公开(公告)号：US09165865B2

公开(公告)日：2015-10-20

申请号：US13082147

申请日：2011-04-07

申请人： Juan A Herbsommer ,  Osvaldo J Lopez ,  Jonathan A Noquil

发明人： Juan A Herbsommer ,  Osvaldo J Lopez ,  Jonathan A Noquil

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L23/495 ,  H01L23/31 ,  H01L23/00

CPC分类号： H01L21/4825 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49537 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/30 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/2101 ,  H01L2224/211 ,  H01L2224/215 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29193 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/32104 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/838 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/00

摘要： A packaged power transistor device (100) having a leadframe including a flat plate (110) and a coplanar flat strip (120) spaced from the plate, the plate having a first thickness (110a) and the strip having a second thickness (120a) smaller than the first thickness, the plate and the strip having terminals (212; 121a). A field-effect power transistor chip (210) having a third thickness (210a), a first and a second contact pad on one chip side, and a third contact pad (211) on the opposite chip side, the first pad being attached to the plate, the second pad being attached to the strip, and the third pad being coplanar with the terminals. Encapsulation compound (130) filling the thickness difference between plate and strip, and spaces between chip and terminals, wherein the compound has a surface (101) coplanar with the plate surface (111) and the opposite surface (102) coplanar with the third pad (211) and the terminals (212; 212a), the distance (104) between the surfaces being equal to the sum of the first (110a) and third (210a) thicknesses.

摘要翻译： 一种封装的功率晶体管器件（100），其具有包括平板（110）和与所述板间隔开的共面平坦条（120）的引线框架，所述板具有第一厚度（110a）和所述带具有第二厚度（120a） 小于第一厚度，板和带具有端子（212; 121a）。 具有第三厚度（210a），一个芯片侧的第一和第二接触焊盘和相对的芯片侧的第三接触焊盘（211）的场效应晶体管芯片（210），所述第一焊盘附接到 所述板，所述第二垫附接到所述条，并且所述第三垫与所述端子共面。 填充板和条带之间的厚度差以及芯片和端子之间的空间的封装化合物（130），其中所述化合物具有与所述板表面（111）共面的表面（101）和与所述第三焊盘共面的相对表面（102） （211）和端子（212; 212a）之间，表面之间的距离（104）等于第一（110a）和第三（210a）厚度之和。

公开(公告)号：US08760872B2

公开(公告)日：2014-06-24

申请号：US13247650

申请日：2011-09-28

申请人： Juan A. Herbsommer ,  Osvaldo J Lopez ,  Jonathan A Noquil ,  David Jauregui ,  Lucian Hriscu

发明人： Juan A. Herbsommer ,  Osvaldo J Lopez ,  Jonathan A Noquil ,  David Jauregui ,  Lucian Hriscu

IPC分类号： H05K7/20

CPC分类号： H02M3/00 ,  H01R43/26 ,  H02B1/48 ,  H05K7/2039 ,  H05K7/2089 ,  H05K7/209 ,  Y10T29/49002 ,  Y10T29/49073 ,  Y10T29/49117

摘要： A power supply converter (100) comprising a first FET (210) connected to ground (230), the first FET coupled to a second FET (220) tied to an input terminal (240), both FETs conductively attached side-by-side to a first surface of a metal carrier (120) and operating as a converter generating heat; and a packaged load inductor (110) tied to the carrier and an output terminal (241), the inductor package wrapped by a metal sleeve (113) in touch with the opposite surface of the metal carrier, the sleeve operable to spread and radiate the heat generated by the converter.

摘要翻译： 一种电源转换器（100），包括连接到地（230）的第一FET（210），所述第一FET耦合到连接到输入端子（240）的第二FET（220），两个FET并排导电地并入 到金属载体（120）的第一表面并作为产生热量的转换器工作; 和连接到所述载体的封装负载电感器（110）和输出端子（241），所述电感器封装件包括与所述金属载体的相对表面接触的金属套筒（113），所述套管可操作以扩展和辐射 由转换器产生的热量。

公开(公告)号：US20130049077A1

公开(公告)日：2013-02-28

申请号：US13214801

申请日：2011-08-22

申请人： Juan A. HERBSOMMER ,  Osvaldo J. LOPEZ ,  Jonathan A. NOQUIL

发明人： Juan A. HERBSOMMER ,  Osvaldo J. LOPEZ ,  Jonathan A. NOQUIL

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L23/495

CPC分类号： H01L23/49562 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/49524 ,  H01L24/36 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/3716 ,  H01L2224/37599 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

