improved crystallinity.

摘要翻译： PCT No.PCT / JP95 / 00854 Sec。 371日期1996年2月9日 102（e）日期1996年2月9日PCT提交1995年4月28日PCT公布。 公开号WO95 / 34093 日期1995年12月14日属于周期表II族的至少一种元素的II-VI族化合物半导体的膜和属于周期表的VI族的元素中的至少一种沉积在基板上 。 当膜沉积在衬底上时，将激发态的氮等离子体施加到衬底上，同时通过带电粒子去除装置从所述等离子体中除去带电粒子。 氮掺杂的II-VI族化合物半导体的沉积膜具有增加的活性氮原子百分比和改善的结晶度。

公开(公告)号：US5832229A

公开(公告)日：1998-11-03

申请号：US687627

申请日：1996-07-26

申请人： Ichiro Tomoda ,  Toru Kambayashi ,  Satoshi Ito ,  Takashi Ida ,  Yasuhiko Shimomura ,  Toshiya Takahashi ,  Hirofumi Muratani ,  Masafumi Kondo

发明人： Ichiro Tomoda ,  Toru Kambayashi ,  Satoshi Ito ,  Takashi Ida ,  Yasuhiko Shimomura ,  Toshiya Takahashi ,  Hirofumi Muratani ,  Masafumi Kondo

IPC分类号： H04N7/10 ,  G09G5/00 ,  G09G5/08 ,  H04L12/18 ,  H04L29/06 ,  G06F13/00

CPC分类号： H04L65/4076 ,  H04L12/185 ,  H04L29/06 ,  H04L29/06027

摘要： The multicast communication scheme which can enable a user to easily comprehend the multicast groups existing on the network, easily carry out an operation to join a desired multicast group, and easily specify a desired communication quality. At each user terminal, a virtual space with a plurality of regions defined therein in correspondence to a plurality of multicast groups is displayed on a screen, while an information indicating a range of each region in the virtual space is stored in correspondence to an address information for a corresponding multicast group. A desired position in the virtual space on the screen is specified by an input device, and joining/leaving to/from multicast groups is controlled by using the address information stored in correspondence to a region in the virtual space which contains the desired position. The display on the screen may include a plurality of zones defined within each region in correspondence to a plurality of different communication qualities, so that a communication quality of a multicast communication to be received can be controlled according to a zone within a region in the virtual space which contains the desired position.

摘要翻译： 可以使得用户能够容易地理解存在于网络上的多播组的组播通信方案容易地执行加入所需多播组的操作，并且容易地指定期望的通信质量。 在每个用户终端处，在屏幕上显示具有与多个多播组对应地定义的多个区域的虚拟空间，同时根据地址信息存储指示虚拟空间中的每个区域的范围的信息 为相应的组播组。 屏幕上的虚拟空间中的期望位置由输入设备指定，并且通过使用与包含期望位置的虚拟空间中的区域相对应地存储的地址信息来控制来自/来自多播组的加入/离开。 屏幕上的显示可以包括对应于多个不同通信质量在每个区域内定义的多个区域，从而可以根据虚拟的区域内的区域来控制要接收的多播通信的通信质量 包含所需位置的空间。

公开(公告)号：US5828086A

公开(公告)日：1998-10-27

申请号：US826108

申请日：1997-03-24

申请人： Akira Ishibashi ,  Satoshi Matsumoto ,  Masaharu Nagai ,  Satoshi Ito ,  Shigetaka Tomiya ,  Kazushi Nakano ,  Etsuo Morita

发明人： Akira Ishibashi ,  Satoshi Matsumoto ,  Masaharu Nagai ,  Satoshi Ito ,  Shigetaka Tomiya ,  Kazushi Nakano ,  Etsuo Morita

IPC分类号： H01L33/06 ,  H01L33/28 ,  H01S5/30 ,  H01S5/32 ,  H01S5/347 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L33/28 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/06 ,  H01S5/347 ,  H01S2304/02 ,  H01S5/3059 ,  H01S5/3216

