公开(公告)号：US08481422B2

公开(公告)日：2013-07-09

申请号：US13455299

申请日：2012-04-25

申请人： Kelvin Chan ,  Khaled A. Elsheref ,  Alexandros T. Demos ,  Mei-Yee Shek ,  Lipan Li ,  Li-Qun Xia ,  Kang Sub Yim

发明人： Kelvin Chan ,  Khaled A. Elsheref ,  Alexandros T. Demos ,  Mei-Yee Shek ,  Lipan Li ,  Li-Qun Xia ,  Kang Sub Yim

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/3141 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/31105 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31608 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76831

摘要： A method and apparatus for treating a substrate is provided. A porous dielectric layer is formed on the substrate. In some embodiments, the dielectric may be capped by a dense dielectric layer. The dielectric layers are patterned, and a dense dielectric layer deposited conformally over the substrate. The dense conformal dielectric layer seals the pores of the porous dielectric layer against contact with species that may infiltrate the pores. The portion of the dense conformal pore-sealing dielectric layer covering the field region and bottom portions of the pattern openings is removed by directional selective etch.

摘要翻译： 提供了一种处理基板的方法和装置。 在基板上形成多孔介电层。 在一些实施例中，电介质可以由致密的电介质层封盖。 对电介质层进行图案化，并且将致密的电介质层保形地沉积在衬底上。 密实的保形介电层密封多孔介电层的孔隙，防止与可能渗入孔隙的物质接触。 通过方向选择性蚀刻去除覆盖图案开口的场区域和底部的稠密共形孔隙电介质层的部分。

公开(公告)号：US20120196155A1

公开(公告)日：2012-08-02

申请号：US13193539

申请日：2011-07-28

申请人： Christopher D. Bencher ,  Roman Gouk ,  Steven Verhaverbeke ,  Li-Qun Xia ,  Yong-Won Lee ,  Matthew D. Scotney-Castle ,  Martin A. Hilkene ,  Peter I. Porshnev

发明人： Christopher D. Bencher ,  Roman Gouk ,  Steven Verhaverbeke ,  Li-Qun Xia ,  Yong-Won Lee ,  Matthew D. Scotney-Castle ,  Martin A. Hilkene ,  Peter I. Porshnev

IPC分类号： G11B5/64 ,  C23C16/50 ,  C23C16/04 ,  B05D5/00 ,  B82Y10/00

CPC分类号： G11B5/85 ,  G11B5/743 ,  G11B5/855

摘要： A method and apparatus for forming magnetic media substrates is provided. A patterned resist layer is formed on a substrate having a magnetically susceptible layer. A conformal protective layer is formed over the patterned resist layer to prevent degradation of the pattern during subsequent processing. The substrate is subjected to an energy treatment wherein energetic species penetrate portions of the patterned resist and conformal protective layer according to the pattern formed in the patterned resist, impacting the magnetically susceptible layer and modifying a magnetic property thereof. The patterned resist and conformal protective layers are then removed, leaving a magnetic substrate having a pattern of magnetic properties with a topography that is substantially unchanged.

摘要翻译： 提供了一种形成磁性介质基板的方法和装置。 在具有磁敏感层的基板上形成图案化的抗蚀剂层。 在图案化的抗蚀剂层上形成保形层，以防止后续处理期间图案的劣化。 对衬底进行能量处理，其中能量物质根据形成在图案化抗蚀剂中的图案穿透图案化抗蚀剂和保形层的部分，撞击磁敏感层并改变其磁性。 然后去除图案化的抗蚀剂和共形保护层，留下具有基本上不变的形貌的磁性质图案的磁性基底。

公开(公告)号：US20120164829A1

公开(公告)日：2012-06-28

申请号：US12977060

申请日：2010-12-22

申请人： Nagarajan Rajagopalan ,  Ji Ae Park ,  Ryan Yamase ,  Shamik Patel ,  Thomas Nowak ,  Li-Qun Xia ,  Bok Hoen Kim ,  Ran Ding ,  Jim Baldino ,  Mehul Naik ,  Sesh Ramaswami

发明人： Nagarajan Rajagopalan ,  Ji Ae Park ,  Ryan Yamase ,  Shamik Patel ,  Thomas Nowak ,  Li-Qun Xia ,  Bok Hoen Kim ,  Ran Ding ,  Jim Baldino ,  Mehul Naik ,  Sesh Ramaswami