摘要： A field-effect transistor package includes a leadframe with a first linear thickness (150a) and a leadframe pad (151) of a reduced thickness; a first terminal of a field-effect transistor chip (140) attached to the pad and a second and a third terminal remote from the pad; a metal sheet (110) of a second linear thickness (110a) connecting the second transistor terminal to a package terminal; a metal sheet (112) of a third linear thickness (112a) connecting the third transistor terminal to a package terminal; the sum of the first linear thickness (about 0.125 mm) and the second linear thickness (about 0.125 mm) plus attach material (about 0.05 mm) comprising the package thickness (about 0.3 mm).

摘要翻译： 场效应晶体管封装包括具有第一线性厚度（150a）的引线框架和减小厚度的引线框架板（151）; 附接到焊盘的场效应晶体管芯片（140）的第一端子和远离焊盘的第二和第三端子; 将第二晶体管端子连接到封装端子的第二线性厚度（110a）的金属片（110） 将第三晶体管端子连接到封装端子的第三线性厚度（112a）的金属片（112） 第一线性厚度（约0.125mm）和第二线性厚度（约0.125mm）加上包括封装厚度（约0.3mm）的附着材料（约0.05mm）之和。

公开(公告)号：US20110008933A1

公开(公告)日：2011-01-13

申请号：US12836664

申请日：2010-07-15

申请人： Jonathan A. Noquil

发明人： Jonathan A. Noquil

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L23/49562 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/36 ,  H01L24/40 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

摘要： An integrated power device module including a lead frame having first and second spaced pads, one or more common source-drain leads located between the first and second pads, and one or more drain leads located on the outside of the second pad. First and second transistors are flip chip attached respectively to the first and second pads, wherein the source of the second transistor is electrically connected to the one or more common source-drain leads. A first clip is attached to the drain of the first transistor and electrically connected to the one or more common source-drain leads. A second clip is attached to the drain of the second transistor and electrically connected to the one or more drain leads located on the outside of the second pad. Molding material encapsulates the lead frame, the transistors, and the clips to form the module.

摘要翻译： 一种集成功率器件模块，包括具有第一和第二间隔衬垫的引线框架，位于第一和第二焊盘之间的一个或多个公共源极 - 漏极引线以及位于第二焊盘外侧的一个或多个漏极引线。 第一和第二晶体管分别与第一和第二焊盘连接，其中第二晶体管的源极电连接到一个或多个公共源极 - 漏极引线。 第一夹子附接到第一晶体管的漏极并电连接到一个或多个公共源极 - 漏极引线。 第二夹子连接到第二晶体管的漏极，并电连接到位于第二焊盘外侧的一个或多个漏极引线。 成型材料封装引线框架，晶体管和夹子以形成模块。

公开(公告)号：US07439613B2

公开(公告)日：2008-10-21

申请号：US10841656

申请日：2004-05-06

申请人： Rajeev Joshi ,  Jonathan A. Noquil ,  Consuelo N. Tangpuz

发明人： Rajeev Joshi ,  Jonathan A. Noquil ,  Consuelo N. Tangpuz

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L23/49861 ,  H01L23/49562 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45147

摘要： A semiconductor die package is disclosed. In one embodiment, the semiconductor die package has a substrate. It includes (i) a leadframe structure including a die attach region with a die attach surface and a lead having a lead surface, and (ii) a molding material. The die attach surface and the lead surface are exposed through the molding material. A semiconductor die is on the die attach region, and the semiconductor die is electrically coupled to the lead. The die attach surface and the lead surface can be in different planes.