摘要： A semiconductor light emitting device ccomprises a first cladding layer, an active layer and a second cladding layer which are stacked on a semiconductor substrate. At least a part of the first cladding layer and the second cladding layer has a superlattice structure comprising II-VI compound semiconductor. Another semiconductor light emitting device comprises a first cladding layer, a first guide layer, an active layer, a second guide layer and a second cladding layer which are stacked on a semiconductor substrate. At least a part of the first cladding layer, the first guide layer, the second cladding layer and the second guide layer has a superlattice structure. Still anothr semiconductor light emitting device comprises a defect decomposing layer, a defect blocking layer, a first cladding layer, an active layer, a second cladding layer which are stacked on a semiconductor substrate. The defect decomposing layer and the defect blocking layer comprise a superlattice structure.

摘要翻译： 半导体发光器件包括堆叠在半导体衬底上的第一覆层，有源层和第二覆层。 第一包层和第二包层的至少一部分具有包含II-VI化合物半导体的超晶格结构。 另一种半导体发光器件包括堆叠在半导体衬底上的第一覆层，第一引导层，有源层，第二引导层和第二覆层。 第一包覆层，第一引导层，第二覆盖层和第二引导层的至少一部分具有超晶格结构。 还有一种半导体发光器件包括堆叠在半导体衬底上的缺陷分解层，缺陷阻挡层，第一覆层，有源层，第二覆层。 缺陷分解层和缺陷阻挡层包括超晶格结构。

公开(公告)号：US5665977A

公开(公告)日：1997-09-09

申请号：US691536

申请日：1996-08-02

申请人： Akira Ishibashi ,  Satoshi Matsumoto ,  Masaharu Nagai ,  Satoshi Ito ,  Shigetaka Tomiya ,  Kazushi Nakano ,  Etsuo Morita

发明人： Akira Ishibashi ,  Satoshi Matsumoto ,  Masaharu Nagai ,  Satoshi Ito ,  Shigetaka Tomiya ,  Kazushi Nakano ,  Etsuo Morita

IPC分类号： H01L33/06 ,  H01L33/28 ,  H01S5/30 ,  H01S5/32 ,  H01S5/347 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L33/28 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/06 ,  H01S5/347 ,  H01S2304/02 ,  H01S5/3059 ,  H01S5/3216

摘要： A semiconductor light emitting device comprises a first cladding layer, an active layer and a second cladding layer which are stacked on a semiconductor substrate. At least a part of the first cladding layer and the second cladding layer has a superlattice structure comprising II-VI compound semiconductor. Another semiconductor light emitting device comprises a first cladding layer, a first guide layer, an active layer, a second guide layer and a second cladding layer which are stacked on semiconductor substrate. At least a part of the first cladding layer, the first guide layer, the second cladding layer and the second guide layer has a superlattice structure. Still another semiconductor light emitting device comprises a defect decomposing layer, a defect blocking layer, first cladding layer, an active layer, a second cladding layer which are stacked on a semiconductor substrate. The defect decomposing layer and the defect blocking layer comprise a superlattice structure.

摘要翻译： 半导体发光器件包括堆叠在半导体衬底上的第一覆层，有源层和第二覆层。 第一包层和第二包层的至少一部分具有包含II-VI化合物半导体的超晶格结构。 另一半导体发光器件包括堆叠在半导体衬底上的第一覆层，第一引导层，有源层，第二引导层和第二覆层。 第一包覆层，第一引导层，第二覆盖层和第二引导层的至少一部分具有超晶格结构。 另一半导体发光器件包括堆叠在半导体衬底上的缺陷分解层，缺陷阻挡层，第一覆层，有源层，第二覆层。 缺陷分解层和缺陷阻挡层包括超晶格结构。

公开(公告)号：US5471067A

公开(公告)日：1995-11-28

申请号：US78037

申请日：1993-06-18

申请人： Masao Ikeda ,  Satoshi Ito ,  Yoshino Iochi ,  Takao Miyajima ,  Masafumi Ozawa ,  Katsuhiro Akimoto ,  Akira Ishibash ,  Futoshi Hiei

