公开(公告)号：US08193647B2

公开(公告)日：2012-06-05

申请号：US12683421

申请日：2010-01-06

申请人： Chuehan Hsieh ,  Hung-Jen Yang ,  Min-Lung Huang

发明人： Chuehan Hsieh ,  Hung-Jen Yang ,  Min-Lung Huang

IPC分类号： H01L23/544 ,  H01L21/76

CPC分类号： H01L23/5389 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/544 ,  H01L24/19 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L2223/5448 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/20 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/96 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device package includes a semiconductor device, a sealant, a first dielectric layer, an electrically conductive layer, and a second dielectric layer. The semiconductor device includes a contact pad, an active surface, and side surfaces, where the contact pad is disposed adjacent to the active surface. The semiconductor device is formed with a first alignment mark that is disposed adjacent to the active surface. The sealant envelopes the side surfaces of the semiconductor device and exposes the contact pad. The first dielectric layer is disposed adjacent to the sealant and the active surface, and defines a first aperture that exposes the contact pad. The electrically conductive layer is disposed adjacent to the first dielectric layer and is electrically connected to the contact pad through the first aperture. The second dielectric layer is disposed adjacent to the electrically conductive layer.

摘要翻译： 半导体器件封装包括半导体器件，密封剂，第一介电层，导电层和第二介电层。 半导体器件包括接触焊盘，有源表面和侧表面，其中接触焊盘邻近有源表面设置。 半导体器件形成有与活性表面相邻设置的第一对准标记。 密封剂包封半导体器件的侧表面并暴露接触垫。 第一电介质层设置成与密封剂和有源表面相邻，并且限定暴露接触焊盘的第一孔。 导电层设置成与第一电介质层相邻，并且通过第一孔电连接到接触焊盘。 第二电介质层邻近导电层设置。

公开(公告)号：US20110018124A1

公开(公告)日：2011-01-27

申请号：US12649265

申请日：2009-12-29

申请人： Hung-Jen Yang ,  Chuehan Hsieh ,  Min-Lung Huang

发明人： Hung-Jen Yang ,  Chuehan Hsieh ,  Min-Lung Huang

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/78

CPC分类号： H01L24/96 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/544 ,  H01L24/19 ,  H01L24/97 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54473 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/20 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/96 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00

摘要： Described herein are semiconductor device packages and redistribution structures including alignment marks and manufacturing methods thereof.

公开(公告)号：US07867453B2

公开(公告)日：2011-01-11

申请号：US11524372

申请日：2006-09-21

申请人： Jhy-Wen Wu ,  Hung-Jen Yang ,  Nan-Kuang Yao

发明人： Jhy-Wen Wu ,  Hung-Jen Yang ,  Nan-Kuang Yao

IPC分类号： B01L3/00

CPC分类号： B01L3/502753 ,  B01L2200/0605 ,  B01L2200/0642 ,  B01L2300/069 ,  B01L2300/0816 ,  B01L2300/0864 ,  B01L2400/0457 ,  B01L2400/0487 ,  B01L2400/049

摘要： The present invention relates to a gravity-driven fraction separator and method thereof. The gravity-driven fraction separator is substantially a substrate having a microchannel structure arranged thereon, in which the microchannel structure is extending longitudinally on the substrate while sloping with respect to the level of the substrate by a specific angle. As a micro fluidics is being filled in a loading well situated upstream of the microchannel structure, the micro fluidics is driven by gravity to flow downstream in the microchannel structure while filling a plurality of manifolds formed in a area situated downstream of the microchannel structure, so that accurate quantification and separation of the micro fluidics using the plural manifolds, each having a specific length, can be achieved and provided for posterior inspection and analysis.

摘要翻译： 本发明涉及一种重力驱动级分分离器及其方法。 重力驱动级分分离器基本上是其上布置有微通道结构的基板，其中微通道结构在基板上纵向延伸，同时相对于基板的高度以特定角度倾斜。 由于微流体被填充在位于微通道结构上游的装载井中，微流体通过重力驱动以在微通道结构的下游流动，同时填充形成在位于微通道结构下游的区域中的多个歧管，因此 可以实现使用具有特定长度的多个歧管的微流体学的精确定量和分离，并提供用于后验检查和分析。

公开(公告)号：US08358001B2

公开(公告)日：2013-01-22

申请号：US12649265

申请日：2009-12-29

申请人： Hung-Jen Yang ,  Chuehan Hsieh ,  Min-Lung Huang

发明人： Hung-Jen Yang ,  Chuehan Hsieh ,  Min-Lung Huang

IPC分类号： H01L23/04

CPC分类号： H01L24/96 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/544 ,  H01L24/19 ,  H01L24/97 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54473 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/20 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/96 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00

摘要： Described herein are semiconductor device packages and redistribution structures including alignment marks and manufacturing methods thereof.

