公开(公告)号：US5288662A

公开(公告)日：1994-02-22

申请号：US898857

申请日：1992-06-15

申请人： Andre Lagendijk ,  Arthur K. Hochberg ,  David A. Roberts

发明人： Andre Lagendijk ,  Arthur K. Hochberg ,  David A. Roberts

IPC分类号： C01B7/01 ,  C23C16/44 ,  C23G5/028 ,  H01L21/31 ,  H01L21/316

CPC分类号： H01L21/02238 ,  C23C16/4405 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/31662

摘要： A process for thermal oxidation of silicon or cleaning of furnace tubes used in semiconductor manufacturing by exposing the silicon or tube to temperatures above 700.degree. C. while flowing a carrier gas containing oxygen and a chlorohydrocarbon having a general formula C.sub.x H.sub.x Cl.sub.x where x is 2, 3, or 4 over the silicon or tube. The chlorohydrocarbon is selected to readily and completely oxidize at temperature.

摘要翻译： 一种用于硅的热氧化或半导体制造中使用的炉管的清洁的方法，其中将硅或管暴露于高于700℃的温度，同时流过含有氧的载气和具有通式C x H x Cl x的氯代烃，其中x为2,3 ，或4个在硅或管上。 选择氯代烃在温度下容易且完全氧化。

公开(公告)号：US4298037A

公开(公告)日：1981-11-03

申请号：US123563

申请日：1980-02-22

申请人： John C. Schumacher ,  Andre Lagendijk

发明人： John C. Schumacher ,  Andre Lagendijk

IPC分类号： B65D85/84 ,  C01B25/10 ,  C01B33/107 ,  C01B35/06 ,  C01G28/00 ,  C01G30/00 ,  B65B3/00 ,  B65D25/08

CPC分类号： C01B33/10768 ,  B65D85/84 ,  C01B25/10 ,  C01B35/061 ,  C01G28/00 ,  C01G30/00 ,  B01J2219/0254 ,  Y10S206/818 ,  Y10T137/1714

摘要： The gas inlet tube and the outlet tube in the upper end of a "bubbler" container are each sealed with an easily breakable wall adjacent the wall where the tubes join the container. A second seal is formed on the outer ends of the tubes creating a compartment in which may be positioned a small hammer. The outer seals are sufficient to meet safety regulations regarding the shipment of highly corrosive or poisonous materials. The user of the material, breaks the outer seals, positions the hammer if not already in place, makes the desired connections to the tubes, applies a purging gas to the upper ends of the tubes, and breaks the inner seals by magnetically or otherwise actuating the hammer resting on the inner seal, thereby connecting the material to the desired system without exposing the material to the atmosphere.

摘要翻译： 在“起泡器”容器的上端中的气体入口管和出口管各自用靠近壁的容易破裂的壁密封，管连接在容器上。 在管的外端上形成第二密封件，形成一个可以定位成小锤的隔室。 外部密封件足以满足有关高腐蚀性或有毒物质运输的安全规定。 材料的使用者打破外部密封件，定位锤子如果不是已经就位，进行所需的与管道的连接，将吹扫气体施加到管道的上端，并通过磁力或其他方式致动内部密封件 锤子搁置在内密封件上，从而将材料连接到期望的系统，而不将材料暴露在大气中。

公开(公告)号：US4134514A

公开(公告)日：1979-01-16

申请号：US746923

申请日：1976-12-02

申请人： John C. Schumacher ,  Andre Lagendijk

发明人： John C. Schumacher ,  Andre Lagendijk

IPC分类号： B65D83/00 ,  B01J19/02 ,  C01B25/10 ,  C01B33/107 ,  C01B35/06 ,  C01G28/00 ,  C01G30/00 ,  F16J12/00 ,  F17C1/00 ,  F17C7/00 ,  B65D17/00 ,  B65D25/00

CPC分类号： C01B25/10 ,  B01J19/0073 ,  B01J19/02 ,  C01B33/10768 ,  C01B35/061 ,  C01G28/00 ,  C01G30/00 ,  B01J2219/0254 ,  Y02P20/149 ,  Y10S206/818

摘要： The gas inlet tube and the outlet tube in the upper end of a "bubbler" container are each sealed with an easily breakable wall adjacent the wall where the tubes join the container. A second seal is formed on the outer ends of the tubes creating a compartment in which may be positioned a small hammer. The outer seals are sufficient to meet safety regulations regarding the shipment of highly corrosive or poisonous materials. The user of the material, breaks the outer seals, positions the hammer if not already in place, makes the desired connections to the tubes, applies a purging gas to the upper ends of the tubes, and breaks the inner seals by magnetically or otherwise actuating the hammer resting on the inner seal, thereby connecting the material to the desired system without exposing the material to the atmosphere.