发明人： Masao Ikeda ,  Satoshi Ito ,  Yoshino Iochi ,  Takao Miyajima ,  Masafumi Ozawa ,  Katsuhiro Akimoto ,  Akira Ishibash ,  Futoshi Hiei

IPC分类号： H01L29/15 ,  H01L21/44 ,  H01L33/06 ,  H01L33/28 ,  H01L33/40 ,  H01S5/042 ,  H01S5/30 ,  H01S5/327 ,  H01S5/347 ,  H01L27/14 ,  H01L31/00

CPC分类号： H01L33/40 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/06 ,  H01S5/0421 ,  H01L33/28 ,  H01S5/3068 ,  H01S5/327 ,  H01S5/347

摘要： A semiconductor laser capable of emitting blue or green light is disclosed. The semiconductor laser comprises an n-type ZnMgSSe cladding layer, an active layer, a p-type ZnMgSSe cladding layer, a p-type ZnSe contact layer and a p-type ZnTe contact layer which are stacked in this sequence on an n-type GaAs substrate. A p-side electrode is provided on the p-type ZnTe contact layer. An n-side electrode is provided on the back surface of the n-type GaAs substrate. A multiquantum well layer comprising quantum wells made of p-type ZnTe and barriers made of p-type ZnSe is provided in the depletion layer produced in the p-type ZnSe contact layer along the junction interface between the p-type ZnSe contact layer and the p-type ZnTe contact layer. Holes injected from the p-side electrode pass through the junction by the resonant tunneling effect through quantum levels formed in the quantum wells of the multiquantum well layer.

摘要翻译： 公开了能够发出蓝光或绿光的半导体激光器。 半导体激光器包括以n型ZnMgSSe覆层，有源层，p型ZnMgSSe覆层，p型ZnSe接触层和p型ZnTe接触层，该n型ZnMgSSe覆层以n型 GaAs衬底。 在p型ZnTe接触层上设置p侧电极。 在n型GaAs衬底的背面设有n侧电极。 在p型ZnSe接触层和p型ZnSe接触层之间的接合界面处，在p型ZnSe接触层中产生的耗尽层中提供包含由p型ZnTe构成的量子阱和由p型ZnSe制成的阻挡层的多量子阱层。 p型ZnTe接触层。 从p侧电极注入的孔通过在多量子阱层的量子阱中形成的量子级的谐振隧穿效应而通过结。

公开(公告)号：US5459337A

公开(公告)日：1995-10-17

申请号：US197310

申请日：1994-02-16

申请人： Satoshi Ito ,  Futoshi Hiei ,  Akira Ishibashi ,  Atsushi Toda ,  Norikazu Nakayama

发明人： Satoshi Ito ,  Futoshi Hiei ,  Akira Ishibashi ,  Atsushi Toda ,  Norikazu Nakayama

IPC分类号： H01L27/15 ,  H01L33/28 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L33/28 ,  H01L27/156 ,  Y10S438/925 ,  Y10S438/944

摘要： A light emitting device and a method of fabricating the same in which a first cladding layer is formed on a substrate, then red, green and blue light emitting portions each made of II-VI semiconductor are formed in a horizontal direction with respect to a surface of the substrate on the first cladding layer, then a second cladding layer is formed on the light emitting portions, and the red, green and blue light emitting portions are electrically separated from each other so that three primary color light emitting portions of a self luminous type are formed on the same substrate through single crystal growth process by changing composition of a compound semiconductor layer.

摘要翻译： 一种发光器件及其制造方法，其中在衬底上形成第一覆层，然后在水平方向上相对于表面形成由II-VI半导体制成的红色，绿色和蓝色发光部分 在第一包层上形成基板，然后在发光部分上形成第二包覆层，将红色，绿色和蓝色发光部分彼此电分离，使得自发光的三原色发光部分 通过改变化合物半导体层的组成，通过单晶生长工艺在相同的衬底上形成类型。