摘要翻译： 这里描述的是包括对准标记的半导体器件封装和再分配结构及其制造方法。

公开(公告)号：US07713485B2

公开(公告)日：2010-05-11

申请号：US10390669

申请日：2003-03-19

申请人： Shaw-Hwa Parng ,  Mei-Ya Wang ,  Hung-Jen Yang

发明人： Shaw-Hwa Parng ,  Mei-Ya Wang ,  Hung-Jen Yang

IPC分类号： B01L3/00

CPC分类号： F16K99/0011 ,  B01L3/502738 ,  B01L2300/0816 ,  B01L2300/0887 ,  B01L2300/165 ,  B01L2400/0622 ,  B01L2400/065 ,  F16K99/0001 ,  F16K99/0013 ,  F16K99/0028 ,  F16K2099/008

摘要： A microfluidics switch with moving planes has a first substrate with some holes and a second substrate with some micro-channels. Herein, the relative planes of both substrates are covered by a hydrophobic material. Therefore, while the substrates are neighboring and relatively moving, the overlap relation between the holes and the micro-channels are varied and a switch function is provided. Further, by using the hydrophobic material, while the distance between substrates is smaller than the height of drop of each liquid inputted into the holes, the fluids can not fluid between the planes and then different micro-channels are isolated from each other.

摘要翻译： 具有移动平面的微流体开关具有具有一些孔的第一衬底和具有一些微通道的第二衬底。 这里，两个基板的相对平面被疏水材料覆盖。 因此，当基板相邻且相对移动时，孔和微通道之间的重叠关系发生变化，并提供开关功能。 此外，通过使用疏水性材料，当基板之间的距离小于输入到孔中的每种液体的下落高度时，流体在平面之间不能流体化，因此不同的微通道彼此隔离。

公开(公告)号：US20070128082A1

公开(公告)日：2007-06-07

申请号：US11476070

申请日：2006-06-28

申请人： Hung-Jen Yang ,  Nan-Kuang Yao

发明人： Hung-Jen Yang ,  Nan-Kuang Yao

IPC分类号： B01L3/00

CPC分类号： C12M41/00 ,  B01L3/5027

摘要： The present invention provides a microflow coverage ratio control device, which comprises two reservoirs, at least one communication channel, a flow driver and two external tubes. The present invention utilizes liquid-level gravities of fluids in the two reservoirs to drive the fluids simultaneously flowing into a reaction chamber to form different fluid coverage ratios in the reaction chamber. The present invention employs the flow driver associated with the communication channel to change the liquid levels of the fluids in the two reservoirs, thereby changing the fluid coverage ratios in the reaction chamber. According to the potential energy conservation, the fluid pressure of the reaction chamber is kept constant during the change of the fluid coverage ratios. The interference of the reaction chamber is eliminated.

摘要翻译： 本发明提供了一种微流覆盖率控制装置，其包括两个储存器，至少一个通信通道，流动驱动器和两个外部管。 本发明利用两个储存器中的液体液面重力来驱动同时流入反应室中的流体，以在反应室中形成不同的流体覆盖率。 本发明使用与通信通道相关联的流动驱动器来改变两个储存器中的流体的液面，从而改变反应室中的流体覆盖率。 根据潜在的能量守恒，在流体覆盖率的变化期间，反应室的流体压力保持恒定。 消除了反应室的干扰。

公开(公告)号：US20110305846A1

公开(公告)日：2011-12-15

申请号：US12885018

申请日：2010-09-17

申请人： JUNG-CHEN CHIEN ,  HUNG-JEN YANG ,  CHIH-CHEN CHANG ,  SHIH-CHIN LIN ,  MUH-WANG LIANG

发明人： JUNG-CHEN CHIEN ,  HUNG-JEN YANG ,  CHIH-CHEN CHANG ,  SHIH-CHIN LIN ,  MUH-WANG LIANG

IPC分类号： C23C16/503 ,  C23C16/50 ,  C23C16/02 ,  C23C16/00

CPC分类号： C23C16/407 ,  C23C16/505 ,  H01J37/32009 ,  H01L21/67126 ,  H01L21/67748

摘要： The present disclosure provides a surface processing apparatus, comprising a reaction chamber provided to form a deposition layer on a substrate, a carrying chamber connected to the reaction chamber and comprising a slot, and a plasma generator installed in the slot and providing plasma to process the substrate surface. Whereby the disclosure further provides a surface processing method, which flatten surface of a deposition layer on the substrate when the substrate is carried form the reaction chamber to the carrying chamber after the deposition process in the reaction chamber.