摘要翻译： 在“起泡器”容器的上端中的气体入口管和出口管各自用靠近壁的容易破裂的壁密封，管连接在容器上。 在管的外端上形成第二密封件，形成一个可以定位成小锤的隔室。 外部密封件足以满足有关高腐蚀性或有毒物质运输的安全规定。 材料的使用者打破外部密封件，定位锤子如果不是已经就位，进行所需的连接管道，将吹扫气体施加到管子的上端，并通过磁力或其他方式致动内部密封件 锤子搁置在内密封件上，从而将材料连接到期望的系统，而不将材料暴露在大气中。

公开(公告)号：US5433975A

公开(公告)日：1995-07-18

申请号：US116178

申请日：1993-09-02

申请人： David A. Roberts ,  Diwakar Garg ,  Andre Lagendijk ,  Arthur K. Hochberg ,  Stephen M. Fine

发明人： David A. Roberts ,  Diwakar Garg ,  Andre Lagendijk ,  Arthur K. Hochberg ,  Stephen M. Fine

IPC分类号： C23C16/18 ,  C23C16/08 ,  C23C16/14 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  C23C16/06

CPC分类号： C23C16/14 ,  C23C16/08 ,  H01L21/28556

摘要： A method of depositing tungsten films comprising heating a substrate to a temperature above 200.degree. C. in a chemical vapor deposition reactor, flowing a stream of carrier gas over the substrate in the reactor, and simultaneously introducing mixtures of WF.sub.6 and organohydrosilanes into the reactor.

摘要翻译： 一种沉积钨膜的方法，包括在化学气相沉积反应器中将衬底加热至高于200℃的温度，将载气流在反应器中的衬底上流动，同时将WF 6和有机氢硅烷的混合物引入反应器中。

公开(公告)号：US5599425A

公开(公告)日：1997-02-04

申请号：US384087

申请日：1995-02-06

申请人： Andre Lagendijk ,  Damon K. DeBusk

发明人： Andre Lagendijk ,  Damon K. DeBusk

IPC分类号： H01L21/306 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/316

CPC分类号： H01L21/02046 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31625

摘要： A process for the use of organic chlorides having the general formula C.sub.x H.sub.y Cl.sub.y, C.sub.z Cl.sub.s, C.sub.r O.sub.u Cl.sub.2(r-u+1), C.sub.r O.sub.u Cl.sub.r-u+1 H.sub.r-u+1, wherein x=1-10, more preferably 1-6; y=x+1, x or x-1; z=1-10, more preferably 1-6; s=2(x+1, x or x-1), r=1-10, more preferably 2-4; u=1, 2 and up to r, as precursors for decomposition to chlorine and oxygen-containing reactive reagents for subsequent use for vapor cleaning of silicon, thermal oxidation of silicon in a range of 200.degree. C.-1200.degree. C., rapid thermal oxidation of silicon and silicon polishing or etching.

摘要翻译： 使用具有通式C x H y Cly，CzCls，CrOuCl 2（r-u + 1），CrOuClr-u + 1Hr-u + 1的有机氯化物的方法，其中x = 1-10，更优选1-6; y = x + 1，x或x-1; z = 1-10，更优选1-6; s = 2（x + 1，x或x-1），r = 1-10，更优选2-4; u = 1,2和高达r，作为用于分解为氯和含氧反应试剂的前体，用于随后用于硅的蒸气清洗，硅的热氧化在200℃-1200℃的范围内，快速 硅和硅的热氧化抛光或蚀刻。

公开(公告)号：US5028566A

公开(公告)日：1991-07-02

申请号：US559009

申请日：1990-07-27

申请人： Andre Lagendijk

发明人： Andre Lagendijk

IPC分类号： H01L21/316

CPC分类号： H01L21/02164 ,  H01L21/02129 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/31612 ,  Y10S148/118

摘要： The manufacture of semiconductor devices and, specifically, deposition of SiO.sub.2 films on semiconductor devices by oxidative decomposition of oligo siloxanes at low temperature is disclosed.

摘要翻译： 公开了半导体器件的制造，具体地，通过在低温下氧化分解低聚硅氧烷在半导体器件上沉积SiO 2膜。

公开(公告)号：US4851255A

公开(公告)日：1989-07-25

申请号：US190815

申请日：1988-05-06

申请人： Andre Lagendijk ,  Shantia Riahi

发明人： Andre Lagendijk ,  Shantia Riahi

IPC分类号： H01J27/02

CPC分类号： H01L21/26513 ,  H01J27/022 ,  H01L21/2658

摘要： Metal tetrafluoroborates, alkali and alkaline earth tetrafluoroborates in particular, and preferably lithium tetrafluoroborate are used as ion source materials in ion implantation of semiconductor materials with boron.