摘要翻译： 公开了一种半导体管芯封装。 在一个实施例中，半导体管芯封装具有衬底。 它包括（i）引线框架结构，其包括具有管芯附接表面的管芯附着区域和具有引线表面的引线，以及（ii）模制材料。 裸片附着表面和引线表面通过模制材料暴露。 半导体管芯在管芯附着区域上，并且半导体管芯电耦合到引线。 管芯附着表面和引线表面可以在不同的平面上。

公开(公告)号：US20070267728A1

公开(公告)日：2007-11-22

申请号：US11625100

申请日：2007-01-19

申请人： Jonathan A. Noquil ,  Yong Liu ,  Jocel Gomez

发明人： Jonathan A. Noquil ,  Yong Liu ,  Jocel Gomez

IPC分类号： H01L23/495

CPC分类号： H01L23/3107 ,  H01L23/36 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49562 ,  H01L24/36 ,  H01L24/40 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/73153 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/37099

摘要： A semiconductor package assembly including a molded leadless package (MLP) having an exposed top emitter pad and an exposed bottom source pad. A folded heat sink is attached to the exposed top emitter pad of the MLP by a soft solder attach process. The folded heat sink has a planar member generally coextensive in size with the MLP and in electrical and thermal contact with the top emitter pad of the MLP, and also has one or more leads extending generally perpendicularly to the planar member in a direction towards the lower surface of the MLP. These heat sink leads may provide the emitter connection to a printed circuit (PC) board.

摘要翻译： 一种半导体封装组件，包括具有暴露的顶部发射极焊盘和暴露的底部源极焊盘的模制无引线封装（MLP）。 折叠的散热器通过软焊接附着工艺连接到MLP的暴露的顶部发射极焊盘。 折叠的散热器具有通常与MLP大体上共同延伸的平面构件，并且与MLP的顶部发射器焊盘电接触和热接触，并且还具有一个或多个垂直于平面构件的引线朝向下部的方向延伸 表面MLP。 这些散热器引线可以提供与印刷电路板（PC）板的发射极连接。

公开(公告)号：US20140063744A1

公开(公告)日：2014-03-06

申请号：US13603905

申请日：2012-09-05

申请人： Osvaldo Jorge Lopez ,  Jonathan A. Noquil ,  Juan Alejandro Herbsommer

发明人： Osvaldo Jorge Lopez ,  Jonathan A. Noquil ,  Juan Alejandro Herbsommer

IPC分类号： H05K7/20 ,  H01L25/07 ,  H05K1/18

CPC分类号： H01L23/49575 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/492 ,  H01L23/49537 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/41 ,  H01L25/074 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40137 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： A power FET (100) comprising a leadframe including a pad (110), a first lead (111), and a second lead (112); a first metal clip (150) including a plate (150a), an extension (150b) and a ridge (150c), the plate and extension spaced from the leadframe pad and the ridge connected to the pad; a vertically assembled stack of FET chips in the space between the plate and the pad, the stack including a first n-channel FET chip (120) having the drain terminal on one surface and the source and gate terminals on the opposite surface, the drain terminal attached to the pad, the source terminal attached to a second clip (140) tied to the first lead; and a second n-channel FET chip (130) having the source terminal on one surface and the drain and gate terminals on the opposite surface, the source terminal attached to the second clip, its drain terminal attached to the first clip; wherein the drain-source on-resistance of the FET stack is smaller than the on-resistance of the first FET chip and of the second FET chip.

摘要翻译： 一种功率FET（100），包括包括焊盘（110），第一引线（111）和第二引线（112）的引线框架; 包括板（150a），延伸部（150b）和脊（150c）的第一金属夹（150），所述板和延伸部与所述引线框垫间隔开并且连接到所述焊盘; 在板和焊盘之间的空间中垂直组装的FET芯片堆叠，所述堆叠包括在一个表面上具有漏极端子的第一n沟道FET芯片（120），并且在相对表面上具有源极和栅极端子，漏极 端子附接到焊盘，源极端子附接到与第一引线相连的第二夹子（140）; 以及第二n沟道FET芯片，其在一个表面上具有源极端子，在相对表面上具有漏极和栅极端子，源极端子附接到第二夹子，其漏极端子附接到第一夹子; 其中所述FET堆叠的所述漏极 - 源极导通电阻小于所述第一FET芯片和所述第二FET芯片的导通电阻。

公开(公告)号：US08049312B2

公开(公告)日：2011-11-01

申请号：US12352215

申请日：2009-01-12

申请人： Juan Alejandro Herbsommer ,  Jonathan A. Noquil ,  Osvaldo J. Lopez

发明人： Juan Alejandro Herbsommer ,  Jonathan A. Noquil ,  Osvaldo J. Lopez

IPC分类号： H01L23/495 ,  H01L23/10

CPC分类号： H01L23/4334 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49562 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/41 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/37011 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/4007 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/40247 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012

摘要： A semiconductor die package includes: an assembly including a semiconductor die, a clip structure attached to an upper surface of the semiconductor die, and a heat sink attached to an upper surface of the clip structure; and a molding material partially encapsulating the assembly, wherein an upper surface of the heat sink is exposed through the molding material.