摘要翻译： 本公开提供了一种表面处理装置，其包括设置成在基板上形成沉积层的反应室，连接到反应室并包括槽的承载室和安装在槽中的等离子体发生器，并提供等离子体以处理 基材表面。 因此，本公开进一步提供了一种表面处理方法，当在反应室中沉积工艺之后，当衬底被承载形成反应室至承载室时，使衬底上的沉积层的表面变平。

公开(公告)号：US20110073038A1

公开(公告)日：2011-03-31

申请号：US12616203

申请日：2009-11-11

申请人： Jung-Chen CHIEN ,  Jun-Chin Liu ,  Hung-Jen Yang ,  Tean-Mu Shen ,  Muh-Wang Liang

发明人： Jung-Chen CHIEN ,  Jun-Chin Liu ,  Hung-Jen Yang ,  Tean-Mu Shen ,  Muh-Wang Liang

IPC分类号： C23C16/455

CPC分类号： C23C16/45574 ,  C23C16/45565

摘要： The present invention provides a gas distribution plate for providing at least two gas flowing channel. In one embodiment, the gas distribution plate has a first flowing channel, at least a second flowing channel disposed around the first flowing channel, and a tapered opening communicating with the first and the second flowing channel. In another embodiment, the gas distribution plate has a first flowing channel passing through a first and a second surface of the gas distribution plate, a second flowing channel paralleling to the first surface and a third flowing channel disposed at the second surface and communicating with the second flowing channel. The ends of the first and the third flowing channel have a tapered opening respectively. Besides, the present further provides a gas distribution apparatus for allowing at least two separate gases to be delivered independently into a process chamber while enabling the gases to be mixed completely after entering the processing chamber.

摘要翻译： 本发明提供一种用于提供至少两个气体流动通道的气体分配板。 在一个实施例中，气体分配板具有第一流动通道，围绕第一流动通道设置的至少第二流动通道和与第一和第二流动通道连通的锥形开口。 在另一个实施例中，气体分布板具有穿过气体分配板的第一和第二表面的第一流动通道，与第一表面平行的第二流动通道和设置在第二表面处的第三流动通道， 第二流通道。 第一和第三流动通道的末端分别具有锥形开口。 此外，本发明还提供了一种气体分配装置，用于允许至少两个分离的气体独立地输送到处理室中，同时使气体在进入处理室之后能够被完全混合。

公开(公告)号：US20100308449A1

公开(公告)日：2010-12-09

申请号：US12612304

申请日：2009-11-04

申请人： Hung-Jen YANG ,  Min-Lung Huang

发明人： Hung-Jen YANG ,  Min-Lung Huang

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/96 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/2105 ,  H01L2224/214 ,  H01L2224/221 ,  H01L2224/96 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

摘要： A manufacturing method of semiconductor package is provided. A carrier is provided. The chips are disposed on the carrier. The chips are encapsulated by a molding compound, so that the molding compound and the chips form a chip-redistribution encapsulant. The carrier is removed, so that the chip-redistribution encapsulant exposes the pads of the chips. The plasma is applied on the pads and the molding compound. A first dielectric layer is formed on the pads and the surface of the molding compound. The plasma is applied on a surface of the first dielectric layer. A patterned conductive layer is formed on the surface of the first dielectric layer. A second dielectric layer is formed on the patterned conductive layer and the first dielectric layer. A plurality of solder balls are formed on the second dielectric layer. The chip-redistribution encapsulant is divided so as to form a plurality of packages.

摘要翻译： 提供半导体封装的制造方法。 提供载体。 芯片设置在载体上。 芯片由模塑料封装，使得模塑料和芯片形成芯片再分布密封剂。 载体被去除，使得芯片再分配密封剂暴露芯片的焊盘。 将等离子体施加在垫和模塑料上。 在焊盘和模塑料的表面上形成第一介电层。 将等离子体施加在第一电介质层的表面上。 在第一电介质层的表面上形成有图案的导电层。 在图案化导电层和第一介电层上形成第二电介质层。 在第二电介质层上形成多个焊球。 芯片再分配密封剂被分割以形成多个封装。

公开(公告)号：US20110018118A1

公开(公告)日：2011-01-27

申请号：US12683421

申请日：2010-01-06

申请人： Chuehan Hsieh ,  Hung-Jen Yang ,  Min-Lung Huang

发明人： Chuehan Hsieh ,  Hung-Jen Yang ,  Min-Lung Huang

IPC分类号： H01L23/544 ,  H01L23/495 ,  H01L21/50

CPC分类号： H01L23/5389 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/544 ,  H01L24/19 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L2223/5448 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/20 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/96 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00

摘要： Described herein are semiconductor device packages and redistribution structures including alignment marks and manufacturing methods thereof.

摘要翻译： 这里描述的是包括对准标记的半导体器件封装和再分配结构及其制造方法。