摘要翻译： 金属四氟硼酸盐，特别是碱金属和碱土金属四氟硼酸盐，优选四氟硼酸锂作为离子源材料用硼离子注入半导体材料。

公开(公告)号：US20050181633A1

公开(公告)日：2005-08-18

申请号：US10780183

申请日：2004-02-17

申请人： Arthur Hochberg ,  Kirk Cuthill ,  Thomas Deis ,  Lisa Deis ,  Andre Lagendijk

发明人： Arthur Hochberg ,  Kirk Cuthill ,  Thomas Deis ,  Lisa Deis ,  Andre Lagendijk

IPC分类号： C23C16/24 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40 ,  C23C16/48 ,  H01L21/31 ,  H01L21/314 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  H01L21/469

CPC分类号： H01L21/02205 ,  C23C16/24 ,  C23C16/345 ,  C23C16/401 ,  C23C16/402 ,  H01L21/02123 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/31608 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/3185

摘要： Inorganic precursors, namely iodosilane precursors, for the low temperature, low pressure deposition of silicon-containing films is provided therein. In one aspect, there is provided a process for forming a silicon-containing film process comprising: introducing a substrate and gaseous reagents comprising an iodosilane precursor having three or less iodine atoms bound to the silicon atom and at least one reagent selected from an oxygen-containing reactive gas, a nitrogen-containing reactive gas, a hydrogen-containing reactive gas and mixtures thereof into a reaction chamber; heating the reaction chamber to one or more temperatures ranging from 200° C. to 900° C. to form the silicon containing film on the substrate, provided that if the iodosilane precursor has three iodine atoms bound to the silicon atom then the heating step is conducted at one or more pressures less than 600 Torr.

摘要翻译： 在其中提供了用于低温，低压沉积含硅膜的无机前体，即碘代硅烷前体。 一方面，提供一种形成含硅膜工艺的方法，包括：引入底物和包含具有三个或更少碘原子的碘代硅烷前体与气体原子结合的气态试剂和至少一种选自氧 - 含有反应气体，含氮反应气体，含氢反应性气体及其混合物; 将反应室加热至200℃至900℃的一个或多个温度，以在基板上形成含硅膜，条件是如果碘代硅烷前体具有三个与硅原子结合的碘原子，则加热步骤为 在一个或多个低于600乇的压力下进行。

公开(公告)号：US5298075A

公开(公告)日：1994-03-29

申请号：US98496

申请日：1993-07-28

申请人： Andre Lagendijk ,  Arthur K. Hochberg ,  David A. Roberts

发明人： Andre Lagendijk ,  Arthur K. Hochberg ,  David A. Roberts

IPC分类号： C01B7/01 ,  C23C16/44 ,  C23G5/028 ,  H01L21/31 ,  H01L21/316 ,  B08B9/00

CPC分类号： H01L21/02238 ,  C23C16/4405 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/31662

摘要： A process for thermal oxidation of silicon or cleaning of furnace tubes used in semiconductor manufacturing by exposing the silicon or tube to temperatures above 700.degree. C. while flowing a carrier gas containing oxygen and a chlorohydrocarbon having a general formula C.sub.x H.sub.x Cl.sub.x where x is 2, 3, or 4 over the silicon or tube. The chlorohydrocarbon is selected to readily and completely oxidize at temperature.

摘要翻译： 一种用于硅的热氧化或半导体制造中使用的炉管的清洁的方法，其中将硅或管暴露于高于700℃的温度，同时流过含有氧的载气和具有通式C x H x Cl x的氯代烃，其中x为2,3 ，或4个在硅或管上。 选择氯代烃在温度下容易且完全氧化。

公开(公告)号：US4760263A

公开(公告)日：1988-07-26

申请号：US946784

申请日：1986-12-29

申请人： Andre Lagendijk ,  Shantia Riahi

发明人： Andre Lagendijk ,  Shantia Riahi

IPC分类号： H01J27/02

CPC分类号： H01J27/022

摘要： Metal tetrafluoroborates, alkali and alkaline earth tetrafluoroborates in particular, and preferably lithium tetrafluoroborate are used as ion source materials in ion implantation of semiconductor materials with boron.

摘要翻译： 金属四氟硼酸盐，特别是碱金属和碱土金属四氟硼酸盐，优选四氟硼酸锂作为离子源材料用硼离子注入半导体材料。