IPC分类号： H01L21/28

CPC分类号： H01L24/13 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/68792 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76898 ,  H01L24/11 ,  H01L24/742 ,  H01L2221/68372 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/11002 ,  H01L2224/11452 ,  H01L2224/1182 ,  H01L2224/13562 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/13687 ,  H01L2224/742 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/00

摘要： A through-silicon via fabrication method includes etching a plurality of through holes in a silicon plate. An oxide liner is deposited on the surface of the silicon plate and on the sidewalls and bottom wall of the through holes. A metallic conductor is then deposited in the through holes. In another version, which may be used concurrently with the oxide liner, a silicon nitride passivation layer is deposited on the exposed back surface of the silicon plate of the substrate.

摘要翻译： 一种硅通孔制造方法包括蚀刻硅板中的多个通孔。 在硅板的表面和通孔的侧壁和底壁上沉积氧化物衬垫。 然后将金属导体沉积在通孔中。 在可与氧化物衬垫同时使用的另一种方案中，氮化硅钝化层沉积在衬底的硅板的暴露后表面上。

公开(公告)号：US20110237085A1

公开(公告)日：2011-09-29

申请号：US13152865

申请日：2011-06-03

申请人： FRANCIMAR CAMPANA SCHMITT ,  Li-Qun Xia ,  Son Van Nguyen ,  Shankar Venkataraman

发明人： FRANCIMAR CAMPANA SCHMITT ,  Li-Qun Xia ,  Son Van Nguyen ,  Shankar Venkataraman

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： H01L21/76835 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/30 ,  C23C16/325 ,  C23C16/505 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02351 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/7681 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832

摘要： Methods are provided for processing a substrate for depositing an adhesion layer having a low dielectric constant between two low k dielectric layers. In one aspect, the invention provides a method for processing a substrate including depositing a barrier layer on the substrate, wherein the barrier layer comprises silicon and carbon and has a dielectric constant less than 4, depositing a dielectric initiation layer adjacent the barrier layer, and depositing a first dielectric layer adjacent the dielectric initiation layer, wherein the dielectric layer comprises silicon, oxygen, and carbon and has a dielectric constant of about 3 or less.

摘要翻译： 提供了用于处理用于沉积在两个低k电介质层之间具有低介电常数的粘合层的衬底的方法。 一方面，本发明提供了一种处理衬底的方法，包括在衬底上沉积阻挡层，其中阻挡层包括硅和碳并具有小于4的介电常数，沉积与阻挡层相邻的电介质起始层，以及 沉积与电介质起始层相邻的第一电介质层，其中介电层包括硅，氧和碳并且具有约3或更小的介电常数。

公开(公告)号：US20090137132A1

公开(公告)日：2009-05-28

申请号：US12365669

申请日：2009-02-04

申请人： Ritwik Bhatia ,  Li-Qun Xia ,  Chad Peterson ,  Hichem M'Saad

发明人： Ritwik Bhatia ,  Li-Qun Xia ,  Chad Peterson ,  Hichem M'Saad

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： H01L21/0332 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76829

摘要： Methods for forming silicon nitride hard masks are provided. The silicon nitride hard masks include carbon-doped silicon nitride layers and undoped silicon nitride layers. Carbon-doped silicon nitride layers that are deposited from a mixture comprising a carbon source compound, a silicon source compound, and a nitrogen source in the presence of RF power are provided. Also provided are methods of UV post-treating silicon nitride layers to provide silicon nitride hard masks. The carbon-doped silicon nitride layers and UV post-treated silicon nitride layers have desirable wet etch rates and dry etch rates for hard mask layers.