摘要翻译： 半导体管芯封装包括：包括半导体管芯，附接到半导体管芯的上表面的夹结构和附接到夹结构的上表面的散热器的组件; 以及部分地封装所述组件的模制材料，其中所述散热器的上表面通过所述模制材料暴露。

公开(公告)号：US20110210708A1

公开(公告)日：2011-09-01

申请号：US12942871

申请日：2010-11-09

申请人： Juan A. HERBSOMMER ,  Osvaldo J. LOPEZ ,  Jonathan A. NOQUIL ,  David JAUREGUI ,  Christopher B. KOCON

发明人： Juan A. HERBSOMMER ,  Osvaldo J. LOPEZ ,  Jonathan A. NOQUIL ,  David JAUREGUI ,  Christopher B. KOCON

IPC分类号： G05F1/10 ,  H01L21/50

CPC分类号： H01L24/49 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/29 ,  H01L24/33 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/41 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/85 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2224/73219 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/84 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/00015

摘要： A high frequency power supply module (200) of a synchronous Buck converter stacking the control FET (210) and sync FET (220) and having the driver IC (230) integrated in the final package solution. A QFN leadframe has a rectangular flat pad (201) destined to become the heat spreader of the package; the leads (202) are positioned in line with two opposite sides of the pad, the other pad sides being free of leads. The sync FET die (220) is soldered to the pad; a first clip (240), soldered on the sync die, has the control die (210) attached by solder. A second clip (260) is soldered on top of the control die. Also soldered on the same pad, yet not stacked with the other dies, is IC driver chip (230). The IC driver is wire bonded (233) to the pins of the package and to the stacked dies. All die attach and clip attach use the same solder material in order to be reflowed in the same reflow step.

摘要翻译： 堆叠控制FET（210）和同步FET（220）并具有集成在最终封装解决方案中的驱动器IC（230）的同步降压转换器的高频电源模块（200）。 QFN引线框架具有旨在成为封装的散热器的矩形平垫（201）; 引线（202）定位成与焊盘的两个相对侧成一直线，其它焊盘侧面没有引线。 同步FET管芯（220）焊接到焊盘; 焊接在同步模具上的第一夹子（240）具有通过焊料附着的控制模具（210）。 第二夹子（260）焊接在控制管芯的顶部。 还焊接在同一个焊盘上，而不是与另一个裸片堆叠，是IC驱动器芯片（230）。 IC驱动器与封装的引脚和堆叠的管芯接合（233）。 所有芯片附着和夹子连接使用相同的焊料材料，以便在相同的回流步骤中回流焊。

公开(公告)号：US20110003432A1

公开(公告)日：2011-01-06

申请号：US12882353

申请日：2010-09-15

申请人： Jonathan A. Noquil ,  Yong Liu ,  Jocel Gomez

发明人： Jonathan A. Noquil ,  Yong Liu ,  Jocel Gomez

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L23/3107 ,  H01L23/36 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49562 ,  H01L24/36 ,  H01L24/40 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/73153 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/37099

摘要： A semiconductor package assembly including a molded leadless package (MLP) having an exposed top emitter pad and an exposed bottom source pad. A folded heat sink is attached to the exposed top emitter pad of the MLP by a soft solder attach process. The folded heat sink has a planar member generally coextensive in size with the MLP and in electrical and thermal contact with the top emitter pad of the MLP, and also has one or more leads extending generally perpendicularly to the planar member in a direction towards the lower surface of the MLP. These heat sink leads may provide the emitter connection to a printed circuit (PC) board.

摘要翻译： 一种半导体封装组件，包括具有暴露的顶部发射极焊盘和暴露的底部源极焊盘的模制无引线封装（MLP）。 折叠的散热器通过软焊接附着工艺连接到MLP的暴露的顶部发射极焊盘。 折叠的散热器具有通常与MLP大体上共同延伸的平面构件，并且与MLP的顶部发射器焊盘电接触和热接触，并且还具有一个或多个垂直于平面构件的引线朝向下部的方向延伸 表面MLP。 这些散热器引线可以提供与印刷电路板（PC）板的发射极连接。