摘要翻译： 提供了形成氮化硅硬掩模的方法。 氮化硅硬掩模包括碳掺杂的氮化硅层和未掺杂的氮化硅层。 提供了在RF功率存在下由包含碳源化合物，硅源化合物和氮源的混合物沉积的碳掺杂氮化硅层。 还提供了UV后处理氮化硅层以提供氮化硅硬掩模的方法。 碳掺杂的氮化硅层和UV后处理的氮化硅层对于硬掩模层具有期望的湿蚀刻速率和干蚀刻速率。

公开(公告)号：US20090087977A1

公开(公告)日：2009-04-02

申请号：US12241826

申请日：2008-09-30

申请人： MATTHEW SPULLER ,  Melody Agustin ,  Meiyee (Maggie Le) Shek ,  Li-Qun Xia ,  Reza Arghavani

发明人： MATTHEW SPULLER ,  Melody Agustin ,  Meiyee (Maggie Le) Shek ,  Li-Qun Xia ,  Reza Arghavani

IPC分类号： H01L21/3205

CPC分类号： H01L21/31608 ,  C23C16/0272 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02304 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/7833

摘要： The present invention generally provides apparatus and method for processing a semiconductor substrate. Particularly, embodiments of the present invention relate to a method and apparatus for forming semiconductor devices having a conformal silicon oxide layer formed at low temperature. One embodiment of the present invention provides a method for forming a semiconductor gate structure. The method comprises forming a gate stack on a semiconductor substrate, forming a conformal silicon oxide layer on the semiconductor substrate using a low temperature cyclic method, and forming a spacer layer on the conformal silicon oxide layer.

摘要翻译： 本发明总体上提供了用于处理半导体衬底的装置和方法。 特别地，本发明的实施例涉及一种用于形成半导体器件的方法和装置，其具有在低温下形成的共形氧化硅层。 本发明的一个实施例提供一种形成半导体栅极结构的方法。 该方法包括在半导体衬底上形成栅叠层，在半导体衬底上使用低温循环法形成共形氧化硅层，并在保形氧化硅层上形成间隔层。

公开(公告)号：US07226876B2

公开(公告)日：2007-06-05

申请号：US11126910

申请日：2005-05-11

申请人： Francimar Campana Schmitt ,  Li-Qun Xia ,  Son Van Nguyen ,  Shankar Venkataraman

发明人： Francimar Campana Schmitt ,  Li-Qun Xia ,  Son Van Nguyen ,  Shankar Venkataraman

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC分类号： H01L21/76835 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/30 ,  C23C16/325 ,  C23C16/505 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02351 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/7681 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832

摘要： Methods are provided for processing a substrate for depositing an adhesion layer having a low dielectric constant between two low k dielectric layers. In one aspect, the invention provides a method for processing a substrate including depositing a barrier layer on the substrate, wherein the barrier layer comprises silicon and carbon and has a dielectric constant less than 4, depositing a dielectric initiation layer adjacent the barrier layer, and depositing a first dielectric layer adjacent the dielectric initiation layer, wherein the dielectric layer comprises silicon, oxygen, and carbon and has a dielectric constant of about 3 or less.

摘要翻译： 提供了用于处理用于沉积在两个低k电介质层之间具有低介电常数的粘合层的衬底的方法。 一方面，本发明提供了一种处理衬底的方法，包括在衬底上沉积阻挡层，其中阻挡层包括硅和碳并具有小于4的介电常数，沉积与阻挡层相邻的电介质起始层，以及 沉积与电介质起始层相邻的第一电介质层，其中介电层包括硅，氧和碳并且具有约3或更小的介电常数。

公开(公告)号：US07151053B2

公开(公告)日：2006-12-19

申请号：US11118678

申请日：2005-04-28

申请人： Ju-Hyung Lee ,  Ping Xu ,  Shankar Venkataraman ,  Li-Qun Xia ,  Fei Han ,  Ellie Yieh ,  Srinivas D. Nemani ,  Kangsub Yim ,  Farhad K. Moghadam ,  Ashok K. Sinha ,  Yi Zheng

发明人： Ju-Hyung Lee ,  Ping Xu ,  Shankar Venkataraman ,  Li-Qun Xia ,  Fei Han ,  Ellie Yieh ,  Srinivas D. Nemani ,  Kangsub Yim ,  Farhad K. Moghadam ,  Ashok K. Sinha ,  Yi Zheng

IPC分类号： H01L21/4763 ,  H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC分类号： H01L21/76834 ,  C23C16/30 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/312 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/3127 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/7681 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76829

摘要： Methods are provided for depositing an oxygen-doped dielectric layer. The oxygen-doped dielectric layer may be used for a barrier layer or a hardmask. In one aspect, a method is provided for processing a substrate including positioning the substrate in a processing chamber, introducing a processing gas comprising an oxygen-containing organosilicon compound, carbon dioxide, or combinations thereof, and an oxygen-free organosilicon compound to the processing chamber, and reacting the processing gas to deposit an oxygen-doped dielectric material on the substrate, wherein the dielectric material has an oxygen content of about 15 atomic percent or less. The oxygen-doped dielectric material may be used as a barrier layer in damascene or dual damascene applications.

摘要翻译： 提供了用于沉积氧掺杂介电层的方法。 氧掺杂介电层可用于阻挡层或硬掩模。 在一个方面，提供了一种处理衬底的方法，包括将衬底定位在处理室中，将包含含氧有机硅化合物，二氧化碳或其组合的处理气体和无氧有机硅化合物引入到处理 并且使所述处理气体反应以在所述衬底上沉积掺杂氧的电介质材料，其中所述介电材料的氧含量为约15原子％或更低。 氧掺杂的电介质材料可以用作镶嵌或双镶嵌应用中的阻挡层。

公开(公告)号：US07060330B2

公开(公告)日：2006-06-13

申请号：US10302393

申请日：2002-11-22

申请人： Yi Zheng ,  Srinivas D. Nemani ,  Li-Qun Xia ,  Eric Hollar ,  Kang Sub Yim

发明人： Yi Zheng ,  Srinivas D. Nemani ,  Li-Qun Xia ,  Eric Hollar ,  Kang Sub Yim

IPC分类号： C23C16/56

CPC分类号： C23C16/401 ,  B05D1/60 ,  B05D3/068 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02351 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/3125 ,  H01L21/7681

摘要： The present invention generally provides a method for depositing a low dielectric constant film using an e-beam treatment. In one aspect, the method includes delivering a gas mixture comprising one or more organosilicon compounds and one or more hydrocarbon compounds having at least one cyclic group to a substrate surface at deposition conditions sufficient to deposit a non-cured film comprising the at least one cyclic group on the substrate surface. The method further includes substantially removing the at least one cyclic group from the non-cured film using an electron beam at curing conditions sufficient to provide a dielectric constant less than 2.5 and a hardness greater than 0.5 GPa.

摘要翻译： 本发明通常提供使用电子束处理沉积低介电常数膜的方法。 在一个方面，该方法包括在足以沉积包含至少一个环状基团的非固化膜的沉积条件下将包含一种或多种有机硅化合物和一种或多种具有至少一个环状基团的烃化合物的气体混合物递送到基底表面 组在基板表面上。 该方法还包括在足以提供小于2.5的介电常数和大于0.5GPa的硬度的固化条件下使用电子束从非固化膜中基本上除去至少一个环状基团。

公开(公告)号：US07056560B2

公开(公告)日：2006-06-06

申请号：US10773060

申请日：2004-02-04

申请人： Kang Sub Yim ,  Yi Zheng ,  Srinivas D. Nemani ,  Li-Qun Xia ,  Eric P. Hollar

发明人： Kang Sub Yim ,  Yi Zheng ,  Srinivas D. Nemani ,  Li-Qun Xia ,  Eric P. Hollar

IPC分类号： C23C16/56 ,  C23C16/48 ,  C23C16/42 ,  C23C16/40 ,  H01L21/473

CPC分类号： C23C16/401 ,  B05D1/60 ,  B05D3/068 ,  C23C16/30 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02351 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/3125 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/7681 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76825

摘要： A method for depositing a low dielectric constant film is provided by reacting a gas mixture including one or more linear, oxygen-free organosilicon compounds, one or more oxygen-free hydrocarbon compounds comprising one ring and one or two carbon-carbon double bonds in the ring, and one or more oxidizing gases. Optionally, the low dielectric constant film is post-treated after it is deposited. In one aspect, the post treatment is an electron beam treatment.

摘要翻译： 一种沉积低介电常数膜的方法是通过使含有一种或多种线性无氧有机硅化合物的气体混合物，一种或多种包含一个环和一个或两个碳 - 碳双键的无氧烃化合物反应在 环和一种或多种氧化性气体。 任选地，低介电常数膜在沉积后进行后处理。 一方面，后处理是电子束处理。